熔体生长3,4—二甲氧基,4‘—硝基芪（MOMONS）晶体

首次报道了３，４－二甲氧基，４＇－硝基芪（ＭＯＭＯＮＳ）化合物具有倍频效庆。用粉末法测得其有效倍频系数ｄｅｆｆ为０．２２－３倍ｄＫＤＰ用坩埚下降法生长出ＭＯＭＯＮＳ单晶体，并用直接法解出了的结构。从晶体结构讨论了ＭＯＭＯＮＳ晶体的性能。     

Zn：Nd：LiNbO3晶体的生长及其抗光折变效应

在生长ＬｉＮｂＯ３过程中掺进６ｍｏｌ％ＺｎＯ和０．２ｍｏｌ％Ｎｄ２Ｏ３生长了Ｚｎ：Ｎｄ：ＬｉＮｂＯ３晶体。测试了晶体的吸收光谱，荧光光谱和抗光损伤阈值，应用简并四波混频技术研究了Ｚｎ；Ｎｄ：ＬｉＮｂＯ３晶体的光折变效应，它的光栅形成机制是异常光生伏特效应，它的抗光损伤能力比Ｎｄ：ＬｉＮｂＯ３晶体提高二个数量级，这是由于光电导的增强而引起的。     

Nd：GdVO4晶体生长及其1064nm的激光特性

本文报道了用Ｇｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ方法生长Ｎｄ：ＧｄＶＯ４晶体,测量了该晶体的偏振吸收谱和荧光谱,表明晶体在８０８．５ｎｍ有吸收峰,其发现波长在１０６４ｎｍ。晶体中掺Ｎｄ浓度的原子分数为１．５６％的Ｎｄ：ＧｄＶＯ４的＾４Ｆ３／２荧光寿命为１００μｓ。用激光二极管泵浦１ｍｍ厚的Ｎｄ：ＧｄＶＯ４晶体,得到了超过１Ｗ１０６４ｎｍ的输出光,泵浦阀值为２０ｍＷ,光－光转换效率为５５．９％,斜效率为６３％。     

Ce:KNSBN光折变晶体两波耦合响应时间特性研究

在写入光分别为e光和o光时,实验测量了Ce:KNSBN晶体两波耦合响应时间与总写入光强、写入光强比和写入光夹角的关系,实验数据与理论拟合结果相吻合,并由晶体响应时间特性获得了晶体有效电光系数和有效光折变电荷密度参数.     

La:PbWO4晶体中La3+离子的分布及其对晶体辐照硬度的影响

对Ｌａ掺杂钨酸铅晶体从其头部到尾部逐点测量了透射谱及辐照诱导色心吸收谱,实验结果清楚地证实了Ｌａ掺杂改善ＰｂＷＯ４晶体辐照硬度的作用。根据晶体生长的分凝理论对晶体中Ｌａ的分布浓度进行了计算,得到了晶体３５０ｎｍ处光透过率与Ｌａ分布浓度的关系曲线,它可以作为选择最佳掺Ｌａ浓度的依据。     

顶部籽晶法生长磁光晶体硼酸铁

本文首次采用顶部籽晶泡生法在敞开体系中生长了出了磁光晶体硼酸铁单晶。选用Ｂ２Ｏ３作自助溶剂，ＬｉＦ作稀释剂，确定了原料配方。对长出的晶体作了初步的物化性能测试。讨论了晶体生长的结果。     

KTP晶体的水热法生长及其光学性能的测量

使用水热法成功生长出大尺寸、高质量的KTP晶体,对该晶体的光学性能进行测量分析.由LambDA900分光光度计测量得到的水热法生长KTP晶体的透过率曲线表明晶体具有良好的光透过性能,其透过短波下限与熔盐法生长的KTP晶体基本相当.利用自准直法精确测量水热法生长KTP晶体的折射率,拟合得到30℃下折射率的Sellmeier方程的系数,并计算532nm与1319nm波长对应的主轴折射率,计算值与实验值相吻合.     

Bix（PrGdYb）3—x（FeAl）5O12晶体薄膜的助熔剂液相外延生长

本文介绍了采用助熔剂法和液相外延技术生长单晶薄膜的工艺技术。使用这种方法生长出了Ｂｉｘ（ＰｒＧｄＹｂ）３－ｘ（ＦｅＡｌ）５Ｏ１２磁光晶体薄膜，并测试了薄膜的磁光性能。     

声光晶体溴化铅的生长及性能的研究

采用坩埚下降法沿「００１」方向生长出长度为６０ｍｍ、直径为２５ｍｍ的溴化铅晶体，并对该晶体进行了定向，测定了其光度体方位及其主折射率，测得该晶体的透过率范围复盖自０．３μｍ至２５μｍ的整个区域，其声光优值为５１１。     

氧化物晶体的坩埚下降法生长

本文评述了氧化物晶体坩埚下降法生长的一些研究进展,重点介绍我们研究所在压电晶体、非线性光学晶体、弛豫铁电晶体、闪烁晶体、声光晶体、光折变晶体等方面的研究工作.从技术创新的角度探讨了氧化物晶体坩埚下降法生长工艺的新发展,如连续供料坩埚下降法、熔剂坩埚下降法等.     

Nd0.007Gd0.993VO4晶体折射率和折射率温度系数的测量

利用自准直法,在20℃到170℃温度范围和0.4880μm、0.6328μm、1.0640μm、1.0795μm、1.3414μm等波长测量了Nd0.007Gd0.993VO4晶体的折射率,得到了这种晶体的Sellmeier方程和折射率温度系数.为了验证得到结果的可靠性,利用得到的Sellmeier方程计算1.0640μm的寻常光和异常光的折射率,并与实验测量的结果进行比较,两者的差异不大于2.2×10-4,处在测量误差的范围内.测量结果表明在室温下,对1.0640μm波长的双折射率为0.2201,双折射率温度变化率为4.3×10-6/℃.因此,与YVO4相仿,这种晶体不仅是一种优秀的激光基质材料,而且是一种优秀的双折射晶体.     

γ射线辐照Ce：LiNbO3晶体光折变增强的研究

通过吸收光谱的研究，确诊γ射线辐照引起民的ＬｉＮｂＯ３晶体内出现Ｖｏ等缺陷。经过γ射线辐照处理后的Ｃｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体型人二波耦合指数增益系数比处理前有所提高，我们认为这各光折变增强的原因是晶体现内缺陷浓度增大，使载流子的电离和迁移运动更为有利。     

助熔剂法生长片状硼酸铁单晶及其磁光性能

本文采用助熔剂法，从Ｆｅ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－ｐｂＯ／ＰｂＦ２系统中生长出片状弱铁磁性ＦｅＢＯ３晶体。用磁光调制倍频法测出ＦｅＢＯ３单晶在可见光区的法拉第旋转谱，并用分光光度计测出该晶体的光吸收谱，得出表征材料磁光性能的优值与波长的关系，并对ＦｅＢＯ３晶体生长与磁光性能作了讨论。     

BBO晶体助熔剂提拉法生长过程中的等径控制

本文从ＢａＢ２Ｏ４－Ｎａ２Ｏ赝二元体系的相图和杠杆原理出发,研究了助熔剂提法法生长β－ＢａＢ２Ｏ４晶体的等径条件,得出了生长过程中降温速率的数学表达式,解释了助熔剂法生长晶体出现缩径的实验现象,为进一步提高等径生长ＢＢＯ晶体的质量提供了理论依据。     

下降法生长的PbWO4晶体中黄色芯的形成及消除

本文报道了以ＷＯ３和ＰｂＯ粉末为原料采用改进的Ｂｒｉｄｇｍａｎ法长的ＰｂＷＯ４晶体中的黄色芯。借助于电子探针和Ｘ射线粉末衍射仪对黄色芯进行了研究,发现黄色芯主要为Ｐｂ２ＯＷ５和ＷＯ３颗粒。分析了产生黄色芯的原因,提出了消除此种宏观缺陷的一些措施。     

四方晶系晶体的Bridgman法生长的稳态数值模拟

本文对四方晶系晶体的Bridgman法生长进行了稳态数值模拟.当熔体的导热系数位于晶体横向导热系数和纵向导热系数中间的一小段时,将产生"W"形固液界面.通过比较,指出不同导热系数组合时晶体生长的难易.当熔体的导热系数位于晶体横向导热系数和纵向导热系数中间的一小段时,界面平坦,容易长出较好质量的晶体.对中、低级晶系的生长,晶体横向导热系数应大于纵向导热系数.     

Eu：Zn：LiNbO3晶体全息存储性能的研究

在ＬｉＮｂＯ３中掺进Ｅｕ２Ｏ３和ＺｎＯ生长Ｅｕ：Ｚｎ：ＬｉＮｂＯ３晶体。采用二波耦合光路测试晶体的指数增益系数和衍射效率。以Ｅｕ：Ｚｎ：ＬｉＮｂＯ３晶体作为存储元件，实现了全息关联存储。     

Ce：Pr：LiNbO3晶体的生长及其光折变特性的研究

本文报道了Ｃｅ：Ｐｒ：ＬｉＮｂＯ３晶体的生长。测试了晶体的指数增益系数、衍射效率、位相共轭反射率和响应时间。以Ｃｅ：Ｐｒ：ＬｉＮｂＯ３晶体作存储元件，实现全息关联存储，图象清晰完整。     

吸收条件下光子晶体介观压光效应的研究

在考虑材料吸收的情况下利用传输矩阵的方法研究光子晶体介观压光效应.研究表明:当在光子晶体的轴向方向施加应力产生应变时,光子晶体缺陷模将向左(波长小的方向)移动;缺陷模透射峰的峰值和半高宽不随应变的变化而变化;当消光系数和有效弹光系数增大时,介观压光系数的绝对值将会减小,即缺陷模透射率对应力的变化越来越不敏感.这为高灵敏应力传感器的设计提供了理论参考.     

GdP5O14晶体的生长与能级测定

本文采用蒸发溶液法生长出高质量的ＧｄＰ５Ｏ１４晶体，测定了其结构属于单斜晶系，空间群Ｐ２１／ｃ。用荧光光谱仪实验测定ＧｄＰ５Ｏ１４的激光光谱和发射光谱，并计算了Ｇｄ＾３＾＋在晶体中的能级。