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铁氰化镍化学修饰电极对亚硫酸根离子的电催化氧化及其应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用电化学方法在玻碳(GC)基体上制备出性能稳定的铁氰化镍(NiHCF)修饰膜电极,表征了NiHCF膜的电化学行为,研究了其对SO_3~(2-)离子的电催化氧化作用。结果表明,SO_3~(2-)离子在NiHCF/GC上氧化是受NiHCF媒介作用的,属EC平行催化反应。催化峰电流与SO_3~(2-)离子浓度在1.0×10~(-6)~2.0×10~(-2)mol/L范围内呈线性关系,检测限可达5.0×10~(-7)mol/L。用于测定空气中SO_2含量,结果良好。 相似文献
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铁氰化镍化学修饰电报对多巴胺电催化氧化及其测定 总被引:8,自引:0,他引:8
本文采用电化学方法在导电基体电极上制备出性能追定的铁氰化锌(NiHCF)修饰膜电极,对Ni-HCF膜电极的电化学行为进行了表征,并研究了其对神经传导物质,多巴胺(DA)的电催化氧化作用。结果表明对于在空白玻碳电报(GC)上氧化电位较高的DA,NiHCF在可通过媒介作用促其氧化电位降低约200mV,大大提高了其电子转移速率;而且在DA的浓度为1.0×10-6—1.0×10-2mol/L范围内,催化峰电流与DA浓度呈良好的线性关系,检测限可达5.0×10-7mol/L。用于DA药物针剂的测定,结果良好。 相似文献
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铁氰化镍修饰电极对抗坏血酸电催化氧化的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
抗坏血酸(AH_2)在玻碳和铂电极上的过电位较大,其电极反应不可逆.有关AH_2在碳及其它修饰电极上的电催化氧化已有一些报道,如减压热处理、Al_2O_3微粒研磨、普鲁士蓝修饰膜和聚乙烯二茂铁修饰膜等.本文研究了铁氰化镍修饰膜电极催化AH_2氧化的电化学行为.发现其阳极峰电流与AH_2浓度呈线性关系,可测定1×10~(-7)mol/L的AH_2,其灵敏度比聚乙烯二茂铁修饰电极提高一个数量级.用于蔬菜、水果中AH_2的测定,结果满意. 相似文献
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铁氰化钆修饰电极对鸟嘌呤的电催化氧化及应用 总被引:2,自引:0,他引:2
用电化学沉积法制备了稀土铁氰化钆修饰玻碳电极(GdHCF/GC/CME),考察了该电极对鸟嘌呤的电催化氧化性能,同时根据Fenton反应产生的羟基自由基对鸟嘌呤的氧化作用和修饰电极氧化作用之间的竞争机理,对抗坏血酸清除羟基自由基进行了初步评价.实验结果表明,修饰电极对鸟嘌呤具有很好的电催化氧化性能.在HAc-NaAc缓冲液(pH=5.1)中,鸟嘌呤在1.0×10-6~4.6×10-5 mol/L浓度范围内与其氧化峰电流呈良好的线性关系,其线性回归方程为Ip(μA)=0.1112C 2.8715,r=0.9889;检出限为3.3×10-7 mol/L.以此电极评价抗坏血酸对羟基自由基的清除作用,取得了较好的效果,为羟基自由基清除剂的筛选提供了一种新的方法. 相似文献
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将镍粒子表面功能化,合成了磁性纳米铁氰化镍(NiHCF)粒子,制备了磁性NiHCF修饰磁控玻碳电极。 在pH=7.4的磷酸盐缓冲溶液中,磁性NiHCF纳米粒子修饰电极对水合肼氧化有显著的催化作用,NiHCF的氧化峰电流与水合肼浓度在0~1.29×10-4 mol/L范围内呈良好的线性关系(安培法),检出限为2.1×10-8 mol/L。 研究了磁性NiHCF粒子修饰电极对水合肼的电化学响应以及电极的性能,并将其应用于水样中肼的测定。 该修饰电极具有灵敏度高、选择性好、电极易更新、稳定性好和制作简单等优点。 相似文献
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铁氰化钆修饰电极的固态电化学及电催化性能 总被引:2,自引:0,他引:2
制备了一种新的稀土铁氰化物——铁氰化钆(GdHCF), 并对其进行了表征. 元素分析、EDX和TGA结果表明, GdHCF的计量式为NaGdFe(CN)6•12H2O(在NaCl溶液中制备), 红外光谱结果显示GdHCF晶体中有两种形式的水分子存在, 一种是靠氢键结合的填隙水分子(5个), 一种是与Gd配位的配位水分子(7个);XPS结果表明GdHCF中铁为+2价, 钆为+3价. 将GdHCF固定到石墨(SG)电极上(GdHCF/SG), 研究了它的固态电化学性能, 其循环伏安曲线上表现出一对良好且稳定的氧化还原峰, 式量电位E0′几乎不随扫速而变化(在10~300 mV•s−1范围内, E0′平均值为(197±3) mV);并且E0′与支持电解质中阳离子(Na+)活度的对数(lgaNa+)之间呈线性关系, 斜率为54.1 mV, 这一特性关系可用于测定NaCl溶液中Na+的活度. 进一步研究的结果表明, GdHCF对神经递质多巴胺(DA)和抗坏血酸(AA)的电化学氧化均具有催化作用, 催化电流随DA(或AA)浓度的增加而增加. 相似文献
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应用电化学循环扫描法于玻碳电极表面沉积并形成铁氰化钆修饰电极(GdHCF/GC),扫描电镜(SEM)显示,有两种大小和外形明显不同的颗粒状GdHCF附着在电极表面.红外光谱表明,GdCHF的C≡N弯曲振动吸收峰出现在2062.5 cm-1处.循环伏安法测试表明,在0.2 mol/L NaC l溶液中,GdHCF/GC电极出现两对氧化还原峰,扫速为20 mV/s时,其氧化还原峰的式量电位分别为E0’(I)=192.5 mV和E0’(II)=338.5 mV.研究了不同支持电解质对GdHCF/GC电极电化学性能的影响,GdHCF对Na+离子有优先选择性. 相似文献
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通过静电作用,在氧化石墨烯(GO)表面吸附一层均匀分散的Ni2+形成GO-Ni2+复合物,利用循环伏安法,把GO-Ni2+修饰电极上的Ni2+转化为铁氰化镍(Ni HCF),再通过电还原制备电还原的氧化石墨烯-铁氰化镍修饰的玻碳电极(ERGO-Ni HCF/GCE)。采用扫描电子显微镜(SEM)对其表面结构进行了表征。研究了NO-2在不同修饰电极上的电化学行为,ERGO-Ni HCF/GCE对NO-2的氧化反应有很好的电催化活性,NO-2的浓度与其氧化峰电流呈良好的线性关系。 相似文献
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通过电沉积方法分别在镀铂石英晶片和铂基底上制备了电活性铁氰化镍膜,并考察了膜电极在含钇离子溶液中的电控离子交换性能. 在0.1 mol·L-1的硝酸钇溶液中,使用循环伏安法及石英晶体微天平技术测试考察了铁氰化镍膜对钇离子的置入释放性能及对应的质量变化,同时比较了铁氰化镍膜电极在Y(NO3)3和Sr(NO3)2溶液中的电化学性能. 在0.1 mol·L-1 [Y(NO3)3 + Sr(NO3)2]混合溶液中,通过循环伏安法分析了薄膜对Y3+/Sr2+离子的选择性. 用扫描电子显微镜观察了铁氰化镍膜的表面形貌,并通过X射线光电子能谱仪测定了膜在氧化和还原状态下的元素组成. 结果表明,铁氰化镍膜在含Y3+溶液中具有良好的离子交换行为,其中氧化过程薄膜质量减少,对应着钇离子的释放;还原过程薄膜质量增加,对应钇离子的置入;在0.0 V或0.9 V调控膜电极的氧化还原状态实现对钇离子的有效分离. 相似文献
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采用电化学还原方法制备了铁氰化镍-石墨烯复合薄膜电极,扫描电子显微镜(SEM)表征电还原石墨烯和铁氰化镍-石墨烯复合材料的表面形貌。采用循环伏安和计时电流技术研究了该修饰电极对抗坏血酸(AA)的电催化氧化性能,据此建立了一种测定AA的电化学分析新方法。由于石墨烯和铁氰化镍纳米颗粒之间的协同效应,使得该复合修饰电极对抗坏血酸具有优异的电催化活性。在0.1 mol/L pH 7.00的PBS溶液中,抗坏血酸的催化氧化电流与其浓度在1.0×10-4~7.0×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为3.1×10-5mol/L(S/N)。 相似文献
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通过原位电化学还原直接制备石墨烯修饰玻碳电极,并用电化学阻抗谱(EIS)和扫描电子显微镜(SEM)对其进行了表征,研究了亚硝酸根离子(NO2-)在石墨烯修饰玻碳电极上的电化学行为.结果表明:石墨烯修饰玻碳电极对NO2-的氧化反应有良好的电催化活性,NO2-的浓度与峰电流呈良好的线性关系,且在pH 7.0的磷酸盐缓冲液(PBS)中其氧化峰电流最高.利用该方法测定了模拟废水中NO2的含量,结果令人满意. 相似文献
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利用高分子支撑法将气相沉积(CVD)石墨烯从铜基底上转移到聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基底上,制备出石墨烯平面电极(GPE), 通过循环伏安法将铁氰化钴(CoHCF)纳米颗沉积到GPE上,得到铁氰化钴修饰石墨烯平面电极(CoHCF/GPE).研究表明,此电极对过氧化氢具有良好的传感作用,从而构建一种新型无酶过氧化氢传感器.此传感器在过氧化氢浓度为5.0-1200 μmol/L范围内,响应电流与浓度呈现良好的线性关系,检出限为7.1 nmol/L (S/N=3),响应时间约为2 s,具有稳定性好、抗干扰能力强、制备简单等优点. 相似文献
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采用循环伏安法在PrCl3+K3Fe(CN)6溶液中于石墨电极表面电沉积铁氰化镨(PrHCF)薄膜,制备PrHCF修饰电极。对该修饰电极电化学的行为进行分析,包括扫描速度、K+浓度以及阴、阳离子对膜电极的影响。同时,以红外和XPS对膜进行了表征,IR谱图中氰基的伸缩振动峰证明了膜的存在;而XPS谱图中Fe2p1/2和Fe2p3/2能级的分裂说明了在成膜过程中Fe的价态发生变化,据此提出了可能的电聚合机理。同时,此修饰电极对半胱氨酸具有电催化氧化活性,并对其响应进行了研究。 相似文献