四氰基醌二甲烷修饰碳糊电极电催化氧化测定多巴胺

以四氰基醌二甲烷(TCNQ)作介体,制成TCNQ修饰碳糊电极.研究该电极的性能.该电极对多巴胺(DA)有良好的电催化氧化作用,在DA浓度6.75×10~5～6.75×10~(-3)mol·L~(-1)内,催化电流与DA浓度呈线性关系.响应时间小于10s.该电极用于针剂中多巴胺测量,结果较好.     

苯在固定床反应器内电解制备对苯二醌

苯在固定电化学反应氧制备对苯二醌，阳极和阴极分别为多孔铅合金和铅粒。是解液是１ｍｏｌ／ｌ硫酸水溶液，苯分散于电解液中。最佳电解条件：电解液流速ｕ＝０．１９ｍ．ｓ＾－１，反应器厚度Ｌ＝１０ｍｍ，电极电位Ｅ＝１．６Ｖ，电流Ｉ＝１０Ａ和苯含量ＣＢ＝２４％，电流效率ＣＥ是６２．９％。     

亲电性对醌二甲烷与富电子烯烃的电荷转移聚合

概述了亲电性对醌二甲烷与富电子烯烃电荷转移聚合的最新进展，着重介绍聚合的一般特征、引发机理、链增长机理，以及单体结构、溶剂对聚合反应的影响。     

聚电解质中阳离子浓度对7,7,8,8-四氰基苯醌二甲烷现场显微红外光谱的影响

用现场显微红外光谱电化学技术研究了聚电解质中TCNQ在电化学还原过程中二价阴离子与Li~+离子之间形成的离子对.离子对效应随阳离子浓度增加而增大.观察到一个文献中未曾报道的谱带位于2130cm~(-1)附近.     

喹啉氧基并四苯二醌的合成和光致变色性质

喹啉氧基并四苯二醌的合成和光致变色性质;并四苯二醌; 喹啉; 光致变色; 光异构化     

胱氨酸与7,7,8,8-四氰基对苯醌二甲叉的荷移反应研究

采用分光光度法研究了胱氨酸与7,7,8,8-四氰基对苯醌二甲叉(TCNQ)的荷移反应。通过实验可知,在硼砂缓冲溶液中,室温下反应30min可获得稳定的1∶1的络合物,其λmax=425nm,表观摩尔吸光系数ε=4.4×103 L·mol-1·cm-1,线性范围为10~40μg·mL-1,探讨了荷移反应的机理,研究了该荷移络合物的结合常数和热力学性质。应用拟定的方法测定了胱氨酸片中胱氨酸的含量,经t-检验法检验,结果与文献方法无显著性差异,回收率为94.54%~101.2%。     

蒽-对二氰基乙烯基苯激基复合物的形成与能量传递

本文设计合成了三个以不同链长相连接的蒽-对二氰基乙烯基苯(An-DCVB)化合物。利用吸收光谱,荧光光谱,激光闪光光解和单光子计数器等证实An-DCVB受光激发,发生分子内电子转移,生成激基复合物且发现有三重态能量传递,描述了分子内电子转移的主要途径,研究并探讨了An-DCVB的三种不同连接链长对分子构象,激基复合物的形成以及三重态能量传递的影响。     

波纹状银纳米线的制备及其SERS性能研究

首先通过传统的多元醇方法合成了表面光滑的银纳米线,然后利用Fe（NO₃）₃作为刻蚀剂在室温条件下对合成的银纳米线进行刻蚀得到了具有波纹状表面的银纳米线. 通过扫描电镜（SEM）分析表明：银纳米线的表面粗糙程度随着刻蚀剂量的增加而增加,但过量的刻蚀剂又会导致纳米线的断裂甚至形成球状颗粒;当刻蚀剂的量为100 μL时,获得了波纹状表面的银纳米线. 对结晶紫（CV）的表面增强拉曼光谱（SERS）结果表明,这种波纹状银纳米线的拉曼信号强度比表面光滑的银纳米线提高了约5倍,其检测限可低至10^-10 mol/L. 此外,这种优势还可以延伸到敏感性检测10^-9 mol/L的对巯基吡啶（4-Mpy）分子,可以作为一种普适、有效的SERS活性基底.     

2-甲基-6-(3-甲基-2-丁烯基)对苯二醌的合成

以邻甲基苯酚为原料,与1-氯-2-甲基-2-丁烯反应生成2-甲基-6-(3-甲基-2-丁烯基)苯酚,然后催化氧化得到目标产物2-甲基-6-(3-甲基-2-丁烯基)对苯二醌。该合成路线简单,易于操作,最终收率51%。     

液相法制备取向ZnO纳米线阵列的场发射特性(英文)

采用水热合成工艺,在不同条件下制备了不同的一维取向ZnO纳米线阵列样品.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及透射电镜(TEM)对样品的晶体结构和形貌等进行了表征,对样品的场发射特性进行了分析和比较,并用Fowler-Nordheim方程对影响ZnO纳米线场发射的因素进行了研究.结果表明,具有较低生长密度分布、较高的长径比和较尖锐生长端的ZnO纳米线阵列样品具有较好的场发射特性.     

La或N掺杂SiC纳米线的制备、场发射性能及第一性原理计算

采用化学气相沉积法和气相掺杂法, 分别制备了La 或N掺杂的SiC 纳米线. 利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线能量色散谱(EDS)分析和X射线衍射(XRD)等测试手段对两种产物的微观形貌、元素组成和物相结构进行了系统表征. 以合成产物作为阴极, 对其场发射性能进行测试, 结果表明: SiC 纳米线的开启电场值和阈值电场值由未掺杂的2.3、6.6 V·μm^-1分别降低为1.2、5.2 V·μm^-1(La 掺杂)和0.9、0.4 V·μm^-1(N 掺杂). 采用Material Studio 软件中的Castep 模块建立(3×3×2)晶格结构模型, 对未掺杂、La 或N掺杂SiC 的能带结构和态密度进行计算, 结果显示: La或N掺杂后, 在费米能级附近产生了新的La 5d或N 2p掺杂能级, 导致禁带宽度(带隙)变窄, 使得价带电子更容易跨越禁带进入导带, 从而改善SiC纳米线的场发射性能.     

微波消解-电感耦合等离子体发射光谱测定铜精矿中的银

铜精矿试样利用HCl和HNO3混酸于微波消解仪中进行溶解,电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)法测定铜精矿中的银含量。试验了不同比例消解体系的消解效果,研究了不同浓度铁、铜基体的影响,结果表明王水体系消解效果最佳,1 000mg/L以下的铁、铜或铁、铜的混合基体对银的测定没有影响,10%HCl体系作为测定酸度。该方法对银的线性范围为0.73~1 500g/t,标准物质测定值与标准值无显著性差异。该方法前处理试剂消耗少、速度快,分析浓度范围宽,可用于铜精矿中银的快速测定。     

石墨烯/类金刚石碳复合薄膜的电化学沉积及其场发射性能

采用液相电化学方法在硅基底上制备了石墨烯掺杂的类金刚石碳复合薄膜,探讨了电化学沉积复合薄膜的机理。利用扫描电子显微镜（SEM）、拉曼光谱（Raman）、透射电子显微镜（TEM）和傅里叶变换红外（FTIR）光谱技术对薄膜表面形貌和微观结构进行了分析表征。结果表明,石墨烯片均匀分散沉积在含氢类金刚石碳（a-C：H）基体中,沉积的石墨烯/类金刚石（G/a-C：H）复合薄膜表面相对均匀平整。场发射测试显示石墨烯掺杂使开启电场从4.7 V·μm^-1增加至5.8 V·μm^-1,场发射电流密度从384 μA·cm^-2显著增加至876 μA·cm^-2。     

纳米银碗阵列结构的高效制备及荧光增强性能

报道了一种以自组装单层聚苯乙烯纳米微球阵列为模板, 通过真空热蒸镀银纳米粒子高效制备大面积银碗阵列结构的方法. 测试结果表明, 制得的银碗阵列结构为微纳米复合分级结构, 银碗由平均粒径为10 nm的银纳米粒子组成. 紫外-可见吸收光谱测试结果表明, 银碗阵列结构表面具有银纳米粒子的局域表面等离子体共振吸收峰. 将荧光分子N,N'-二正丁基喹吖啶酮(DBQA)分别蒸镀到普通银膜和银碗阵列结构表面并测试了荧光光谱. 结果表明, 在银碗阵列结构表面的荧光分子强度得到了显著增强, 说明制备的银碗阵列结构是优良的荧光增强基底.     

中性载体双(N-乙基-N-苯基氨基二硫代甲酸)1,4-丁二醇酯PVC膜银离子选择电极的研制

采用双层膜电位法直接测定了溶剂聚合物膜中载体双(N-乙基-N-苯基氨基二硫代甲酸)1,4-丁二醇酯与金属离子生成的络合物生成常数。制备并考察了以双(N-乙基-N-苯基氨基二硫代甲酸)1,4-丁二醇酯为载体的银离子选择性电极的性能。实验结果表明:该选择电极对银离子有良好的灵敏度和高选择性,在1×10-3~1×10-6mol/L的浓度范围内响应斜率为60.2 mV/paAg+,检出限为2.3×10-7mol/L,碱金属、碱土金属及过渡金属离子不干扰银的测定。该电极可作为Ag+准确滴定卤素阴离子的电位滴定指示电极,用于维生素B1药片中维生素B1含量的测定。     

Facile Approach to Conductive Diamond Submicro-rods Arrays and Their Field Emission Properties

The authors presented a facile approach to prepare highly-ordered sub-micrometer scaled cylindrical diamond arrays based on a chemical vapor deposition method,where the accurate control of the style of crystal seeds dispersion and the growth time are very crucial.The as-prepared diamond array showed good conductivity which was originated from the proper boron doping,and moreover,it exhibited good field emission property with low turn-on field and high emission current.Importantly,this approach can be easily...     

碳纳米管阵列的气相沉积制备及场发射特性

运用酞菁铁热解法气相沉积制备了碳纳米管阵列.所得碳纳米管呈多壁结构.单根碳纳米管的平均直径约为25 nm，长度约4～5 μm，且具有很好的准直性.研究了碳纳米管阵列的平面场发射特性，相应的开启电压和阈值电压分别为1.28和2.3 V•μm－1，表明碳纳米管具有很强的场发射能力.利用场发射显微镜观察了碳纳米管阵列的场发射像，发现碳纳米管阵列的场发射主要集中在样品薄膜的边缘部位.这是由于碳纳米管密度过大而产生的屏蔽效应所致.     

Resistivity and Field Electron Emission of Nanowires Formed by Electron Beam Induced Chemical Vapor Deposition

"Self-standing iron nanowires were fabricated at the apex of a tungsten needle tip by electron beam induced deposition. This sharp needle tip which adhered to the nanowire can be moved with a stepping motor and piezo-driving device, and was attached inside a specially designed transmission electron microscope pecimen holder. A copper conductor substrate, with which the approaching nanowires will build up a closed electric circuit, was set on the holder. The tungsten needle tip accompanied with the EBICVD nanowires made contact with the substrate and then a voltage was applied between the two electrodes. Resistivity values of the examined nanowires, by a devised Lock-in-Amplifier circuit, range from 0.1 -m to 10-3 -m. Our investigation might have implications in the fabrication and characterization of nano-electronics device. Precursor with phenanthrene (C4H10) was used and the deposition experiment was done using a scanning electron microscope at room temperature. It was found that the surface structure at the top of the nanorod, such as a small protrusion within only several nanometers scale, has significant influence on the field emission property. An emission current of several tens of nano-ampere flowing through this nanorod could induce resistance heating. In several minutes, this thermal energy could transform the original amorphous carbon into a graphite-like structure embedded with fullerenes. The turn-on voltage of the graphite-like nanorod was about 11 V less than that of the original amorphous case."     

First-Principles Study of Field Emission from Zigzag Graphene Nanoribbons Terminated with Ether Groups

Field emission properties of zigzag graphene nanoribbons terminated with C-O-C ether groups (including cyclic and alternative ether groups at edge, denoted as ZGNR-CE and ZGNR-AE) are studied by adopting a self-consistent method based on density functional theory calculation. The results show that the field emissions of these two nanoribbons are dominated by states around Brillouin zone center and close to Fermi level. Because of lower work function, the ZGNR-CE can produce much stronger emission current than recon-structed zigzag graphene nanoribbon. The ZGNR-AE has nearly completely spin-polarized emission current, although its emission current is not strong enough. It is also found that under the lower E-field, the uniaxial strain can effectively modulate their emission currents but the spin polarization of ZGNR-AE keeps unchanged with the varied strain. The under-lying mechanisms are revealed by combining the analyses of their work functions and bandstructures with edge dipole model.