Ce：Fe：LiNbO3晶体的生长与其四波混频效应的研究

本文报道了Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯｅ晶体的生长，采用简并四波混频光路测试晶体相位共轭反射率、响应时间和相位共轭温度效应，在６３２．８ｎｍ和４８８．０ｎｍ波长的非简并四波混频中，获得了变频相位共轭光，具有温度增强效应。     

Ce：Pr：LiNbO3晶体的生长及其光折变特性的研究

本文报道了Ｃｅ：Ｐｒ：ＬｉＮｂＯ３晶体的生长。测试了晶体的指数增益系数、衍射效率、位相共轭反射率和响应时间。以Ｃｅ：Ｐｒ：ＬｉＮｂＯ３晶体作存储元件，实现全息关联存储，图象清晰完整。     

Ce：Fe：LiNbO3晶体的双泵浦相位共轭研究

本文报道采用Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体由多波作用产生的相位共轭波（双泵浦、自磁浦相位共轭、四波混频）；获得了４４％的双泵浦相位共轭反射率。对以上现象我们理论上进行了分析。     

Zn：Nd：LiNbO3晶体的生长及其抗光折变效应

在生长ＬｉＮｂＯ３过程中掺进６ｍｏｌ％ＺｎＯ和０．２ｍｏｌ％Ｎｄ２Ｏ３生长了Ｚｎ：Ｎｄ：ＬｉＮｂＯ３晶体。测试了晶体的吸收光谱，荧光光谱和抗光损伤阈值，应用简并四波混频技术研究了Ｚｎ；Ｎｄ：ＬｉＮｂＯ３晶体的光折变效应，它的光栅形成机制是异常光生伏特效应，它的抗光损伤能力比Ｎｄ：ＬｉＮｂＯ３晶体提高二个数量级，这是由于光电导的增强而引起的。     

Zn：Eu：LiNBO3晶体光折变效应的研究

本文报导了Ｚｎ：Ｅｕ：ＬｉＮｂＯ３晶体的１１生长，测试了晶体抗光致散射能力。研究Ｚｎ：Ｅｕ：ＬｉＮｂＯ３晶体的二波耦合效应和四波混频效应。结果表明，Ｚｎ：Ｅｕ：ＬｉＮｂＯ３晶体具有较高的的抗光致散射能力和响应速度。     

光折变Zn：Fe：LiNbO3晶体用于图象边缘增强的研究

用双掺杂Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作全息记录介质，另一块Ｃｕ：ＫＮＳＢＮ晶体作自泵浦位相共轭反射镜，同全光学实时图象边增强。本文以Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作作全息记录介质的性能进行了分析讨论。     

Ce：Mn：LiNbO3晶体中的自泵浦相位共轭效应

本文报道了用Ｃｅ：Ｍｎ：ＬｉＮｂＯ３晶体构成的环形自泵浦相位共轭振荡器及其所产生的４９％的自泵浦相位共轭反射率。同时，借助红外灯的加热，在晶体中引入一热涨落，使相位共轭波出现脉动，此外，又利用晶体缺陷对光的散射观察到衍射光环（锥）。     

Mg：Fe：LiNbO3晶体全息存储性能的研究

在ＬｉＮｂＯ３中同时掺入ＭｇＯ和Ｆｅ２Ｏ３，生长了Ｍｇ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体。该晶体的衍射效率达到８０％，且抗光致散射能力强，响应速度较快。以Ｍｇ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作为全息关联存储的记录介质，记录图象清晰，噪声小，恢复图象信息完整。     

Zn：LiNbO3晶体的生长及其抗光损伤能力增强的研究

ＬｉＮｂＯ３中掺入ＺｎＯ，用提拉法生长Ｚｎ：ＬｉＮｂＯ３晶体。测试了晶体的红外透射光谱，抗光损伤能力，光电导和倍频性能。研究和探讨了高掺锌铌酸锂晶体抗光损伤增强的机理。     

Zn：Fe：LiNbO3晶体的生长及其全息性能的研究

本文首次详细报导了Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体的生长技术，研究了晶体的吸收光谱、衍射效率和响应时间。与Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３相比，Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体响应速度快，且衍效率较高，并具有较宽的角度响应范围，是一种优良的全意记录介质材料。     

Eu：Zn：LiNbO3晶体全息存储性能的研究

在ＬｉＮｂＯ３中掺进Ｅｕ２Ｏ３和ＺｎＯ生长Ｅｕ：Ｚｎ：ＬｉＮｂＯ３晶体。采用二波耦合光路测试晶体的指数增益系数和衍射效率。以Ｅｕ：Ｚｎ：ＬｉＮｂＯ３晶体作为存储元件，实现了全息关联存储。     

Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO_3晶体的非挥发性存储

以Czochralski技术生长不同Li/Nb比Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体。测试晶体抗光散射能力,Li/Nb=1.38的Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体抗光散射能力比Fe∶LiNbO3高一个数量级以上。以二波耦合光路,双波长(蓝光-红光)存储技术,测试晶体全息存储性能,结果表明双波长存储性能优于双色存储。双波长(蓝光-红光)(476nm)的光激载流子是空穴。Mn离子是浅能级,Fe离子是深能级。采用Li/Nb=0.94和1.05的Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体作为存储介质,以双波长(蓝光-红光)进行非挥发存储实验,它的非挥发衍射效率和响应速度高于双色存储。     

Cu:KNSBN晶体生长及其光折变效应的研究

在KNSBN晶体中掺进CuO,采用硅钼棒作加热体,以Czochralski技术生长Cu:KNSBN晶体.以二波耦合光路,测试晶体的衍射效率和记录时间,计算折射率变化值Δn.Cu:KNSBN晶体的衍射效率,记录速度和折射率变化值皆高于Fe:LiNbO3晶体.尤其记录速度比Fe:LiNbO3晶体高一个数量级以上.测试Cu:KNSBN晶体位相共轭反射率R和自泵浦位相共轭反射率RC.Cu:KNSBN晶体的自泵浦位相共轭反射率RC值达到64;,是纯KNSBN晶体的二倍.以Cu:KNSBN晶体自泵浦位相共轭镜进行消畸变实验.实验结果表明:输出光波确系输入探测光波的位相共轭光波.     

γ射线辐照Ce：LiNbO3晶体光折变增强的研究

通过吸收光谱的研究，确诊γ射线辐照引起民的ＬｉＮｂＯ３晶体内出现Ｖｏ等缺陷。经过γ射线辐照处理后的Ｃｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体型人二波耦合指数增益系数比处理前有所提高，我们认为这各光折变增强的原因是晶体现内缺陷浓度增大，使载流子的电离和迁移运动更为有利。     

Li/Nb比变化对Ce：Fe：LiNbO3晶体的光折变性能的影响

在LiNbO3晶体中掺进0.1wt?O2和0.03wt?2O3以Czochralski技术生长不同Li/Nb比(0.94、1.20、1.40)Ce:Fe:LiNbO3晶体,其中Li/Nb=1.40的Ce:Fe:LiNbO3晶体是化学计量比.测试了不同Li/Nb比Ce:Fe:LiNbO3晶体抗光损伤能力,得到随着Li/Nb比的增加,晶体的抗光损伤能力增加.研究了晶体抗光损伤能力增强的机理.随着Li/Nb比的增加,晶体的响应速度和光折变灵敏度增加.测试不同Li/Nb比Ce:Fe:LiNbO3晶体位相共轭效应,利用产生的位相共轭光波消除图像的位相共轭畸变.利用Li/Nb=1.40的Ce:Fe:LiNbO3晶体做记录介质,Li/Nb=1.20的Ce:Fe:LiNbO3晶体作位相共轭镜进行全息关联存储实验.实验结果表明,存储系统具有实时处理,成像质量好,信噪比高和可反复使用的优点.     

Bix（PrGdYb）3—x（FeAl）5O12晶体薄膜的助熔剂液相外延生长

本文介绍了采用助熔剂法和液相外延技术生长单晶薄膜的工艺技术。使用这种方法生长出了Ｂｉｘ（ＰｒＧｄＹｂ）３－ｘ（ＦｅＡｌ）５Ｏ１２磁光晶体薄膜，并测试了薄膜的磁光性能。     

In∶Ce∶Cu∶LiNbO_3晶体的生长及存储性能研究

在Ce∶Cu∶LiNbO3 晶体中掺进In2 O3 ,用CZ法首次生长In∶Ce∶Cu∶LiNbO3 晶体。对晶体的抗光折变能力、红外光谱、指数增益系数、衍射效率和响应时间进行了测试 ,结果表明 :In(3mol% )∶Ce∶Cu∶LiNbO3 晶体的抗光折变能力比Ce∶Cu∶LiNbO3 提高两个数量级 ,其OH-吸收峰由LiNbO3 的 3484cm-1移到 35 0 8cm-1,响应速度比Ce∶Cu∶LiNbO3 晶体快三倍。对In∶Ce∶Cu∶LiNbO3 晶体抗光折变能力提高的机理、红外光谱OH-吸收峰紫移的机理进行了研究     

Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤性能的研究

在LiNbO3中掺进ZnO和In2O3以Czochralski技术生长Zn∶In∶LiNbO3晶体.采用光斑畸变法测试Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤能力.Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体提高二个数量级.测试晶体的红外光谱,Zn∶In∶LiNbO3晶体吸收峰的位置相对LiNbO3晶体发生紫移,且随着Zn2+和In3+浓度增加紫移程度增加.晶体的倍频性能(相位匹配温度和倍频转换效率)研究表明:Zn∶In∶LiNbO3晶体相位匹配温度在室温附近.并研究了Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤机理和OH-吸收峰紫移的机理.     

光折变Ce：Nd：LiNbO3晶体用于实时光学图象处理

Ｃｅ：Ｎｄ：ＬｉＮｂＯ３晶体具有优良的光折变性能，它作为全息记录介质，用于实现了光学图象微分和全息关联存储。     

助熔剂法生长片状硼酸铁单晶及其磁光性能

本文采用助熔剂法，从Ｆｅ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－ｐｂＯ／ＰｂＦ２系统中生长出片状弱铁磁性ＦｅＢＯ３晶体。用磁光调制倍频法测出ＦｅＢＯ３单晶在可见光区的法拉第旋转谱，并用分光光度计测出该晶体的光吸收谱，得出表征材料磁光性能的优值与波长的关系，并对ＦｅＢＯ３晶体生长与磁光性能作了讨论。