坩埚旋转下降法生长硒镓银单晶体

本文报道了硒镓银多晶原料合成与单晶生长的新方法--熔体温度振荡法和坩埚旋转下降法.5～6N高纯Ag、Ga、Se单质按AgGaSe2化学配比富0.5;Se配料,1100℃下合成并在熔点附近进行温度振荡,获得了高纯单相致密的AgGaSe2多晶材料.用合成的多晶为原料,采用坩埚旋转下降法生长出φ22×80mm的AgGaSe2单晶锭.晶体外观完整,在10.6μm附近红外透过率达62.4;,吸收系数低于0.01cm-1,对10.6μm CO2激光实现倍频,能量转换效率达12;.     

AgGaSe2 晶体的改进Bridgman法生长

本文报导了一种AgGaSe2生长工艺,可有效地从熔体中排出非凝聚气相杂质,结合一项改进的坩埚镀碳技术,提高了生长优质AgGaSe2单晶的成品率.文中还给出了晶体样品的红外观测,红外透过光谱和光电流谱,以及可调谐TEA CO2激光倍频的实验结果.     

新电光晶体DCNP的生长

本文报道了不同溶剂对ＤＣＮＰ晶体生长的影响，发现二甲基甲酰胺是一种好溶剂。利用降温法已生长出ＤＣＮＰ透明单晶。     

有机光波导晶体的制备

本文简要论述了有机光波导结构所具有的优点，介绍了有机纤维晶体、有机隧道波导和有机平面波导等几种形式的波导晶体的生长方法和制备工艺。     

熔体生长3,4—二甲氧基,4‘—硝基芪（MOMONS）晶体

首次报道了３，４－二甲氧基，４＇－硝基芪（ＭＯＭＯＮＳ）化合物具有倍频效庆。用粉末法测得其有效倍频系数ｄｅｆｆ为０．２２－３倍ｄＫＤＰ用坩埚下降法生长出ＭＯＭＯＮＳ单晶体，并用直接法解出了的结构。从晶体结构讨论了ＭＯＭＯＮＳ晶体的性能。