形成倒装芯片焊点的铜接线柱焊凸(SBC)法

在倒装芯片应用中生长晶圆焊凸的工艺中对于间距较小(即小于150μm)、具有数个尺寸为150μm的焊凸,倒装前的焊锡涂敷好坏对产品的良率和可靠性起着重要作用。因为,如果涂敷的焊锡体积不均匀,就经不起涂敷过程中为确保涂敷在引线框上焊锡的完整和体积一致性而引入的强制视像系统检查,从而降低产出率。这就是一些组装工艺正设法减少或取消这些限制的原因。另一方面,采用直接熔化焊凸的方法来形成焊点是一种速度较快的工艺,但在保证回流处理后的离板高度方面有缺点,导致在温度和功率循环测试中的表现较差。介绍的采用铜接线柱焊凸(SolderBumponCopperStud;SBC)法解决了这些问题;对于那些需要倒装的组装工艺而言,这是可保障其制造性较佳的解决方案。介绍采用铜接线柱焊凸(SBC)工艺在附着在倒装芯片上的金属基片和焊凸之间形成焊点的新方法,利用铜接线柱焊凸技术再配合晶圆级的焊锡丝印工艺在半导体上预先形成焊凸。这是替代电镀焊凸工艺一种别具成本效益的方法。     

增黏剂(HMDS)在锑化铟光刻工艺中的应用

介绍了增黏剂(HMDS)的物化性质及其在光刻工艺中的作用,并且通过实验研究将增黏剂应用于锑化铟材料的光刻工艺,改善了锑化铟的表面状态,增强了锑化铟衬底与光刻胶的黏附性,进而在湿法腐蚀等后续工艺中提高了光刻胶的抗腐蚀性.     

铝(铜)基高频板的成形加工

铝(铜)基高频板成形加工方法和技术参数的设定。     

适用于微加工工艺的纳米多孔铜制备方法

主要研究了一种适用于微加工工艺的纳米多孔铜(NPC)制备方法。采用酸性柠檬酸铜锌电镀体系制备出Cu68Zn32前驱合金,通过改变前驱合金在盐酸中去合金的时间可以对NPC的微观形貌及孔径分布进行有效控制。研究结果表明,在0.05 mol/L的盐酸中腐蚀6 h后制备的NPC孔径为80~120 nm,而系带尺寸为20~40 nm,利用BET法测得其比表面积为8.12 m2/g。另外,应用微加工工艺制备出边长为50μm方形微阵列,验证了该NPC制备工艺与微加工工艺有较好的兼容性,为NPC的图形化与集成制造提供一种有效的工艺方案。     

利用Cu_2O(I)胶体铜的直接电镀工艺

概述了利用Cu_2O(I)胶体铜的非导体表面直接电镀工艺,适用于迅速、安全和经济地制造孔金属化印制板。     

ITU-T No.7信令方式的新发展(1)——参加ITU-T第11研究组1993～1996研究期会议的专题报告

根据ITU-T目前No.7信令方式在宽带ISDN领域中取得的进展,简要介绍了B-ISDNNo.7信令方式的消息传递部分(MTP)和B-ISDN用户部分(B-ISUP)的基本功能和程序。指出了今后主要的研究内容。     

基于代价函数的通道误差校正方法(英文)

方位多通道技术是合成孔径雷达(SAR)实现高分宽测的手段之一。在多通道系统中通道失配是不可避免的,这会导致SAR 图像模糊。已有的通道失配校正方法大多依赖于系统参数以及场景内容。参数的不确定性将会大大降低校正算法的稳定性。该文提出了一种改进的通道失配校正方法,根据失配产生的原因,将通道失配分为距离增益误差、脉冲采样时钟误差和传输相位误差3 项。前两项误差通过交替估计进行补偿,而传输相位误差则通过代价函数给予估计。该方法对成像场景的依赖较小,基于机载多通道验证平台实测数据的实验验证了该方法的有效性。      

AltBOC(15,10)信号合成相关函数的无模糊跟踪方法

交替二进制偏移载波(AltBOC)调制信号的自相关函数具有多峰性,导致全球导航卫星系统(GNSS)接收机同步阶段容易产生误捕和模糊跟踪。针对此问题,首先建立了AltBOC信号的模型,并在此基础上提出了一种基于合成相关函数的AltBOC(15,10)信号无模糊跟踪方法。该方法通过设计两路本地辅助信号的波形,与接收AltBOC信号进行相关运算,构造出无边峰的合成相关函数,实现无模糊跟踪。理论分析与仿真结果表明,该方法能够完全消除AltBOC信号自相关函数边峰,保持了主峰的宽度,有效地提高了码跟踪的可靠性,同时具有较好的多径抑制能力。     

周期精确的指令集模拟器(ISS)的建模与封装方法

本文首先介绍了指令集模拟器(ISS)的原理与应用,提出了在ISS的建模过程中所要处理的主要问题。然后以ARM7为例讨论了使用C 语言建立周期精确的指令集模拟器的方法。并使用了SystemC封装的方式来解决ISS同系统中其它模块的信息传递和时钟同步问题。将封装后的ISS同存储器一起挂接在AHB总线上,建立了简单的仿真平台。     

Ce在Si(111)面上吸附的EHT研究方法

采用集团模型和半经验的EHT方法研究Ce原子在Si(111)顶位和三度位吸附,由体系总能量最低确定了稳定的吸附位置,并在最稳定的三度吸附位讨论了Ce-Si成键特性和状态密度.结果表明,Ce原子的5d和4f轨道与Si原子的3p轨道相互作用,在费米能级以下形成了混杂的能级,同时5d和4f轨道的能量降低,获得少量6s轨道的电荷,而整个Ce原子失去约0.8个电子.计算所得结果及态密度在吸附前后的变化与第一性原理的DVM计算符合较好.     

印制板镀铜面OSP抗氧化处理与应用

对印制板表面处理作了简单的回顾,然后重点讲述OSP的反应机理,OSP产品的特点,OSP成膜过程以及乙酸和氨的初值对成膜的敏感依赖性和微蚀对成膜的影响,以及运用OSP成膜机理解决生产中出现的品质问题。近年来,OSP作为印制板表面处理的主流,有取代热风整平工艺及松香工艺的趋势,更适合电子工艺中SMT技术发展及环保方面的要求。     

有机预焊剂的工艺控制与性能测试

本文通过对有机预焊剂的性能及工艺条件的研究,在不同的工艺条件下制作了大量的实验样板,通过对实验板的耐热性及耐湿热性的测试,得出了不同工艺条件下的上锡率。     

微蚀与混合金属OSP

文章介绍了混合金属基板OSP及选择合适的微蚀剂能有效抑制贾凡尼效应,防止因贾凡尼效应而引起的品质隐患,杜绝金面变色;同时介绍了不同微蚀体系对可焊性影响。     

选择性OSP中异色问题的研究和改善

主要针对选择性OSP中出现异色（如发黑、发红和色差等）问题的表观现象和进行原因分析,并对此问题的解决提出一些改善措施。     

适合选择性化金板的新型抗贾凡尼效应——过一硫酸氢钾微蚀刻液(OSP/SENIG)

就贾凡尼效应的产生及对PCB生产工艺中带来的危害进行分析,并介绍了相应的改善措施。     

波峰焊连接器桥接正交试验分析

波峰焊过程中，桥接是常见的缺陷之一，96芯连接器也经常出现桥接现象。通过观察发现96芯连接器的桥接集中出现在最后两排引脚。对96芯连接器过波峰焊出现桥接现象的原因进行了分析，利用正交试验设计分析了各因子对桥接的影响程度，并对各因子对桥接的影响进行了定性分析。同时对托盘边缘到焊盘间距对桥接的影响进行了单独验证。最终为解决桥接问题提供了一些参考依据。     

无铅焊接工艺中常见缺陷及防止措施

无铅化电子组装中,由于原材料的变化带来了一系列工艺的变化,随之产生许多新的焊接缺陷。针对“黑盘”现象进行了产生机理分析,并给出了相应的解决措施。     

不同沉金时间板件对应不同微蚀量的耐攻击测试

由于沉镍金工艺存在有黑盘的缺陷,所以一些板件的表面处理兼有沉镍金和OSP,即选择性沉金;在进行OSP表面处理时,OSP面需要先进行微蚀处理,而已完成沉镍金的地方同样会经过微蚀段,微蚀及不同的微蚀量对金面是有一定的影响的;本文通过制作不同沉金时间的板件,试验不同微蚀量处理后金面的受攻击情况。     

无铅焊接工艺中常见缺陷及防止措施（1）

无铅化电子组装中，由于原材料的变化带来了一系列工艺的变化，随之产生许多新的焊接缺陷。本文针对“黑盘”现象、表面裂纹和焊点剥离三种缺陷进行了产生机理分析，并给出了相应的解决措施。     

喷流对提高高厚径比PCB板深镀能力的研究

文章简单介绍了电极反应速度理论和流体力学理论,从理论上找到解决提高高厚径比PCB板件深镀能力的研究方法;电镀反应包括液相传质步骤、电化学步骤、新相生成步骤;流体流动主要有层流和湍流两种方式,两者的转换条件判断为雷诺数数值;通过电化学极化曲线比较了底喷,侧喷,鼓气对深镀能力贡献不同的影响,从理论上分析了底喷效果优于其它两种溶液交换方式的原因,证明底部喷流方式对于高厚径比通孔电镀是最优选择,讨论了喷流流量大小对深镀能力提高的贡献。