光折变Zn：Fe：LiNbO3晶体用于图象边缘增强的研究

用双掺杂Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作全息记录介质，另一块Ｃｕ：ＫＮＳＢＮ晶体作自泵浦位相共轭反射镜，同全光学实时图象边增强。本文以Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作作全息记录介质的性能进行了分析讨论。     

Zn：Fe：LiNbO3晶体的生长及其全息性能的研究

本文首次详细报导了Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体的生长技术，研究了晶体的吸收光谱、衍射效率和响应时间。与Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３相比，Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体响应速度快，且衍效率较高，并具有较宽的角度响应范围，是一种优良的全意记录介质材料。     

Ce：Pr：LiNbO3晶体的生长及其光折变特性的研究

本文报道了Ｃｅ：Ｐｒ：ＬｉＮｂＯ３晶体的生长。测试了晶体的指数增益系数、衍射效率、位相共轭反射率和响应时间。以Ｃｅ：Ｐｒ：ＬｉＮｂＯ３晶体作存储元件，实现全息关联存储，图象清晰完整。     

光折变Ce：Nd：LiNbO3晶体用于实时光学图象处理

Ｃｅ：Ｎｄ：ＬｉＮｂＯ３晶体具有优良的光折变性能，它作为全息记录介质，用于实现了光学图象微分和全息关联存储。     

Pr∶Fe∶LiNbO3晶体的生长及其四波混频位相共轭效应的研究

本文报道了Ｐｒ∶Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３晶体的生长，利用简并四波混频测试了Ｐｒ∶Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３晶体的位相共轭反射率、响应时间、光电导、位相工轭温度效应。并且测试了Ｐｒ∶Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３晶体的非简并四波混频变位相共轭反射率和抗光散射能力。研究和探讨了Ｐｒ∶Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３晶体提高响应速度和抗光散射的机理。     

Mg：LiNbO3及Nd：Mg;LiNbO3晶体畴结构与单畴化研究

本文对Ｍｇ；ＬｉＮｂＯ３及Ｎｄ：Ｍｇ：ＬｉＮｂＯ３晶体的畴结构与单畴化条件进行了系统的研究；报道了主要晶面的畴结构特征；确定了合适的极化温度和电流密度。     

Eu：Zn：LiNbO3晶体全息存储性能的研究

在ＬｉＮｂＯ３中掺进Ｅｕ２Ｏ３和ＺｎＯ生长Ｅｕ：Ｚｎ：ＬｉＮｂＯ３晶体。采用二波耦合光路测试晶体的指数增益系数和衍射效率。以Ｅｕ：Ｚｎ：ＬｉＮｂＯ３晶体作为存储元件，实现了全息关联存储。     

Zn：Eu：LiNBO3晶体光折变效应的研究

本文报导了Ｚｎ：Ｅｕ：ＬｉＮｂＯ３晶体的１１生长，测试了晶体抗光致散射能力。研究Ｚｎ：Ｅｕ：ＬｉＮｂＯ３晶体的二波耦合效应和四波混频效应。结果表明，Ｚｎ：Ｅｕ：ＬｉＮｂＯ３晶体具有较高的的抗光致散射能力和响应速度。     

Ce：Fe：LiNbO3晶体的双泵浦相位共轭研究

本文报道采用Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体由多波作用产生的相位共轭波（双泵浦、自磁浦相位共轭、四波混频）；获得了４４％的双泵浦相位共轭反射率。对以上现象我们理论上进行了分析。     

Zn：Nd：LiNbO3晶体的生长及其抗光折变效应

在生长ＬｉＮｂＯ３过程中掺进６ｍｏｌ％ＺｎＯ和０．２ｍｏｌ％Ｎｄ２Ｏ３生长了Ｚｎ：Ｎｄ：ＬｉＮｂＯ３晶体。测试了晶体的吸收光谱，荧光光谱和抗光损伤阈值，应用简并四波混频技术研究了Ｚｎ；Ｎｄ：ＬｉＮｂＯ３晶体的光折变效应，它的光栅形成机制是异常光生伏特效应，它的抗光损伤能力比Ｎｄ：ＬｉＮｂＯ３晶体提高二个数量级，这是由于光电导的增强而引起的。     

Ce：Mn：LiNbO3晶体中的自泵浦相位共轭效应

本文报道了用Ｃｅ：Ｍｎ：ＬｉＮｂＯ３晶体构成的环形自泵浦相位共轭振荡器及其所产生的４９％的自泵浦相位共轭反射率。同时，借助红外灯的加热，在晶体中引入一热涨落，使相位共轭波出现脉动，此外，又利用晶体缺陷对光的散射观察到衍射光环（锥）。     

Ce：Fe：LiNbO3晶体的生长与其四波混频效应的研究

本文报道了Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯｅ晶体的生长，采用简并四波混频光路测试晶体相位共轭反射率、响应时间和相位共轭温度效应，在６３２．８ｎｍ和４８８．０ｎｍ波长的非简并四波混频中，获得了变频相位共轭光，具有温度增强效应。     

γ射线辐照Ce：LiNbO3晶体光折变增强的研究

通过吸收光谱的研究，确诊γ射线辐照引起民的ＬｉＮｂＯ３晶体内出现Ｖｏ等缺陷。经过γ射线辐照处理后的Ｃｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体型人二波耦合指数增益系数比处理前有所提高，我们认为这各光折变增强的原因是晶体现内缺陷浓度增大，使载流子的电离和迁移运动更为有利。     

Zn：LiNbO3晶体的生长及其抗光损伤能力增强的研究

ＬｉＮｂＯ３中掺入ＺｎＯ，用提拉法生长Ｚｎ：ＬｉＮｂＯ３晶体。测试了晶体的红外透射光谱，抗光损伤能力，光电导和倍频性能。研究和探讨了高掺锌铌酸锂晶体抗光损伤增强的机理。     

助熔剂法生长片状硼酸铁单晶及其磁光性能

本文采用助熔剂法，从Ｆｅ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－ｐｂＯ／ＰｂＦ２系统中生长出片状弱铁磁性ＦｅＢＯ３晶体。用磁光调制倍频法测出ＦｅＢＯ３单晶在可见光区的法拉第旋转谱，并用分光光度计测出该晶体的光吸收谱，得出表征材料磁光性能的优值与波长的关系，并对ＦｅＢＯ３晶体生长与磁光性能作了讨论。     

近红外半导体激光器的切伦科夫波导倍频研究

利用质子交换ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ３平板波导研究了对近红外半导体激光器的切伦科夫倍频特性实现了对９５６ｎｍ和８０４ｎｍ半导体激光器的直接倍频，得到了４７８ｎｍ的倍频光和４０２ｎｍ的倍频紫光输出。     

LiF：Mg^2＋晶体中类F^＋2心的形成及稳定性研究

通过对吸收光谱及荧光强度的研究，本文讨论了几种不同掺杂浓度的ＬｉＦ：Ｍｇ＾２＋晶体中室温下Ｆ＾＋２心的热衰变及Ｍｇ＾２＋－Ｆ＾＋２－Ｖｃ心的形成过程和稳定性，并讨论了Ｍｇ＾２＋－Ｆ＾＋２－Ｖｃ心的形成速度与晶体中的Ｍｇ＾２＋离子浓度的关系。     

Nd：YVO4和Nd：YLiF4晶体的荧光特性

测试了Ｎｄ：ＹＢＶＯ４和Ｎｄ：ＹＬｉＦ４晶体的吸收和荧光谱，并根据Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ理论计算了Ｎｄ＾３＋离子在ＹＶＯ４、ＹＬｉＦ手ＹＡＧ晶体中的唯象强度参数Ω、Ω４，利用这些值计算了振子强度ｆＪＪ，荧光寿命ｒｊ，荧光分支比βＪＪ和辐射截面σ等光谱参数。从速方程计算了Ｎｄ＾３＋离子这三种晶体中的最佳掺杂浓度。论述了ＹＶＯ４和ＹＬｉＦ４作为基质晶体的优点。     

Cr^3＋：BeAl2O单晶的特性及生长工艺的改进

描述了掺Ｃｒ＾３＋离子的紫翠宝石（Ｃｒ＾３＋：ＢｅＡｌ２Ｏ４）单晶的晶体结构、物理性质、晶体的吸收光谱与发射光谱及其激光特性。讨论了用引上法生长Ｃｒ＾３＋：ＢｅＡｌ２Ｏ４晶体的一些工艺问题中。引上法晶体生长过程中选用较慢的提拉速度、较快的转束客生长较大直径的晶体的工艺参数,能够生长出高质量的Ｃｒ＾３＋：ＢｅＡｌ２Ｏ４单晶本。我们的实验表明,采用温梯法也能生长出高质量的Ｃｒ＾３＋：ＢｅＡｌ２Ｏ４单晶     

热液条件下BGO微晶粒结晶习性形成机理

本文研究了热液条件下ＢＧＯ（Ｂｉ１２ＧｅＯ２０．Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２）微粒结晶习性形成机理。根据热液条件下晶体生长基元为负离子配位多面体结构的理论模型，设计了生长ＢＧＯ晶粒时Ｂｉ－Ｏ６八面体和Ｇｅ－Ｏ４四面体的比例和生长工艺，制备出结晶完好的晶粒，提出Ｇｅ－Ｏ４四面体结晶方位与各个面族之间的显露规律。Ｂｉ１２ＧｅＯ２０晶体中（１１１）面族顽强显露，晶粒呈三次对称，表现出极性晶体的生长特征。Ｂｉ４Ｇｇ