熔体生长4‘—硝基亚苄基—3—丙酰胺基—4—甲氧基苯胺（MNBA—Et）晶体

用引上法第一次从熔体中生长了有机晶体４－硝基亚苄基－３－丙酰胺基－４－甲氧基苯胺（ＭＮ－ＢＡ－Ｅｔ）讨论了生长条件并对ＭＮＢＡ－Ｅｔ熔体的性质进行了研究。     

1—苯甲酰基—3—（2—氯苯基）硫脲单晶生长及其倍频性能

本文报道了新型光学晶体１－苯甲酰基－３－（２－氯苯基）硫脲的单晶生长及其倍频性能，用溶液降温法在氯溶液中长出菱形块状晶体，并对分子结构和晶体结构对其晶体生长及倍频性能的影响作了探讨。     

用KF助熔剂生长尺寸β—BaB2O4晶体

本文首次报告使用ＫＦ助熔剂生长大尺寸优质β－ＢａＢ２Ｏ４（ＢＢＯ）晶体的研究结果。适合的生长条件为；熔质与熔剂摩尔百分比为ＢａＢ２Ｏ４：ＫＦ在６６：３４到７０：３０范围内，籽晶方向平行ｃ轴；晶体转速０－１５ｒ／ｍｉｎ；生长周期为１２０天。     

新电光晶体DCNP的生长

本文报道了不同溶剂对ＤＣＮＰ晶体生长的影响，发现二甲基甲酰胺是一种好溶剂。利用降温法已生长出ＤＣＮＰ透明单晶。     

BPO4晶体的生长及孪晶缺陷分析

利用助熔剂法,采用顶部籽晶技术生长出新型非线光学晶体材料BPO4（简称BPO）晶体,用同步辐射白光X射线形貌术拍摄了（001）,（101）切片的形貌像,观察到了生长孪晶结构,从形貌像中可明显地观察到游离于主晶形貌像之外的孪晶形貌像,并从结构上解释了孪晶的形成原因。     

Nb：KTiOPO4晶体的生长和倍频性能

通过研究晶体生长工艺参数对Nb∶KTiOPO4(Nb∶KTP)晶体生长的影响,用熔盐顶部籽晶法获得尺寸为55mm×25mm×5mm的Nb∶KTP透明单晶.研究中发现熔体的温度梯度、籽晶和降温速率将严重影响Nb∶KTP晶体的生长.Nb离子的引入不利于Nb∶KTP晶体的生长,尤其是造成晶体易开裂,且沿a轴方向生长速度非常缓慢.同时,Nb的引入大大改变Nb∶KTP晶体的倍频性能.掺杂Nb浓度的摩尔分数为13%时,Nb∶KTP晶体的倍频的Ⅱ型相位匹配的截止波长缩短至937nm,且有效产生469nm倍频蓝光;掺杂Nb浓度的摩尔分数为3%时,Nb∶KTP晶体对Nd∶YAG的1.0642μm激光倍频的最佳相位匹配角为θ=88.32°,()=0°,非常接近90°非临界相位匹配方向.     

新型非线性光学晶体台阶动力学与生长机理:ATMB

用相衬－微分干涉显微术连接全息图象自动分析系统,实时研究了新型非线性光学晶体;有机金属配合物－ＡＴＭＢ晶体生长表面形貌和台阶运动规律。揭示了该晶体是一种典型的多二维成核－层生长－准法向生长机制。