类锂离子KLL双电子复合过程研究

采用相对论扭曲波方法,理论研究了高离化态类锂离子I50+、Ho64+、Bi80+的KLL双电子复合过程,得到了双电子激发态的共振能量和双电子复合截面,利用自电离和辐射跃迁速率,得到了对应谱线的总宽度,并与已有的理论和实验结果进行了对比,理论较好地解释了最近的实验结果。     

类锂离子KLL双电子复合过程研究

采用相对论扭曲波方法,理论研究了高离化态类锂离子I~(50+)、Ho~(64+)、Bi~(80+)的KLL双电子复合过程,得到了双电子激发态的共振能量和双电子复合截面,利用自电离和辐射跃迁速率,得到了对应谱线的总宽度,并与已有的理论和实验结果进行了对比,理论较好地解释了最近的实验结果.     

高离化态Hg和U离子的双电子复合过程的理论研究

在相对论多组态Dirac-Fock理论基础上，利用近期发展的计算双电子复合截面的程序，系统研究了高离化态类氦到类硼Hg和U离子的KLL双电子复合过程. 讨论了Breit效应和量子电动力学(QED)效应对Hg离子共振双激发态能级的贡献，得到了双激发态的共振能、总线宽和相应的双电子复合共振强度，所得结果与其他理论和实验结果都符合得很好. 在此基础上进一步研究了高离化态U离子的KLL双电子复合过程，并与已有的实验和理论结果作了比较.     

高离化态Hg和U离子的双电子复合过程的理论研究

在相对论多组态Dirac-Fock理论基础上,利用近期发展的计算双电子复合截面的程序,系统研究了高离化态类氦到类硼Hg和U离子的KLL双电子复合过程. 讨论了Breit效应和量子电动力学(QED)效应对Hg离子共振双激发态能级的贡献,得到了双激发态的共振能、总线宽和相应的双电子复合共振强度,所得结果与其他理论和实验结果都符合得很好. 在此基础上进一步研究了高离化态U离子的KLL双电子复合过程,并与已有的实验和理论结果作了比较. 关键词： 双电子复合 MCDF     

类氦氪离子双电子复合的相对论计算

本文采用相对论性的Flexible Atomic Code (FAC)程序计算类氦氪离子的双电子复合截面及速率系数。其中自电离速率的计算采用相对论扭曲波近似，并考虑了组态相互作用的影响。文中还将所得的自电离和总辐射速率与采用MCDF和HULLAC计算得到的结果作了比较。我们检验了n-3标度律的有效性并用它对速率系数做了外推。文中还讨论了辐射分支比随不同共振峰和原子序数的变化以及级联辐射的影响。     

高n双电子复合伴线对类氦镁离子Kα共振线贡献的理论计算

利用多组态Dirac-Fock方法计算了类氦镁离子的双电子复合截面.分析了类锂镁离子高n双电子伴线结构及其对类氦镁离子Kα共振线的影响.结果表明类锂镁离子高n双电子伴线和类氦镁离子Kα共振线之间存在着严重的混合,会导致Kα共振线强度的增加、谱形的加宽以及位置的移动.     

类氢类氦类锂镁离子双电子复合的旁观电子角动量研究

类氢类氦类锂镁离子经中间双激发态进行的双电子复合过程在研究惯性约束聚变电子温度中占有很重要的地位.用准相对论方法计算了双电子复合经不同Rydberg态跃迁通道的复合速率系数,并给出不同离化度离子的双电子复合速率系数随电子温度的变化规律.显示出离子的相关能对峰值的电子温度有很大影响,当类氢离子跃迁通道的旁观电子角动量为1时双电子复合系数最大,而类锂离子是旁观电子角动量为3时最大. 关键词： 双电子复合 镁离子 角动量     

类氖氙离子LMn双电子复合模拟谱

在双电子复合过程发生的能量范围内,发射X光子的原子过程除双电子复合过程外还有辐射复合、共振激发、共振复合以及直接激发原子过程.本文使用相对论组态相互作用方法计算了这些过程的截面,比较了在双电子复合过程发生的能量范围内这些原子过程的截面与双电子复合过程截面,探讨了这些过程对双电子复合过程的影响.研究结果表明,辐射复合截面随入射电子束能量的增大迅速减小,在双电子复合能量范围内几乎为一常数,可以作为本底来处理;共振激发和共振复合过程对双电子复合过程的影响可以忽略不计;当入射电子束能量高于靶离子的第一激发能时,电子碰撞直接激发截面与高Rydberg态的截面连成一片,随着入射电子束能量的增加,电子碰撞直接激发截面越来越大,这时必须考虑直接激发过程.使用相对论组态相互作用方法计算了类氖氙离子的双电子复合截面,其结果与已有的部分实验和理论结果很吻合.     

类氖氙离子LMn双电子复合模拟谱

在双电子复合过程发生的能量范围内,发射X光子的原子过程除双电子复合过程外还有辐射复合、共振激发、共振复合以及直接激发原子过程. 本文使用相对论组态相互作用方法计算了这些过程的截面,比较了在双电子复合过程发生的能量范围内这些原子过程的截面与双电子复合过程截面,探讨了这些过程对双电子复合过程的影响. 研究结果表明,辐射复合截面随入射电子束能量的增大迅速减小,在双电子复合能量范围内几乎为一常数,可以作为本底来处理;共振激发和共振复合过程对双电子复合过程的影响可以忽略不计;当入射电子束能量高于靶离子的第一激发能时,电子碰撞直接激发截面与高Rydberg态的截面连成一片,随着入射电子束能量的增加,电子碰撞直接激发截面越来越大,这时必须考虑直接激发过程. 使用相对论组态相互作用方法计算了类氖氙离子的双电子复合截面,其结果与已有的部分实验和理论结果很吻合.     

高电荷态氪离子双电子复合过程的理论研究

本采用相对论的Flexible Atomic Code(FAC)程序计算类氯Kr^34 离子双电子复合的截面及速率系数，其中用n^-3标度律对速率系数作了外推。中我们还讨论了辐射分支比随不同共振峰的变化以及级联辐射的影响。     

Systematic theoretical study of dielectronic recombination for helium-like isoelectronic sequence

Dielectronic recombination cross sections and rate coefficients of He-like isoelectronic sequence are systematically calculated employing the relativistic Flexible Atomic Code (FAC). The calculated DR resonance strengths, cross sections and rate coefficients are in good agreement with other experimental and theoretical results. The effects of radiative cascades on DR cross sections and the variation of DR branching ratio with different DR resonance and atomic numbers Z are studied. The n⁻³ scaling law is also checked and used to extrapolate rate coefficients. And analytic formulas are used to fit the total rate coefficients with respect to both T and Z for helium-like isoelectronic sequence.     

KLL dielectronic recombination process of He-like to O-like xenon ions

In this work,the KLL dielectronic recombination (DR) processes of highly charged He-like to O-like xenon ions are studied systematically by using a DR program,which is based on the multi-configuration Dirac-Fock (MCDF) method.The KLL DR resonant energies and the corresponding resonant strengths are calculated,emphasizing especially the effect of the Breit interaction on the DR strengths.The theoretical KLL DR spectra are obtained and compared with the latest experimental results obtained in the Shanghai Electron Beam Ion Trap.     

类锂离子双电子复合过程中辐射光子角分布和极化特性的理论研究

基于多组态Dirac-Fock 方法和密度矩阵理论,本文详细计算了高电荷态类锂离子（26 ≤ Z ≤ 92）KLL 双电子复合过程中,自由电子被共振俘获到中间双激发态1s2s²2p_3/2J = 1 的磁子能级截面以及该双激发态的取向参数,进而得到了此激发态向基态电偶极辐射跃迁1s2s²2p_3/2J = 1→1s²2s²J = 0 所发出光子的角分布和极化度,重点讨论了Breit 相互作用对相关物理量的影响. 研究表明,Breit 相互作用极大地改变了中间双激发态1s2s²2p_3/2J = 1 不同磁子能级的截面,从而导致了随后退激发放出光子的角分布和极化特性的显著变化. 关键词： 角分布和极化特性 多组态Dirac-Fock方法 密度矩阵理论     

The KLL dielectronic recombination processes for highly charged krypton, iodine and barium ions

The KLL dielectronic recombination (DR) processes of ions from highly charged helium-like to oxygen-like krypton, iodine and barium ions are studied systematically in the relativistic distorted-wave approximation with configuration interaction. The KLL DR resonant energies, the corresponding resonant strengths and the theoretical spectra for each highly charged ion species are obtained. The results accord well with other available values. The behaviour of KLL resonant strengths for He-like ions with atomic number Z is analysed.     

高n双电子复合伴线对类氦镁离子Ka共振线贡献的理论计算

利用多组态Dixac-Foek方法计算了类氯镁离子的双电子复合截面．分析了类氨镁离子的高n双电子伴线结构及其对类氯镁离子Ka共振线的影响．结果表明类氨镁离子的高n双电子伴线几乎都分布于Ka共振线的长波一侧．随着n的增加，DS强度呈现明显减小的趋势．虽然来自KLM（n=3）的发射线最强．但n〉3的部分依然给出了非常重要的贡献．即便是来自n〉10的共振的贡献也是不可忽略的．并且高n双电子伴线随着n的增加不断接近Ka共振线，导致和Ka共振线的强烈混合．在实验测量中会使Ka共振线峰位的测量值向长波方向移动，使谱形加宽，并且增强了Ka共振线测量值强度．     

高n双电子复合伴线对类氦镁离子 Kα共振线贡献的理论计算

利用多组态Dirac-Fock方法计算了类氦镁离子的双电子复合截面.分析了类氦镁离子的高n双电子伴线结构及其对类氦镁离子Kα共振线的影响.结果表明类氦镁离子的高n双电子伴线几乎都分布于Kα共振线的长波一侧.随着n的增加,DS强度呈现明显减小的趋势.虽然来自KLM(n=3)的发射线最强,但n>3的部分依然给出了非常重要的贡献.即便是来自n>10的共振的贡献也是不可忽略的.并且高n双电子伴线随着n的增加不断接近Kα共振线,导致和Kα共振线的强烈混合.在实验测量中会使Kα共振线峰位的测量值向长波方向移动,使谱形加宽,并且增强了Kα共振线测量值强度.