阳极氧化铝模板限域制备一维杂化纳米材料及其多样化应用的研究进展

一维杂化纳米材料以其独特的物理化学性质,在电学、光学、催化等领域得到了广泛的应用。 其制备方法对一维杂化纳米材料性能的改变和调控显得至关重要。 模板法作为一种简单而普适的合成工艺,近几年来被广泛应用于纳米结构和纳米阵列的合成。 本文主要介绍了阳极氧化铝(AAO)模板法制备一维杂化纳米材料整体情况、AAO模板结合其他技术材制备材料的方法、一维杂化纳米材料在刺激响应性器件、能量存储与转换器件、催化等众多领域的应用。     

大长径比有序多孔阳极氧化铝模板的制备及用于镍纳米线阵列

报道一种恒电流二次氧化制备大长径比(>1000)阳极氧化铝(AAO)模板的方法,研究氧化时间和氧化电流密度分别对制备的AAO模板的表面形貌、孔径大小、厚度等的影响.结果表明,AAO模板的表面形貌及厚度n受m氧、厚化度电约流为密2度00及μ氧m、化长时径间比的为影10响0;-当13氧00化的电高流质密量度A为AO8模m板A·.c采m用-2电时化,氧学化沉1积8方h能法在制制备备出的孔A径A为O模15板0-的20孔0中成功制备了Ni纳米线阵列,分别用扫描电镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)和X射线能量散射光谱(EDS)对其进行了表征;结果显示,制备的Ni纳米线排列整齐有序,每根Ni纳米线直径几乎相同,约150nm,长度约为180-200μm,长径比为1200-1300,与AAO模板的参数一致.研究了Ni纳米线阵列的长径比对其磁性能的影响,发现大长径比的Ni纳米线阵列具有明显的磁各向异性,而长径比约为200的Ni纳米线阵列未表现出明显的磁各向异性.本文结果表明,恒电流二次氧化方法能制备大长径比的AAO模板,并能用于制备大长径比的一维纳米材料阵列,可望在制备具有特殊光学、磁学等性能材料方面得到应用.     

阳极氧化铝模板上热扩散法制备MoOx纳米阵列

采用简单的热扩散法, MoO3可在模板纳米孔道内有序生长, 经还原后获得MoO2和金属Mo纳米管／线阵列. 运用XRD、SEM、TEM、HRTEM等技术对产物进行了表征. 结果表明: 在70 nm孔径的阳极氧化铝模板上, H2/N2气氛下600 ℃时的还原产物为单晶MoO2; 而在50 nm的模板上, 同样条件的还原产物为MoO2微晶聚合体. 乙醇的加入能够大大改善产物的形貌. H2气氛, 650 ℃以上温度下进一步还原得到了金属Mo纳米管阵列.     

铝基阳极氧化铝模板水热法制备TiO2纳米管阵列

在(NH4)2TiF6的水溶液中,以铝基阳极氧化铝为模板,采用水热法制备了TiO2纳米管阵列. 使用场发射扫描电镜和X射线衍射对水热合成产物进行了表征. 实验结果表明,水热处理所得TiO2纳米管阵列具有特殊的形貌,其表面为连续的多孔状,断面为不连续、相互分离的管状;管口和管壁分别由平均粒度约45和25 nm的微细TiO2颗粒紧密堆积而成. 采用本方法制备的TiO2纳米管阵列无需热处理便已具有明显的锐钛矿型晶相特征.     

制备不同孔径的氧化铝模板

将适量的有机溶剂加入电解液中，在15 ℃左右制备得到孔径大于200 nm的氧化铝模板.该法使电解时间缩短，加快了制备模板的过程， 是氧化铝模板的有效制备方法.将该方法与传统方法相结合，可以制备孔径在20～250 nm间的氧化铝模板. 实验表明：有机溶剂的加入可有效避免电解时热量的迅速产生, 通过改变实验条件可调控氧化铝模板的孔径.     

氧化铝模板电沉积功能纳米材料研究进展

近年来氧化铝模板电沉积功能纳米材料的技术得到了较快的发展.综述了氧化铝模板电沉积功能纳米材料的最新研究方法,介绍了国内外氧化铝模板电沉积法在制备功能纳米材料上的应用.     

特殊型纳米多孔阳极氧化铝模板的制备

多孔阳极氧化铝(PAA)模板具有六角有序排列的柱形孔,且孔径均匀可调,加之其良好的机械和热稳定性,在纳米材料领域得到了广泛研究和应用。近年来,人们通过改变铝阳极氧化条件制备出了多种特殊型纳米PAA模板,并利用这些模板结合物理或化学方法成功地合成了多种新型纳米功能材料。本文在简要介绍常规纳米PAA模板制备的基础上,较全面地综述了诸如孔道呈分叉形、锯齿形、骨形、倒圆锥形,孔洞呈菱形、三角形、正方形,孔道或孔壁结构呈周期性变化等特殊型纳米PAA模板的制备,揭示了电场强度和电解液种类、温度在PAA孔洞形貌尺寸调控方面的重要性,并展望了这类模板的发展方向及应用前景。     

双通氧化铝模板制备及其填充NiO的研究

制备具有双通纳米孔道填充过渡金属氧化物NiO的氧化铝模板,初步表征其电化学性质.结果发现,该氧化铝模板的纳米孔道结构均匀,孔道直径约为 50nm,所填充的纳米NiO层厚度相对均匀,并具有较好的循环稳定性.     

氧化铁纳米线阵列的溶胶-凝胶模板法制备与表征

0引言氧化铁在颜料、磁记录材料和催化剂等方面具有广泛的应用[1,2]。尤其是纳米氧化铁在纳米尺度具有良好的气敏特性[3]。纳米材料可以分为零维、一维、二维纳米材料,一维材料是纳米材料的重要组成部分,是纳米组装的基础。一维纳米材料的制备方法中氧化铝模板法占有极其重要的     

溶剂交换法制备一维有机纳米材料

利用溶剂交换法制备了几种有机小分子化合物的一维纳米材料,并分别用SEM、TEM、XRD等对其结构进行了表征.分析了纳米材料的生长过程,讨论了有关的机理,并研究了其吸收光谱和荧光光谱等光物理行为.结果显示,有机纳米结构的形貌和尺寸对分子聚集体的光谱性质具有调制作用,使得它们展示出不同于溶液和体材料的优良纳米特性.     

超临界co2中模板法制备氧化铝多孔材料

超临界co2;活性炭;模板;氧化铝;多孔     

非通孔多孔氧化铝基底上原位生成Pd纳米材料的制备及应用

以非双通的多孔氧化铝(AAO)(Al基底为支撑体)为模板,基底Al作为还原剂,在AAO孔道内原位合成了Pd单质(Pd/AAO)。本文详细研究了AAO阻挡层的去除以及Pd/AAO的酸腐蚀处理后的情况。采用扫描电子显微镜观察了不同条件下形成的形貌,提出了一个近似合理的生成Pd单质的机理。评价了其对苯硼酸和对溴苯甲醛Suzuki反应的活性。摩尔分数0.06%Pd催化剂在温和的实验条件下可以高效催化Suzuki反应,产率达到99.8%。Pd/AAO固体片状结构在液相反应中直接从溶液中取出即可进行下一次反应,易于分离和回收,可使用性强。此研究为有机反应异相催化剂的设计提供了一个有效的思路,在实际应用中具有一定的指导意义。     

硅基多孔氧化铝模板非水电沉积CdS纳米线的研究

纳米材料,包括尺寸为纳米量级的超细微粒?线?薄膜?量子阱和超晶格等引起了人们广泛的重视 [1,2] ?其中 , 半导体纳米微粒和由其构成的纳米固体结构开辟了材料科学研究的新领域?硫化镉 (CdS) 作为一种重要的Ⅱ - Ⅵ族无机半导体材料 , 具有独特的光电性质 , 在光电化学电池和多相光催化反应中都有广泛应用?近年来 , 已有大量关于合成 CdS 纳米结构的文献报导 [3～12] , 所采用的方法如反胶束法?单分子膜法?自组装法以及电化学沉积法等 , 其中非水电解与模板技术相结合的制备方法引起了人们高度的重视并且被广泛的采用?自从 Baranski 等在上…     

模板法制备无机纳米材料的研究进展

模板法在无机纳米材料的制备过程中能够有效地控制形貌、粒径和结构,已成为合成无机纳米材料的前沿方法。综述了模板法制备无机纳米材料的研究进展,主要介绍了硬模板剂(多孔阳极氧化铝、介孔碳)和软模板剂(高分子聚合物、生物高分子)的制备及其应用,结合模板法的作用机制,重点论述了不同种类的模板剂在无机纳米材料制备过程中对于形貌的影响。并对模板法制备无机纳米材料的前景和现存问题进行了总结。参考文献35篇。     

多孔氧化铝有序膜的制备研究

本文用阳极氧化法分别在硫酸和草酸电解液中成功制备出高度有序、具有纳米级孔洞的氧化铝有序阵列模板。采用饱和HgCl₂去除Al基体后,得到典型六方形结构的多孔Al₂O₃有序膜。通过改变氧化电压、氧化时间等条件使模板的孔径、孔深可调、膜厚度可控,并系统研究了对模板有序性、孔径、膜厚度等的影响因素,总结出制备Al₂O₃有序膜的最佳工艺。     

氧化钴纳米管的制备和模板剂多孔氧化铝的孔洞结构

以草酸电解液制备的多孔氧化铝作为模板,采用硝酸钴溶液浸润法,合成出氧化钴纳米管．通过对分叉氧化钴纳米管成因研究,指出氧气气泡的作用是形成多孔氧化铝纳米孔洞结构的主要驱动力．     

氧化铝模板中直流电沉积镍纳米线

氧化铝模板中直流电沉积镍纳米线;多孔阳极氧化铝模板;镍纳米线;电沉积     

利用AAO模板合成纳米材料

利用AAO模板合成纳米材料;氧化铝;纳米结构;综述     

氧化锌纳米点阵列体系的制备及发光性能

A novel nano-masking technique based on porous alumina membrane as mask was developed for preparing ZnO nanodots on Si substrate. The as-deposited nanodots with uniform size were in two-dimensional, regular array, whose regular structure and diameter were closely related to the mask used. Photoluminescence results show that the ZnO nanodot array have a strong UV light emission peak around 380 nm and a wide blue-green light emission peak at 460～610 nm at room temperature. The former corresponds to the near band edge emission of the wide band-gap ZnO and the latter could be attributed to the recombination of a photogenerated hole with singly ionized oxygen vacancy.