首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 51 毫秒
1.
介绍了一种新型的、利用并联梳齿结构驱动的静电型微继电器及其制造工艺.通过优化并联梳齿结构的几何尺寸,可以使微继电器的阈值电压降低到5V.该微继电器的主体部分使用一套表面牺牲层标准工艺制造,同时,使用溅射工艺制作Au接触电极,可以使接触电阻降到100 mQ以下,增加了微继电器的使用寿命.由于该微继电器的驱动电压和制造工艺都和普通集成电路的驱动电压和制造工艺相兼容,因此两者在产业化生产中可以很容易地被集成在同一芯片上.  相似文献   

2.
李洋  许高斌 《微纳电子技术》2007,44(7):255-256,287
介绍了一种新型的、利用并联梳齿结构驱动的静电型微继电器及其制造工艺。通过优化并联梳齿结构的几何尺寸,可以使微继电器的阈值电压降低到5V。该微继电器的主体部分使用一套表面牺牲层标准工艺制造,同时,使用溅射工艺制作Au接触电极,可以使接触电阻降到100mΩ以下,增加了微继电器的使用寿命。由于该微继电器的驱动电压和制造工艺都和普通集成电路的驱动电压和制造工艺相兼容,因此两者在产业化生产中可以很容易地被集成在同一芯片上。  相似文献   

3.
介绍了一种MEMS电磁驱动微继电器,这种继电器体积小、易于集成.它采用双层1 mm×1 mm平面线圈和吸合式坡莫合金悬臂梁结构,层间用聚酰亚胺作绝缘材料.文中介绍了器件的工作原理,建立了磁路的仿真模型,据此计算确定了气隙宽度和悬臂梁厚度.采用表面微加工和微电铸工艺制作了器件.  相似文献   

4.
介绍了一种电磁驱动型MEMS可调光衰减器,该器件通过调节微挡光片在光路中的位置控制衰减量.以铜作为牺牲层,由电镀铁镍作为结构层的非硅表面微加工微技术被应用于挡光片的制作上,此项技术与硅的体加工技术相结合有望降低器件的加工成本.此外,还分析了该可调光衰减器的衰减机理,理论计算结果与实验数据基本吻合.实验测得样机性能为,插入损耗低于3 dB,动态范围大于40 dB,回波损耗大于40 dB.  相似文献   

5.
基于MEMS技术的微镜在投影显示、光学扫描和光通信等领域中都具有重要的应用价值。本文提出了一种新型的静电驱动的单轴扭转微镜,这种MEMS微镜采用标准体硅工艺和绝缘连接工艺制成。由于驱动力作用线和扭转中心之间存在一定的距离,使得微镜在梳齿驱动器的横向静电力驱动下,发生一定角度的扭转。测试中发现了微镜初步设计中的薄弱环节,经过改进后可望进一步改善微镜的性能。  相似文献   

6.
MEMS微继电器及其关键问题研究现状   总被引:1,自引:0,他引:1  
通讯等应用领域微型化的需求和微机械加工技术的进步推动了基于微机电系统(MEMS)技术的微继电器的快速发展。介绍了国外MEMS微继电器的研究现状,分析了不同类型MEMS微继电器的特点,讨论了MEMS微继电器的基本结构特征和关键问题,并分析了MEMS微继电器的发展趋势和面临的挑战。  相似文献   

7.
驱动电压过高是MEMS微镜需要解决的重点问题。根据平板静电驱动器原理,设计了一种新型三层电极平板结构的静电驱动MEMS微镜,分析了此微镜系统的静态特性和动态特性。此微镜系统的设计驱动电压为6.3V,动态响应时间达到1.2ms。  相似文献   

8.
方东明  付世  周勇  赵小林 《半导体学报》2007,28(9):1454-1458
利用简单MEMS技术制作了高品质因数的射频可调微机械电容.此电容由静电驱动,利用WYKO NT1100光学表面轮廓仪测量在不同外加直流电压下可变电容的表面轮廓和位移等信息.测试结果表明,电容的吸合电压为13.5V,电容可调比为1.31∶1,在1GHz下品质因数为51.6,电容值为0.79pF.  相似文献   

9.
方东明  付世  周勇  赵小林 《半导体学报》2007,28(9):1454-1458
利用简单MEMS技术制作了高品质因数的射频可调微机械电容.此电容由静电驱动,利用WYKO NT1100光学表面轮廓仪测量在不同外加直流电压下可变电容的表面轮廓和位移等信息.测试结果表明,电容的吸合电压为13.5V,电容可调比为1.31∶1,在1GHz下品质因数为51.6,电容值为0.79pF.  相似文献   

10.
基于微机械的多孔硅牺牲层技术   总被引:3,自引:0,他引:3  
多孔硅作为一种牺牲层材料 ,在表面硅微机械加工技术中有着重要的应用。文中综合讨论了三种不同的多孔硅牺牲层技术 ,并用后两种“在低掺杂衬底上的多孔硅牺牲层技术”,制作了良好的悬空微薄膜结构 ,同时对多孔硅表面的薄膜淀积 ,和制备过程中的掩膜材料等进行了分析 ,为利用多孔硅工艺制作各种 MEMS器件奠定了基础。  相似文献   

11.
一种微型电磁继电器的制作和仿真   总被引:1,自引:1,他引:0  
介绍一种基于MEMS技术的微型电磁继电器的制造工艺和仿真过程。这种微继电器主要由平面方形线圈、固定电极和活动电极构成 ,依靠线圈的激励电流来控制其开关动作。微继电器的大小约是 4mm× 4mm× 0 .5mm ,工艺比较简单 ,主要采用光刻、蒸镀、电镀和腐蚀牺牲层等普通的微加工技术来完成。另外 ,还进行了有关激励线圈对活动电极所产生电磁力的理论计算和仿真 ,以便从这些结果中得到活动电极和线圈之间的优化数据  相似文献   

12.
微型电磁继电器的制作和仿真分析   总被引:4,自引:0,他引:4  
张宇峰  李德胜 《半导体学报》2002,23(12):1298-1302
介绍了一种基于MEMS技术的微型电磁继电器的制作过程和仿真分析.这种微继电器的大小约是4mm×4mm×0.5mm,主要采用普通的微加工技术来完成全部制作工艺.与传统继电器相比,这种继电器采用平面线圈来代替螺线管线圈,有利于MEMS工艺,并且提出了一种双支撑的悬臂梁结构做为活动电极,具有较高的灵敏性和稳定性.另外,还进行了一些有关线圈通过激励电流后对活动电极产生电磁力的理论计算和仿真分析,利用这些结果可以对这种电磁继电器的结构和参数进一步优化.  相似文献   

13.
介绍了一种基于MEMS技术的微型电磁继电器的制作过程和仿真分析.这种微继电器的大小约是4mm×4mm×0.5mm,主要采用普通的微加工技术来完成全部制作工艺.与传统继电器相比,这种继电器采用平面线圈来代替螺线管线圈,有利于MEMS工艺,并且提出了一种双支撑的悬臂梁结构做为活动电极,具有较高的灵敏性和稳定性.另外,还进行了一些有关线圈通过激励电流后对活动电极产生电磁力的理论计算和仿真分析,利用这些结果可以对这种电磁继电器的结构和参数进一步优化.  相似文献   

14.
An electrostatically actuated microrelay with large displacement, small actuation voltage and limited plate surface dimensions is designed to meet stringent telecommunication switching requirements. Fabrication feasibility and performance characteristics of the device are evaluated using a commercial CAD for MEMS tool. Simulation results of the device performance including pull-in voltages for different suspension stiffness variations, natural frequencies, stresses and restoring forces are presented.  相似文献   

15.
介绍一种微电磁继电器的结构和工作原理。应用ANSYS软件对这种微继电器的蟹脚型悬臂梁进行静力学和动力学性能分析,得到结构参数对其机械性能影响的关系曲线,初步确定该结构的模型。仿真结果表明,在工况相同的情况下,它的最大位移量随梁厚、梁宽的增大而减小,随梁胫、梁股的增大而增大,一阶模态频率随这些参数的变化正好相反。此法也适于对其它类型悬臂梁的分析。  相似文献   

16.
一种使用平面线圈结构的微型电磁继电器   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
张宇峰  李德胜 《电子器件》2002,25(3):214-219
本文介绍一种采用平面线圈结构的微型电磁继电器的制造工艺和理论分析。这种继电器的大小大约是 4mm× 4mm× 0 .5mm ,工艺比较简单 ,主要采用光刻、蒸镀、电镀和腐蚀牺牲层等普通的微加工技术来完成全部制作工艺。因此可以大大地降低继电器的生产成本、物理尺寸和制造的复杂性。另外 ,还进行了一些有关线圈通过激励电流后对活动电极产生电磁力的理论计算和仿真 ,利用这些结果可以对这种电磁继电器的结构和参数进行优化设计  相似文献   

17.
微静电驱动器作为MEMS中一个重要的功能实现器,是当前MEMS中研究的热点。文章基于二维模型结合垂直平移刚度及转动刚度两方面综合考虑,对静电微驱动结构单元的面不平稳性及最大静态位移进行了研究分析。其最大静态位移与叉指间距,初始重叠长度以及弹性系数比有关,分析了理论结果并通过FEM进行验证。  相似文献   

18.
研究了砷化镓基毫米波MEMS开关的表面工艺方法,包括MEMS开关的工艺流程中的牺牲层技术、结构层技术、触点技术、薄膜电阻技术。重点阐述了以光敏聚酰亚胺作牺牲层和以电镀金作结构层的工艺制作方法。形成了砷化镓RF MEMS开关表面工艺流程,制作出了RF MEMS开关样品。开关驱动电压为60 V,35 GHz时的插入损耗<0.2 dB,隔离度>18 dB。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号