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短波长相变光盘记录介质Ge2Sb2Te5薄膜的制备及静态性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了632.8nm波长下适用的相变光盘介质Ge2Sb2Te5薄膜的制备方法和静态光存诸记录特性,发现该薄膜可在100ns条件下实现直接重写,在优化膜层结构后,写擦循环次数高达10^6,反射率对比度在15%以上。 相似文献
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GeSbTe体系是目前最适用于可重写相变光盘记录的材料,本文利用自己研制成功的相变光盘动态测试装置对本所研制的GeSbTe相变光盘进行了光盘动态写实验和材料性能研究,并实现了直接重写,取得了较大的进展。实验中发现脉冲擦除比直流擦除有较好的擦除效果和较多的重写次数。 相似文献
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相变光存储研究的新进展 总被引:6,自引:0,他引:6
光存储朝着高密度、大容量、高数据传输速率、多功能方向发展。可擦重写相变光存储介质和技术吸引着越来越多研究者的兴趣。本文主要综述了相变光存储原理、材料性能改进和高密度相变存储技术方面的现状和新进展。 相似文献
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利用直流磁控溅射法制备了一种新型AgInSbTe相变薄膜。示差扫描量热(DSC)实验测定的结晶峰温度为193.92℃。X射线衍射(XRD)表明未经热处理的沉积态薄膜是非晶态,而经过200℃热处理,X射线衍射图出现衍射峰,薄膜从非晶态转变到晶态。同时,研究了晶态和非晶态相变薄膜的吸收率、透射率和反射率随波长的变化。测定了650nm激光作用下的相变薄膜的记录性能,分析了记录功率、记录脉宽对薄膜反射率衬比度的影响,在同一记录脉宽条件下,记录功率越大,反射率衬比度也越大;在同一记录功率条件下,随记录脉宽的增加,反射率衬比度也增大。结果表明,新型AgInSbTe相变薄膜在激光作用下具有较高的反射率衬比度,可获得良好的记录性能。 相似文献
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为了使光盘获得优良的记录/读出性能并能够长期稳定地使用,必须优化设计相变光盘的多层膜结构。采用自行设计的模拟分析相变光盘读出过程设计软件,从光学角度出发模拟计算了蓝光(405nm)相变光盘的膜层结构,研究了多层膜系的反射率和反射率对比度等光学参量与各层膜厚度和槽深的关系。研究得出的最佳多层膜结构为:下介电层/记录层/上介电层/反射层的厚度对于台记录为100nm/10nm/25nm,/60nm,而对于槽记录则为140nm/15nm/30nm,/60nm,槽深为50nm。模拟计算结果对于将来高密度蓝光相变光盘的制备具有一定的指导意义。 相似文献
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从未来微型计算机对磁存储器应具有超高存储密度的要求出发,讨论了磁存储材料的未来发展.并指出,最有希望的材料是沿用传统模式纵向记录的薄膜磁介质和新型的磁光存储薄膜.对于如何实现此超高密度的磁和磁光存储,文章还讨论了各自需要解决的问题及相关的信息存储和读出技术. 相似文献
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运用矢量衍射理论的计算方法(耦合波方法,时域有限差分法),对两种多阶光存储方案(坑深调制,坑形调制)进行了原理性分析,并简略分析了利用相变材料的幅值调制实现多阶存储的原理.由此得出多阶光存储技术的实现是利用了光与物质之间的相互作用,使光对记录介质产生作用,同时介质也对光的某些特性进行调制,而这些特征的改变一般都不止两个状态0或1,用数字方式将这多个状态记录下来便实现了多阶数字存储.此外,还提出了多阶光盘前端信号处理系统的设计与开发.该系统是多阶光存储实验系统的重要组成部分,可输出RF,TE,FE等伺服与误差信号,并将信号反馈给多阶处理芯片;同时系统还可对光学头的激光读写功率及写入时间进行控制,并能使其实现自动调焦和道跟踪.
关键词:
多阶光存储
矢量衍射理论
时域有限差分法 相似文献
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掺Sn的Ge2Sb2Te5相变存储薄膜的光学性质 总被引:3,自引:1,他引:2
提高存储密度和存取速率一直是光存储发展的方向。这对目前用于可擦重写存储的相变材料提出了越来越多的要求:它们既要对短波长有足够的响应,同时其相变速度也越快越好。因此,相变材料性能的改进十分重要,掺杂是提高相变材料性能的重要手段之一。用直流溅射法制备了掺杂不同量Sn的Ge2Sb2Te5相变薄膜,由热处理前后薄膜的X射线衍射(XRD)发现:薄膜发生了从非晶态到晶态的相变。研究了薄膜在250—900nm区域的反射光谱和透射光谱。结果表明:适当的Sn掺杂能大大增加热处理前后材料在短波长(300—405nm)的反射率衬比度,可见,通过Sn掺杂改良相变材料的短波长光存储性能是一种有效的途径。 相似文献
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