129Xe30+轰击Ni表面激发靶原子偶极跃迁和禁戒 (M1和E2)跃迁的特征光谱线

报道了用高电荷态离子129Xe30+(150keV) 轰击金属Ni表面，激发的200—1000nm NiⅠ和NiⅡ的特征光谱线的实验结果.实验结果表明：用电荷态足够高的离子作光谱 激发源，无需很强的束流强度（nA量级），便可有效地产生原子和离子的复杂组态间跃迁所 形成的可见光波段的特征谱线，特别是NiⅠ和NiⅡ偶极禁戒的电四极跃迁E2和磁偶极跃迁M1 的特征光谱线.通过分析发现，在禁戒跃迁的谱线中，有些是电子组态相同而原子态不同的 偶极禁戒跃迁光谱线而且NiⅡ的684.84nm谱线较强. 关键词： 光谱 禁戒跃迁 电子组态 高电荷态离子     

126Xeq+轰击Al表面产生的原子和离子光谱线

报道了高电荷态离子^126Xe^q (6≤q≤30)入射到固体Al表面产生的200～1000nm波段的发射光谱的实验结果。实验表明,在弱束流(nA量级)高电荷态的情况下,通过入射离子与固体靶的相互作用可有效地产生原子和离子的复杂组态间跃迁所形成的可见光波段的特征谱线,而且当入射离子的电荷剥离数超过一临界值后(对Al,q=26),谱线相对强度突然显著增强。根据经典过垒模型COB(The classic over-barrier model),在入射离子的动能较小(～1keV／u)的条件下．高电荷态离子与表面相互作用过程中电子的俘获或转移起着非常重要的作用,通过提高入射离子的电荷态可增强入射离子俘获电子的能力．显著增强激发粒子的光谱线的强度。     

129Xeq+离子入射Cu靶表面激发的近红外光谱线和X射线谱

利用动能一定(1360 keV)的高电荷态¹²⁹Xe^q+(q=21,23,25,27)离子束和动能为4 MeV的¹²⁹Xe²⁰⁺离子束分别入射洁净的Cu靶表面,流强为nA量级,离子在飞秒时间尺度内俘获靶电子完成中性化,能量沉积在靶表面使靶原子离化和激发,发生复杂组态之间的跃迁.测量到了炮弹离子中性化后的Xe原子退激跃迁辐射的近红外光谱线和相互作用过程中激发和离化的靶原子退激辐射的近红外光谱线,其中包括偶极禁戒跃迁(磁偶极和电四极跃迁)和Cu²²⁺的磁偶极退激辐射跃迁的近红外光谱线.4 MeV的¹²⁹Xe²⁰⁺离子入射Cu靶表面,测量到Cu²²⁺的软X射线、Cu原子的L₁ edge和L_b3跃迁辐射的X射线以及高电荷态¹²⁹Xe²⁰⁺中性化后Xe原子退激辐射的L_h和L_b3X射线.结果表明...     

电子束离子阱光谱标定和Ar13+离子M1跃迁波长精密测量

高电荷态离子精细结构跃迁波长的精密测量不仅可以检验量子电动力学(quantum electrodynamics,QED)效应、电子关联效应等基本物理模型,还能够为天体物理、聚变等离子体物理甚至高电荷态离子光钟等研究提供关键原子物理数据.本工作基于复旦大学现代物理研究所的高温超导电子束离子阱(SHHtscEBIT)装置,搭建了一套新的光谱校刻系统,并结合内校刻与外校刻的方法对其光谱波长测量的不确定度进行了评估,新的光谱校刻系统在可见光波段引起的波长不确定度最低达到0.002 nm.在此基础上,使用SH-HtscEBIT装置结合新的校刻系统开展了Ar1³⁺离子1s²2s²2p²P_1/2—²P_3/2磁偶极跃迁(M1)波长的精密测量,实验测得该跃迁波长为(441.2567±0.0026) nm,是目前SH-HtscEBIT上测量精度最高的实验结果,为下一步开展高电荷态离子超精细分裂和同位素位移等精密测量实验奠定了基础.     

类钴氙离子入射Ni表面激发的红外光谱线和X射线谱

当高电荷态类钴氙离子（cobalt like -Xe, Xe²⁷⁺）入射金属Ni表面过程中,共振电子俘获释放势能完成中性化,形成多激发态的Xe原子,其外壳层电子退激辐射红外光谱线.入射离子特殊的势能释放方式、离子动能和金属表面引起离子增益的能量在极短的时间（飞秒量级）沉积靶平方纳米尺度的空间范围,引起靶表面原子激发和电离,形成复杂组态之间的跃迁,特别是偶极禁戒跃迁（电四极跃迁、磁偶极跃）和X射线发射.单离子X射线产额随入射离子的动能增加而增加. 关键词： 高电荷态离子 红外光谱线 X射线 禁戒跃迁     

高电荷态离子129Xe28+与Au和Mo表面作用产生的X射线谱

研究了高电荷态离子129Xe28+轰击金属Au和Mo表面产生的特征X射线谱.实验结果表明,在入射离子的电荷态和能量相同的条件下,对于核电荷数较小、原子质量较轻的靶原子,只有其内壳层的电子才能被激发而产生X射线,而核电荷数较大、原子质量较重的靶原子只有其较外壳层的电子能被激发而产生X射线.特征X射线的产额随入射离子动能的增加而增加.     

129Xe30+与Au作用激发的Au M-X射线 与Xe L-X射线

探测了动能为1.0——7.0 MeV的¹²⁹Xe³⁰⁺ 入射Au表面产生的X射线谱. 实验结果表明, 入射离子动能较高时, 不仅激发出很强的Au的M-X射线, 还激发出了Xe的L-X射线, 且X射线产额与入射离子动能有强相关性. 分析了X射线产额与入射离子动能的关系.     

129Xe20+入射Au表面X射线产额与离子动能的相关性

报道了在兰州重离子加速器国家实验室320kV高电荷态离子综合研究平台上,用2.4~6.0MeV动能的高电荷态离子129Xe20+轰击Au表面,探测X射线谱的实验结果。当离子动能较大时,相互作用不仅激发出了Au的M-X射线,还激发出了Xe的L-X射线,且X射线产额随入射离子动能的增加总体呈增加趋势。对碰撞导致X射线产生的微观机制进行了初步分析。     

129Xe20+入射Au表面X射线产额与离子动能的相关性

报道了在兰州重离子加速器国家实验室320kV高电荷态离子综合研究平台上,用2.4~6.0MeV动能的高电荷态离子129Xe20+轰击Au表面,探测X射线谱的实验结果。当离子动能较大时,相互作用不仅激发出了Au的M-X射线,还激发出了Xe的L-X射线,且X射线产额随入射离子动能的增加总体呈增加趋势。对碰撞导致X射线产生的微观机制进行了初步分析。     

近Bohr速度129Xeq+离子入射Ta靶发射近红外光谱线

用动能一定的高电荷态¹²⁹Xe^q+(17≤q≤27)离子,分别入射洁净的Ta靶表面,测量中性化的激发态Xe原子从组态5p⁵(²P°_3/2) nl退激到组态5p⁵(²P°_3/2) ml’过程中辐射的近红外光谱线.实验结果表明:多激发态的空心原子退激发射其特征光谱线,部分典型的跃迁按照阶梯方式退激.Xe原子发射的谱线的单粒子荧光产额和激发的Ta原子发射谱线的单粒子荧光产额随入射离子电荷态的增加而增加,其增加的趋势与入射离子携带的势能随电荷态增加的趋势一致.证明在近Bohr速度的能区,经典过垒模型是成立的.     

高电荷态离子126Xeq+与Ti固体表面作用的激发光谱

报道用 15 0keV的高电荷态离子1 2 6 Xeq + (6≤q≤ 30 )轰击Ti固体表面产生 2 0 0— 10 0 0nm波段发射光谱的实验结果 .结果显示 ,用电荷态足够高的离子作光谱激发源 ,无需很强的束流强度 (nA量级 ) ,便可激发起样品表面的原子和离子在可见光波段的特征谱线 .当入射离子剥离度q >qc≈ 2 0时 ,Ti原子及其离子的特征谱线强度突然显著增强 ;不同金属靶 ,特征谱线突然增强的qc值不同 .理论分析表明 ,这与q大于此临界值后 ,单电子转移释放能量激发靶材料传导电子气体的表面等离激元密切相关 .     

200 nm-1000 nm spectra of light emitted in the impact of ~(40)Ar~(10+) upon Al and Si solid surfaces

This paper reports the measured results of the 200 nm-1000 nm characteristic spectral lines of Al, Si and Ar atoms when highly charged ions 40Ar10+ are incident upon Al and P-type Si surfaces. The ion 40Ar10+ is provided by the ECR ion source of the National Laboratory of the Heavy Ion Accelerator in Lanzhou. The results show that when the low-speed ions in the highly charged state interact with the solid surfaces, the characteristic spectral lines of the target atoms and ions spurted from the surfaces can be effectively excited. Moreover, because of the competition of the non-radiation de-excitation of the hollow atom by emitting secondary electrons with the de-excitation process by radiating photons, the spectral intensity of the characteristic spectral lines of Ar atoms on the P-type Si surface is, as a whole, greater than that of Ar atoms on the Al surface.     

高电荷态离子126Xeq+与Ti固体表面作用的激发光谱

报道用150keV的高电荷态离子¹²⁶Xe^q+（6≤q≤30）轰击Ti固 体表面产生2 00—1000nm波段发射光谱的实验结果.结果显示，用电荷态足够高的离子作光谱激发源，无 需很强的束流强度（nA量级），便可激发起样品表面的原子和离子在可见光波段的特征谱线 .当入射离子剥离度q>q_c≈20时，Ti原子及其离子的特征谱线强度突然显著增强 ；不 同金属靶，特征谱线突然增强的q_c值不同.理论分析表明，这与q大于此临界值 后，单电子转移释放能量激发靶材料传导电子气体的表面等离激元密切相关. 关键词： 低速高电荷态离子 特征谱线 经典过垒模型 等离激元     

高电荷态离子129Xe29+与不同金属表面作用产生的X射线谱

研究了高电荷态离子129Xe29+入射金属Au、Mo、Be表面产生的特征X射线谱。实验结果表明,在入射离子的动能相同时,Au的Mα1-X射线产额比Mo的Lα1-X、Lα2-X、Lβ 1-X射线总产额高,特征X射线的产额随入射离子动能的增加而显著增加;不同动能的Xe29+入射金属Au、Mo、Be表面均未产生Xe的特征X射线。