利用拉曼光谱研究60CO γ射线对EC9706细胞的辐射损伤

将EC9706细胞经不同剂量^60Coγ射线辐照后继续培养24 h。利用激光拉曼光谱分析EC9706细胞内部蛋白质、核酸、脂类等生物大分子的构象和含量变化。分析结果发现,各剂量组拉曼谱的峰强和频移与空白对照组之间存在较大的差异,主要表现是蛋白质酰胺Ⅲ带1 244 cm^-1谱带在中等剂量组（4、5Gy）β折叠结构向无规卷曲转化;色氨酸残基的吲哚环振动谱带1 341 cm^-1在各剂量组中出现不同程度的红移;782 cm^-1谱带在大剂量组（7、8Gy）红移2～3 cm^-1,说明大剂量γ射线辐照导致DNA中的磷酸二酯（O—P—O）基团的非氢键化程度增强。脂类的CH2和CH3弯曲振动谱带1 446 cm^-1在2、4Gy组蓝移4 cm^-1,其他剂量组频移不大,这与60Coγ射线对EC9706细胞的生物膜造成一定损伤有关。拉曼特征峰在不同剂量组中的变化,为进一步研究60Coγ射线辐照损伤EC9706细胞的最佳剂量提供了一定实验依据。     

γ射线辐照处理竹材的X射线光谱研究

利用X射线衍射仪,对γ射线辐照处理前后的竹材进行X射线光谱分析,得出竹材结晶度和微纤丝角在辐照过程中的变化规律。随着辐照剂量的增加,竹材纤维素结晶度呈现先升高后降低的趋势,微纤丝角变化不明显,表明微纤丝角不是影响辐照过程中竹材物理、力学性能变化的主要因子。     

X射线荧光光谱及拉曼光谱法研究五谷营养成分

采用X射线荧光光谱分析法(XRF)和激光拉曼光谱法(Raman),测定了小米、玉米、黄米、大米和小麦5种常用主食(五谷)中营养成分及钾、镁、钙、铁、锌、锰、铝、铜等多种微量元紊的含量.X射线荧光光谱分析法测量结果表明,五谷中所含微量元素非常丰富且种类基本相同,但各元素含量存在很大差异.5种谷类中K元素含量均为最高,含量...     

氧化铝/二氧化铈X射线衍射及拉曼光谱研究

钢中氧化铝夹杂物尺寸大小严重影响钢材性能,细化或去除钢中夹杂物备受重视.由于钢中合金元素添加量相对于钢液过少,并在分析过程中存在误差,使用放大夹杂物反应的思路,研究了在高温1600℃时不同比例稀土二氧化铈粉末和氧化铝粉末的添加量对夹杂物的物相变化、尺寸大小的影响.对高温箱式炉设定程序进行升温、保温、随炉冷却,依据测试结...     

铁电存储器~(60)Co γ射线及电子总剂量效应研究

以型号为FM28 V100的铁电存储器为研究对象,进行了~(60)Co γ射线和2 Me V电子辐照实验.研究了铁电存储器不同工作方式、不同辐射源下的总剂量辐射损伤规律,用J-750测试部分直流参数和交流参数,分析了存储器敏感参数的变化规律.实验结果表明:对动态、静态加电、静态不加电三种工作方式下的结果进行比较.其中静态加电工作方式下产生的陷阱电荷最多,是存储器最恶劣的工作方式;器件的一些电参数随总剂量发生变化,在功能失效之前部分参数已经失效;在静态加电这种最恶劣的工作方式下,得到~(60)Co γ射线比电子造成更加严重的辐照损伤.     

60Coγ射线辐照对肖特基二极管1/f噪声的影响

在肖特基二极管(schottky barrier diode,SBD)辐照损伤机理和总剂量效应分析的基础上,利用1/f噪声的迁移率涨落和载流子数涨落模型,深入研究辐照损伤对器件1/f噪声的影响.研究结果表明,辐照诱生新的界面态,改变界面态密度分布,进而调制了肖特基势垒高度,增大表面复合速度是引起器件性能退化主要原因,也是1/f噪声剧烈增加的主要原因.正因为如此,噪声与器件退化存在相关性,即噪声拟合参数B越大,偏离标准值越多,器件可靠性越差,抗辐照能力越低,在辐照环境下工作越容易失效.由此可知,1/f噪声特性可以用作SBD辐照损伤机理的研究工具,并有可能用于SBD抗辐射加固的无损评估.     

C_(60)、C_(70)的分子对称性与拉曼光谱

本文从C60、C70分子结构出发,通过群论计算得出他们的拉曼活性模式,并与实验观察到的光谱和相关文献中的预测相对比。对C60在金属基底上两种可能的吸附方式引起的分子对称性改变及相应的拉曼光谱作了分析,推测可能以六边形面方式吸附。     

SiC纤维增强Ti17合金复合材料轴向残余应力的拉曼光谱和X射线衍射法对比研究

准确测量和分析SiC纤维增强Ti合金复合材料(SiC_f/Ti)中残余应力状态对优化复合材料的成型工艺和理解其失效模式具有重要意义,但其残余应力的实验测量和分析仍是一个挑战.石墨C涂层作为SiC纤维与Ti17基体合金之间必需的扩散障涂层,承载了由纤维与基体之间热不匹配引入的残余应力.本文采用显微拉曼光谱法对比测量纤维表面C涂层在复合材料中和去掉基体无应力态下G峰的峰位,通过石墨C涂层应力态下峰位移动计算出SiCf/C/Ti17复合材料中SiC纤维受到～705.0 MPa的残余压应力.采用X射线衍射方法测量了不同方向上该复合材料中基体钛合金的晶面间距以获取其空间应变,根据三轴应力模型分析了复合材料中基体钛合金沿轴向方向的残余应力为～701.3 MPa的张应力,并通过线性弹性理论转化为SiC纤维的残余压应力为～759.4 MPa.两种测试方法都确定了SiC纤维在成型过程中受到残余压应力,且获得的应力值较为接近,都可以用于对SiC_f/Ti复合材料的残余应力测量.     

X-射线拉曼散射(XRS)

在讲述X-射线拉曼散射(谱)的基本原理, 实验设备及应用之前, 介绍了我国第四代光源(即第三代同步辐射光源)及其基本结构、特性, 这些是光物理研究中必备条件。此外, 与已有的元激发光谱作了比较; 最后还指出可能的发展方向。     

PVK/C_(60)组合体系薄膜的拉曼光谱和荧光光谱研究

我们采用物理喷束淀积技术制备了Ｃ６０、Ｃ７０及聚乙烯咔唑ＰＶＫ／Ｃ６０的混合和分层薄膜，拉曼光谱的测量表明，这种技术所制备的富勒烯薄膜中，富勒烯的笼型结构仍保持完整，而在ＰＶＫ／Ｃ６０组合薄膜中，拉曼光谱及荧光光谱测量表明：在ＰＶＫ和Ｃ６０分子之间存在激发传递过程，在混合膜中，这种激发传递过程要明显强于分层组合薄膜。     

C_(60)衍生物分子的拉曼光谱研究

本文通过对C6 0 衍生物拉曼光谱的研究发现 ,由于有机官能团的出现使得C6 0 分子的结构发生了变化 ,从而导致C6 0 衍生物的拉曼光谱有了明显不同。本文对此现象进行了分析与解释。     

C_(60)高压相变的拉曼光谱研究

本文对非静水压淬火的 C_(60)样品进行了拉曼光谱研究。在14.8GPa 以上,C_(60)的1468cm~(-1)特征峰的频率和线宽保持不变,这是 fullerite 相己转变成“透明相”的拉曼光谱证据。在32GPa 以上,原 C_(60)的散射峰全部消失,只观察到两个新的弥散的弱散射峰。表明 C_(60)原子团簇已倒塌或严重畸变。     

GexSb20Se80-x玻璃的拉曼光谱和X射线光电子能谱

用拉曼散射光谱和X射线光电子能谱研究了Ge_xSb₂₀Se_80-x(x=5 mol%, 10 mol%, 15 mol%, 17.5 mol%, 20 mol%和25 mol%)玻璃的结构. 通过对拉曼光谱和X射线光电子能谱(Ge 3d, Sb 4d 和Se 3d谱)进行分解, 发现当硫系玻璃处于富Se状态下时, 玻璃结构中会出现Se–Se–Se结构单元, 其数量随着Ge含量的增加而迅速减少, 并最终在Ge₁₅Sb₂₀Se₆₅玻璃结构中消失; Ge和Sb原子分别以GeSe_4/2 四面体和SbSe_3/2三角锥结构单元在玻璃结构中出现, GeSe_4/2四面体结构单元的数量会随着Ge浓度的增加而增加, 而SbSe_3/2三角锥结构单元的数量基本保持稳定. 另一方面, 在缺Se的硫系玻璃中, 玻璃会有Ge–Ge和Sb–Sb同极键产生, 随着Ge含量的增大, 这种同极键的数量会越来越多; 而GeSe_4/2四面体和SbSe_3/2三角锥结构的数量则相应减少. 在所有玻璃样品的结构中均有同极键Se–Se的存在. 当玻璃组分越接近完全化学计量配比时, 异质键Ge–Se和Sb–Se将占据玻璃结构中的主导地位, 同极键Ge–Ge, Sb–Sb和Se–Se 的比例降为最小.     

准分子激光辐照PVDF的拉曼和红外光谱研究

通过测量KrF准分子激光辐照前后PVDF的拉曼光谱和红外光谱,分析了PVDF经激光辐照后表面电导率大幅度提高的机理;采用逐点扫描拉曼成像技术,确定出激光辐照后PVDF的导电层厚度约为7.5μm。在拉曼光谱、扫描电镜和X射线能谱综合表征基础上,发现激光辐照后PVDF表面呈现出复合型微结构。     

Yb-C_(60)插入化合物的拉曼光谱研究

本文主要对 Ybx C6 0 插入化合物在室温下的拉曼散射的实验结果进行了分析和讨论。名义组分为 Yb3C6 0 的化合物是超导相 ,可观测到由电 -声子相互作用引起的拉曼谱线展宽。高Yb组分的 Ybx- C6 0 ( x≥ 4)的拉曼谱线的展宽则更为严重 ,这表明 C6 0 分子已发生了严重的畸变。当 Ybx C6 0 样品暴露于空气中时 ,虽然该样品已变成了非晶态 ,但 C6 0 分子的畸变已大大的减小了。     

~(60)Co γ射线铅的吸收系数测量实验的数据拟合

介绍了计算60 Co的γ射线物质吸收系数的方法.利用NaI(Tl)闪烁晶体探测器测量60 Co元素放射的1.17MeV和1.33MeV两种γ射线的初始强度比,通过数据拟合法和分别测量法测定了铅片对2种γ射线各自的吸收系数,并分别将2种测量单能射线吸收系数的方法得出的结果同标准吸收系数进行了比较,新的数据拟合法优于原来的分别测量法.     

Co2+-L-赖氨酸的合成及其X射线光谱研究

本文以氯化钴和Ｌ－赖氨酸为原料,合成了Ｃｌ＾２＋－Ｌ＝赖氨酸配合物,对配合物进行了钴含量的测定,并且观测了配合物的Ｘ射线光谱,确定了钴离子与Ｌ－赖氨酸的配位形式。     

~(60)Co-γ射线辐照CMOS有源像素传感器诱发暗信号退化的机理研究

对某国产0.5μm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)N阱工艺CMOS有源像素传感器的电离总剂量效应进行了研究,通过60Co-γ射线辐照试验,着重分析了对辐射最敏感的暗信号和暗信号非均匀性随总剂量退化的物理机理.实验发现,随着辐照剂量的增加,暗信号和暗信号非均匀性显著退化,并且静态偏置条件下器件的辐射损伤最大.暗信号退化的主要原因是光电二极管pn结和复位晶体管源端N+/Psub结表面边界周围的SiO2产生了大量的界面态;暗信号非均匀性显著退化是由于光电二极管的暗信号增大引起.上述工作可为深入研究CMOS有源像素传感器的抗辐射加固及其辐射损伤评估提供参考.