Cr：KTP晶体生长机制的研究

本文采用激光Ｒａｍａｎ光谱与ＩＲ光谱对Ｃｒ：ＫＴＰ－Ｋ６（Ｋ６Ｐ４Ｏ１３），ＫＴＰ－Ｋ６高温溶液淬冷后的玻璃体进行了研究，指出由于掺质Ｃｒ２Ｏ３引入ＫＴＰ－Ｋ６溶液，使溶液中的焦磷酸根向正磷酸根转化，从而提高了溶液的溶解度，利用高温溶液缓慢降温法生长了光学质量的Ｃｒ：ＫＴＰ晶体，研究了晶体生长形态。讨论了晶体的生长机制。     

大截面KDP晶体生长研究动态

介绍大截面ＫＤＰ晶体的应用背景及惯性来约束核聚变对ＫＤＰ晶体的需要，评述ＫＤＰ晶体快速生长方法。     

三硼酸锂（LBO）晶体生长基元与形貌

本文采用称重法研究了ＬＢＯ晶体中的生长速率与溶液过饱和度之间的关系，在盯同过饱和度的条件下，同一晶体的不同界面上出现了粗糙化相变和二维成核的不同生长机制，这种现象用负离子配位体生长基元的观点得到了圆满的解释。通过对溶液结构的测定，证实了溶液中存在着Ｂ－Ｏ３三角形和Ｂ－Ｏ４四面体结构。它与晶体中的配晶位结构相同喧两种配位体形成的（Ｂ３Ｏ７）＾５－与晶体中的络阴离子环相当。环状络阴离有两个非对称分布的     

相图计算在BBO晶体生长中的应用

本文基于所计算的部分含BBO晶体的硼酸盐体系,研究了相图计算CALPHAD技术在BBO晶体生长过程中的一些应用.利用计算结果,阐述了BBO晶体生长过程中的助熔剂的选择、成分配料以及提拉法生长过程中等径条件的控制等环节.本工作结合CALPHAD技术为BBO晶体的生长提供了理论支持.最后,讨论了CALPHAD技术在晶体生长领域所具有的优势和潜力.     

新型有机非线性光学材料L-酒石酸脲晶体生长研究

本文研究了有机非线性光学晶体L-酒石酸脲在过饱和溶液中的成核过程.测定了不同温度下L-酒石酸脲的溶解度和成核诱导期,计算了成核特征参数.讨论了不同温度、过饱和度对L-酒石酸脲成核诱导期的影响.研究表明L-酒石酸脲晶体的成核诱导期随着溶液温度和过饱和度的增大而减少.通过经典成核理论计算了L-酒石酸脲的固液表面张力、成核自由能和临界成核半径等系列成核参数.     

溶液循环流动法生长大尺寸KDP晶体

本文研究了溶液循环流动法生长大截面ＫＤＰ晶体的工艺条件。发现影响晶体生长的关键因素是溶液的充分过热，流动系体的流量和生长槽的温场。测定了不同条件下生长槽的温场，确定了最佳晶体生长区域。用循环流动法能提高溶液的过饱和度，加快晶体生长速度。     

掺质KTP型晶体生长与性能研究

采用高温溶液法生长了含掺质离子Zr4+,Ga3+的单掺和双掺系列KTP型晶体.晶体生长过程中发现Ga掺入溶液后,体系更加稳定,容易生长出光学质量的晶体;而Zr掺入溶液后体系稳定性降低,晶体生长较困难.用等离子体发射光谱测定了各掺质离子在晶体中的含量,计算出掺质离子的分配系数,发现生长体系中Ga无论是在高掺入量还是低掺入量的情况下,Ga在晶体中的含量都十分稳定.测定了晶体的晶胞参数、紫外-可见-红外吸收光谱,测定的结果发现,晶胞参数均变化不大,在吸收光谱中Ga:KTP在可见光谱区有少量的光吸收,而Zr:KTP晶体是无色透明的.通过粉末倍频实验发现,Zr的掺入有助于晶体倍频转换效率的提高.通过晶体c轴向离子电导率的测试发现,Ga的掺入使c轴向电导率降低了大约3个数量级.双掺Zr和Ga的晶体是性能更为优良的掺质KTP型晶体.     

亚稳相DKDP晶体生长动力学的全息研究

用全息相衬干涉显微术和激光衍射术研究了亚稳相ＤＫＤＰ晶体生长速率和边界层的质量输运过程，并与稳定相进行了比较，层内的质量输运过程是扩散和对流两种作用的耦合效应，层内浓度分布是位置的指数函数。亚稳相晶体面生长活化能比稳定相低的多。在相同的条件下，其生长速率比稳定相快３－１０倍。     

新型有机非线性光学晶体-L-苹果酸脲晶体生长的初步探讨

本文初步探讨了新型非线性光学晶体-L-苹果酸脲的晶体生长,研究结果表明,L-苹果酸脲晶体在甲醇、乙醇和水三种介质中的溶解度温度系数均较大,同温度下L-苹果酸脲晶体在水中的溶解度最大,无水甲醇次之,无水乙醇中最小.L-苹果酸脲晶体在无水甲醇中的成核自由能比在无水乙醇中的低得多,因此在无水甲醇中易于成核,晶核数多,晶体尺寸小,而在无水乙醇介质中,虽然成核相对比较困难一些,但有利于制备大的单晶,且发现低温有利于大晶体的生长.因此宜选择无水乙醇为晶体生长介质.L-苹果酸脲晶体在介质中以非均匀成核方式在试管壁成核长大,晶体呈棱柱状,生长过程中呈现台阶生长的特征.