模拟水中白铜B30耐蚀性影响因素的光电化学研究

用动电位伏安法和光电化学方法对模拟水中白铜B30耐蚀性影响因素进行了研究. 白铜B30表面膜显示p-型光响应, 光响应来自电极表面的Cu₂O层, 在模拟水溶液中表面膜的半导体性质会发生转变, 由p-型转为n-型; 在不同 Cl^－, SO₄^2－浓度的模拟水溶液中, 电位正向扫描时呈现阳极光电流, 电位负向扫描时随着Cl^－, SO₄^2－离子浓度的增加, 光响应由p-型向n-型转变, 阳极光电流峰面积与阴极光电流峰面积之比增大, 耐蚀性能降低; 随着温度的升高, 白铜B30的耐蚀性能降低; 在pH＝7～9之间, 其耐蚀性能随着pH的升高而提高, 当pH＞9时, 其耐蚀性能随着pH的升高呈降低趋势.     

聚天冬氨酸与钨酸钠复配对白铜B10的缓蚀作用

应用光电化学的方法研究了两种环境友好型缓蚀剂聚冬天氨酸(PASP)和钨酸钠(Na2WO4)的单一配方及其复配对白铜B10在硼砂-硼酸缓冲溶液中的缓蚀作用援研究表明, 在光电流循环伏安测试中, 单一的PASP与Na2WO4均能够使B10表面Cu2O膜引起的p型光电流响应增大, 这说明缓蚀剂增大了Cu2O膜的厚度, 使B10的腐蚀速率减小. 单一的PASP与Na2WO4的最佳添加浓度分别为3和5 mg·L-1, 单一的Na2WO4比单一的PASP使p型光电流响应增大趋势更大. 若以总浓度为5 mg·L-1时对两者进行复配, 当PASP与Na2WO4的质量浓度比为1:1和1:3时, 两者复配比单一使用时的p型电流光响应都更大, B10的腐蚀更小, 即缓蚀剂的效果更好. 交流阻抗测试结果与光电化学测试相一致.     

卟啉及其光电化学研究进展

卟啉及金属卟啉在自然界中广泛存在,其光学、电化学等特性可通过分子结构中多个反应位点进行调控. 随着全球能源环境问题日益凸显,卟啉在太阳能电池、光催化制氢领域的研究成为热点. 本文简介了作者课题组近年来通过国内外合作开展的D-π-A结构卟啉分子结构改性及其对光电化学性质和器件光伏特性影响的进展,并对未来卟啉光电化学研究的发展进行了简要的探讨.     

铜镍和铜钴合金电极在碱性介质中的光电化学

用动电位伏安法对含镍量10％、30％和50％的铜镍合金以及含钴量5.1％、9.7％、15 ％、25％和40％的铜钴合金电极在硼砂-硼酸缓冲溶液（pH 8.5）中的光电化学行为进行了 研究.铜镍合金和铜钴合金均显示p-型光响应,铜镍合金的光响应来自Cu2O,铜钴合金的光 响应来自Cu2O和氧化钴.含镍量10％和30％的铜镍合金电极以及含钴量5.1％铜钴合金电极的 最大光电流iph,max均大于纯铜电极,含钴量15％、25％和40％的铜钴合金电极以及含镍量 50％的铜镍合金电极由于电极表面相当一部分面积分别被氧化钴和氧化镍所占有,iph,max 小于纯铜电极.铜镍合金电极的φv值（电位负向扫描过程中电极表面完全还原为Cu时的电位 ）负于纯铜电极,而铜钴合金电极的φv值与纯铜电极大致相等, NiO的存在致使铜镍合金 表面Cu2O膜具有更大的稳定性.从光电化学角度通过φv和iph,max反映铜合金的耐腐蚀性能 与交流阻抗法测得的结果相符.     

噻吩光电化学聚合的研究

噻吩在水溶液中先经低聚反应,生成的低聚合物再在阳极氧化成膜,光照可促进低聚合物的形成,使噻吩在Pt、Au基低上选择性地进行光电聚合。即在低于噻吩电聚合电位下,形成明显光照点的聚噻吩膜。     

聚天冬氨酸与钨酸钠复配对黄铜缓蚀作用的光电化学研究

应用光电化学的方法研究了两种环境友好型缓蚀剂聚天冬氨酸(PASP)和钨酸钠(Na2WO4)的单一配方及其复配对黄铜在含硼砂硼酸缓冲溶液的模拟水中的缓蚀作用. 结果表明, 在光电流循环伏安测试中, 单一的PASP与Na2WO4均能够使黄铜表面Cu2O膜引起的p-型光电流响应增大, 这说明缓蚀剂增大了Cu2O膜的厚度, 使黄铜的腐蚀速率减小. 单一的PASP与Na2WO4的最佳添加浓度分别为20与25 mg•L－1. 若以总浓度为20 mg•L－1时对两者进行复配, 当PASP与Na2WO4的质量比为1∶1时, 两者复配比单一使用时的p-型电流光响应都更大, 黄铜的腐蚀更小, 即缓蚀剂的效果更好.     

聚噻吩的光电化学研究

导电聚合物是由一些具有共轭π键的聚合物经化学或电化学掺杂后形成的导电率可从绝缘体延伸到导体范围的一类高分子材料。其中噻吩及其衍生物具有导电率高、环境稳定性好、成膜性好、禁带宽度小等特点,是用做光伏电池的理想材料。相继报道的有聚3-甲噻吩[1]、聚3-己基噻吩[2],聚(3-十一烷基-2,2’-并噻吩)[3]等。对于聚噻吩的光电化学性质的研究,在国际上很少见报道,国内尚未见报道,本文对聚噻吩(PTh)的光电化学性质进行了研究。1实验部分1.1仪器与试剂光电化学实验采用带石英窗口的三电极电解池,工作电极为ITO/PTh膜电极,参比电极为饱和…     

铜电极在含苯并三唑的硼砂-硼酸缓冲溶液中的光电化学行为研究

用光电化学方法研究了铜电极在含苯并三唑(BTA)的硼砂—硼酸缓冲溶液中的光电化学行为.BTA能使铜电极的光响应由p-型转变为n-型.产生光响应的原因是铜电极表面的Cu_2O膜, 当BTA存在时由于BTA的作用致使电极表面Cu_2O膜中共存着P-型和n-型区域,电位正移和频率增加导致电极显示n-型光响应.     

光电化学传感器的研究进展

光电化学传感器是基于物质的光电转换特性确定待测物浓度的一类检测装置．光电化学检测方法灵敏度高、设备简单、易于微型化,已经成为一种极具应用潜力的分析方法．本文主要介绍光电化学传感器的基本原理、特点、分类,并对有代表性的研究和发展前景做了总结和评述．     

聚天冬氨酸和钨酸钠复配对3%NaCl溶液中白铜B10的缓蚀作用

应用交流阻抗法和极化曲线法,研究了两种环境友好型水处理药剂,即聚冬天氨酸(PASP)和钨酸钠的单一配方及其复配对白铜(B10)在3%NaC l溶液中的缓蚀效果.研究表明:单一聚冬天氨酸或钨酸钠配方对B10均具有一定的缓蚀效果,其中聚冬天氨酸以浓度为40 mg/L,钨酸钠以浓度为60 mg/L时的缓蚀效果最佳.总浓度为40 mg/L的两者复配具有更加明显的缓蚀效果并显示出协同效应,其中以聚冬天氨酸与钨酸钠配比为3∶1的缓蚀效果最佳.     

AZ31和AZ61镁合金在模拟海水中的腐蚀电化学行为

应用极化曲线、电化学阻抗谱方法研究了两种Mg-Al-Zn系合金——AZ31和AZ61在模拟海水中的腐蚀电化学行为.根据两种镁合金在浸泡过程中腐蚀介质pH值的变化以及扫描电子显微镜对合金微观金相组织和腐蚀形貌的观察,讨论了镁合金的腐蚀机理及合金元素Al的含量对镁合金耐蚀性能的影响.结果表明,AZ61镁合金具有比AZ31镁合金更好的耐蚀性能,其原因主要是AZ61镁合金中Al含量较高使合金的微观组织结构更有利于耐蚀性能的提高.     

聚3-甲基噻吩的光电化学研究

利用光电化学方法研究了聚3-甲基噻吩的光电化学性质.其禁带宽度为1.93 eV.同时确定了它的价带、导带位置.研究还发现聚3-甲基噻吩属于直接跃迁半导体,具有很好的光电流稳定性.得到的最高IPCE值近1.0%.     

B10合金的硫酸盐还原菌腐蚀研究

利用电化学方法研究了B1 0合金在含有硫酸盐还原菌的PostgateC培养基中的腐蚀电化学为 .结果表明 ,在有菌培养基中 ,B1 0合金的腐蚀电位剧烈负移 ,腐蚀速率显著增加 ,同时 ,由于硫化物覆盖层的形成 ,其阳极极化曲线出现“钝化”现象 .电子探针测量表明合金发生了镍和铁的选择性溶解 ,腐蚀形貌呈海绵状     

聚二甲基二烯丙基氯化铵对于模拟油田聚驱污水的絮凝性能

用絮凝剂二甲基二烯丙基氯化铵(DMDAAC)的均聚物和共聚物处理了模拟油田聚驱污水.考察了影响絮凝效果的因素,并进行了与无机絮凝剂的复配研究.实验结果表明:DMDAAC的均聚物和共聚物的最佳絮凝温度分别为30℃和33℃;最佳投药量范围与污水中部分水解聚丙烯酰胺浓度有关;残留聚合物含量低,阳离子度高时,絮凝效果较好;与聚合氯化铝(PAC)的复配可以实现优势互补,达到较理想的聚驱污水处理效果.     

(7R,10S)-Boivinianin B的不对称合成

报道了一种基于Dehydro-α-curcumene(4)为关键中间体, 以Sharpless不对称双羟化反应和碘催化的分子内环化成醚反应为关键步骤, 构建2,2,5位三取代的四氢呋喃骨架的方法, 完成了(7R,10S)-Boivinianin B(1)的不对称合成. 合成路线简捷, 对此类化合物的合成有一定的借鉴意义.