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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 826 毫秒
1.
离子交换玻璃波导1×8多模干涉光功分器的研制   总被引:4,自引:1,他引:3  
利用三维有限差分光束传输法(3D-FDBPM)对渐变折射率波导中自镜象效应进行分析与模拟,在此基础上,利用K+-Na+离子交换在国产K9光学玻璃上制作了1×8多模干涉(MMI)光功分器,测试表明,该器件初步实现了光均分功能.  相似文献   

2.
利用北京正负电子对撞机 (BEPC)和北京谱仪 (BES) ,基于在质心系能量s=4.0 3GeV的e+ e-湮没中 ,D+ s 单标记的分析结果 ,测定了D+ s →K 0 K+ 和D+ s →K0 K+ 衰变的分支比。其结果Br(D+ s →K 0 K+ ) =(3.0 2± 0 .94±0 .91) % ,Br(D+ s →K0 K+ ) =(3.2 8± 1.2 2± 0 .94) %与世界平均值在误差范围内一致 .用π+ ,K 0 K+ ,K0 K+ 作为单标记 ,共观测到 94± 13个D+ s 事例 ,测得在e+ e-湮没中D+ s D-s 对产生的截面为σprodD+s D-s =45 1± 6 3± 118pb .  相似文献   

3.
白景芝 《中国物理 C》2001,25(6):465-475
利用北京正负电子对撞机(BEPC)和北京谱仪(BES),基于在质心系能量s=4.03GeV的e+e–湮没中,D+s单标记的分析结果,测定了D+s→K0K+和D+s→K0K+衰变的分支比.其结果Br(D+s→K0K+)=(3.02±0.94±0.91)%,Br(D+s→K0K+)=(3.28±1.22±0.94)%与世界平均值在误差范围内一致.用π+,K0K+,K0K+作为单标记,共观测到94±13个D+s事例,测得在e+e–湮没中D+sD–s对产生的截面为σprod D+s D–s=451±63±118pb.  相似文献   

4.
利用K+-Na+和Ag+-Na+两步离子交换得到掩埋型光波导.该方法抑制Ag+-Na+离子交换时产生的Ag+微粒,降低波导损耗,增加波导截面的圆对称性,从而提高光波导器件的性能.用该方法制作了1×8光功分器,其插入损耗平均为10.9 dB.  相似文献   

5.
利用北京谱仪(BES–Ⅰ)在北京正负电子对撞机(BEPC)e+e–质心系能量为4.03GeV处采集的积分亮度为22.3pb–1的数据,研究了D0→K0sπ+π–,D0→K0sK+K–的衰变及其末态的共振结构.实验测得D0→K0sπ+π–过程的分支比为(5.32±0.53±0.40)%;D0→K–π+,D0→K0ρ0和D0→K0s(π+π–)non resonance过程的分支比分别为(6.05±0.32±0.49)%,(1.17±0.17±0.13)%和(1.35±0.22±0.17)%;测得D0→K0sK+K–,D0→K0和D0→K0(K+K–)non?的分支比分别为(1.04±0.2?4±0?.16)%,(1.12±0.34±0.15)%和(0.27±0.13±0.03)%.  相似文献   

6.
基于多组态Dirc-Fock方法和密度矩阵理论,?给出了原子序列双光双电离光电子角分布的计算表达式,开发了相应的计算程序.?利用该程序计算了Ar原子和K+离子np?(n?=?2,?3)壳层的光电离截面、电偶极和非偶极角各向异性参数,?进一步给出了光电子的角分布情况.?结果表明:?在序列双光双电离中两次光电离过程相互影响...  相似文献   

7.
赵渭忠  张守业  黄敏  张在宣 《光学学报》2000,20(12):694-1698
用熔盐法生长了两种Bi替代的高法拉第旋转、温度稳定的稀土铁石榴石磁光单晶Bi-HoYbIG和Bi-GdYIG,测试分析了其在近红外波段的磁光性能及其温度特性。Ho3-z-y,YbyiBixFe512(x=1.03,y=1.20)单晶的比法拉第旋转角为-891°/cm(λ=1.31μm)和-767°/cm(λ=1.55μm),Y3-z-yGdyBixFe5O12(x=0.46,y=0.24)单晶的值为-1067°/cm(λ=1.31μm)和-882°/cm(λ=1.55μm),两者都比纯YIG晶体高出许多。而且这两种晶体的法拉第旋转角随温度变化较小,在250~400K范围内,其温度灵敏度S分别为4. 60×10-4/K和4. 20×10-4/K。分析表明,Bi的掺入能大大提高晶体的法拉第旋转角,而yb3+、Gd3+等离子的掺入可以有效降低Bi3+替代磁光单晶的法拉第旋转的温度灵敏性,Bi-HoYbiG和Bi-GdYIG等磁光晶体非常适合作为高灵敏度、温度稳定的光纤电流传感器中的法拉第转子材料。  相似文献   

8.
采用旋转甩涂法在钾离子(K+)交换玻璃光波导表面制备了聚乙烯吡咯烷酮(PVP)-环糊精复合薄膜,研制了PVP-环糊精薄膜/K+交换玻璃光波导传感元件,并对挥发性有机气体进行了检测。该气敏元件对苯乙烯和二甲苯具有较好的响应,并能够检测到体积比为1×10-6的苯乙烯和1×10-5的二甲苯。还具有响应及恢复速度快、容易制备等特点。  相似文献   

9.
基于微扰量子色动力学(pQCD),计算了考虑核遮蔽效应和喷注淬火效应的pp和PbPb碰撞中大横动量K和π的光生过程的产额。在光生过程中可以看到K~+/π~+的增强。数值计算结果表明,所考虑的光生过程对K和π产生是一个很好的修正。  相似文献   

10.
飞秒时间分辨质谱方法研究CF3I光电离动力学   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用飞秒双色泵浦 探测 (pump probe)飞行时间质谱方法研究了CF3 I分子多光子电离动力学 ,所用泵浦光及探测光的中心波长分别为 2 6 5和 398nm .获得了母分子离子CF3 I+ 信号及其碎片离子CF3 + 和I+ 信号的寿命衰减常数分别为 (96± 7)、(198± 13)和 (16 7± 6 )fs.这些离子产生的多光子通道机理不同 :CF3 I来自 (1+2′)跃迁 ,单光子泵浦光与CF3 IA带共振 ;驭光子泵浦光激发CF3 I分子到 5 pπ7sδ(2 Π1/ 2 )里德伯态 ,单光子探测光电离产生的母分子离子解离产生CF3 + ;I+ 来自 (2 +2′)和 (1+1′ +2′)激发过程  相似文献   

11.
利用北京谱仪 (BES -Ⅰ )在北京正负电子对撞机 (BEPC)e+ e-质心系能量为 4 .0 3GeV处采集的积分亮度为 2 2 .3pb-1的数据 ,研究了D0 →K0sπ+ π-,D0 →K0sK+ K-的衰变及其末态的共振结构 .实验测得D0 →K0sπ+ π-过程的分支比为 (5 .32± 0 .5 3± 0 .4 0 ) % ;D0 →K -π+ ,D0 →K0 ρ0 和D0 →K0s(π+ π-)non resonance过程的分支比分别为 (6 .0 5± 0 .32± 0 .4 9) % ,(1.17± 0 .17± 0 .13) %和 (1.35± 0 .2 2± 0 .17) % ;测得D0 →K0sK+ K-,D0 →K0 和D0 → K0 (K+ K-) non 的分支比分别为 (1.0 4± 0 .2 4± 0 .16 ) % ,(1.12± 0 .34± 0 .15 ) %和 (0 .2 7± 0 .13±0 .0 3) % .  相似文献   

12.
测量了K- Cs混合蒸气中碰撞能量合并过程K(4P) +Cs(5D)→Cs(6S) +K(4D ,6S)速率系数,测量是相对于已知速率系数的过程[即Cs(6P) +Cs(5D)→Cs(6S) +Cs(7DJ) ]进行的。利用激光光解K2 和Cs2分子,得到Cs(6P ,5D)和K(4P)态原子,探测直接由光解离产生的原子发射的与由碰撞转移而布居的原子激发态发射的荧光的相对强度,结合Cs(6P)和K(4P)态的有效寿命,得到异核碰撞能量合并速率系数分别为2. 6×10 -9和3 .6×10 -9cm3 ·s-1。讨论了其他过程对速率系数的影响。  相似文献   

13.
通过高温固相反应在空气中制备了BaMgSiO4:Eu2+/Eu3+发光材料,利用粉末X射线衍射(XRD)、红外光谱(FTIR)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL)对合成的样品进行表征。研究表明,在393nm激发光激发下,BaMgSiO4:Eu2+/Eu3+材料同时表现出Eu2+和Eu3+的发射光谱;改变NH4Cl质量分数可有效调整Eu2+和Eu3+的发光强度,实现从绿光到白光的有效调控。Eu3+发光强度随着NH4Cl用量增加而增大;当NH4Cl质量分数为5%时,Eu2+和Eu3+的发光强度比(IEu2+/Eu3+)最低,可获得国际照明委员会(CIE)色坐标为(0.37,0.38)、色温(CCT)为4300K的暖白光。BaMgSiO4:Eu2+/Eu3+表现出良好的热稳定性,在200℃时,其发光强度仅下降了15%。研究表明BaMgSiO4:Eu2+/Eu3+荧光粉可作为潜在的单一掺杂单一组成的白光发光二极管(LED)发光材料。  相似文献   

14.
K(m,n)方程的对称性约化   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
王烈衍 《物理学报》2000,49(2):181-185
利用对称性约化的直接法,给出了具有非线性色散情况下的K(m,n)模型的所有对称性约化.从第一种约化方程的Painlev啨性质分析可知,K(m,n)模型仅当m=n+1和m=n+2时是可积的.特殊情况下(行波约化),这种约化的解可用一个积分表示.给出了K(m,1)和K(m,m)的一般孤波解的明显表达式. 关键词:  相似文献   

15.
采用高温固相法合成了Li+、Na+、K+和Si4+作为电荷补偿剂的Ca2.96Eu0.04(PO4)2白光LED用红色荧光粉。采用X射线衍射仪、荧光光谱仪对材料的物相和发光性能进行了表征。样品的激发光谱由200~310 nm的电荷迁移带和310~500 nm的锐线光谱组成,其中396 nm的激发强度最大。发射光谱主要由5D0→7F1(593 nm)和5D0→7F2(616 nm)跃迁导致的发射峰构成。掺入Li+、Na+、K+和Si4+可以有效提高Ca2.96Eu0.04(PO4)2荧光粉的发光强度,同时对荧光粉的寿命和色坐标影响不大。荧光粉的色坐标均位于红色区域。  相似文献   

16.
高位K_2分子与基态K原子及H_2分子间的激发转移   总被引:1,自引:0,他引:1  
激光双光子激发K2至1Λg高位态,利用分子荧光光谱方法,研究了1Λg-3Λg间的碰撞转移截面。在纯K实验中,池温控制在553至603 K之间,K原子密度由光学吸收法测量得到。探测1Λg-11Σu+的直接时间分辨荧光的光强,它是一条纯指数衰减曲线,由此得到1Λg+态的有效寿命,有效寿命的倒数与K密度成线性关系,从直线的斜率得到1Λg态的猝灭截面为(2.5±0.3)×10-14cm2,从截距得到辐射寿命为(20±2)ns。由3Λg→13Σu+转移荧光的时间分辨谱,用类似的方法得到3Λg的猝灭截面为(2.5±0.6)×10-14cm2,辐射寿命为(16.0±3.2)ns。由1Λg→11Σu+与3Λg→13Σu+的时间积分强度比得到K2(1Λg)+K→K2(3Λg)+K的转移截面为(1.1±0.3)×10-14cm2。在K2-H2碰撞实验中,池温保持在553 K,K密度为5×1015cm-3,H2气压在40~400 Pa之间,其中K2-K碰撞效应是不能略去的,但可以用纯K结果扣除,得到K2(1Λg)+H2→K2(3Λg)+H2的碰撞转移截面为(2.7±1.1)×10-15cm2。K2(3Λg)+H2→K2(3Λg)以外态+H2的猝灭截面为(6.8±2.7)×10-15cm2。  相似文献   

17.
YAIO_3:Nd~(3+)的激光感生荧光   总被引:2,自引:1,他引:1  
首次用Ar~+激光5145(在300K和90K下)和用染料激光5891(在300K下)激发YAlO_3:Nd~(3+)的感生荧光,并用Ar~+激光4880A激发了它的~4F~(3/2)→4I~(9/2)跃迁的荧光(在300K和90K下)。观察到在300K和90K下荧光相对强度的比值关系I_(R1→Z1)/I_(R2→Z1)的反转  相似文献   

18.
时空非对称光脉冲在饱和自聚焦克尔介质中的传输   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
综合考虑了在(2+1)维饱和自聚焦克尔介质中空间和时间非对称光脉冲的传输问题-利用变分法得到了光脉冲在传输中的准动量、能量守恒律-利用数值法研究了初始不对称光脉冲饱和强度、耦合强度对其束宽、脉冲宽度的影响-  相似文献   

19.
采用固相法制备了绿色LiM(M=Ca,Sr,Ba)BO3:Tb3+发光材料.测量结果显示材料均可被紫外(350~410 nm)光激发,发射绿光.研究了Tb3+浓度对材料发射光谱的影响,结果显示,随Tb3+浓度的增大,发射光谱峰位未发生变化,但其强度呈现出先增大后减小的趋势,即:存在浓度猝灭效应.加入电荷补偿剂Li+,Na+和K+提高了LiM(M=Ca,Sr,Ba)BO3:Tb抖材料的发射强度.  相似文献   

20.
张梅  丁唯嘉  王静  苏锵 《发光学报》2010,31(1):31-38
采用高温固相法合成出系列黄绿色Sr1-yEuySi2O2-zN2+2z/3荧光材料,进行了光学性质表征并探索了其在LED上的应用。在Eu2+掺杂浓度为0~0.200范围内,所合成的化合物为系列色坐标可调的黄绿光-黄光连续固溶体,在250~500nm具有高的激发效率,激发和发射光谱位置及其发射强度随Eu2+浓度改变产生规律性变化;利用光谱理论系统研究了Eu2+的最低5d吸收能级、5d轨道重心移动、晶体场分裂和Stokes位移对激发和发射光谱位置、半峰全宽和荧光寿命的影响及其相互关系。该类荧光材料在77~425K具有良好的温度特性,425K时的发射强度为77K的58%左右。首次将它们和近紫外LED(~400nm)、蓝光LED(~460nm)封装成高亮度黄绿光和黄光LED以及白光LED,发光效率高达19lm/W,这些封装的LED的发光性能也随着Eu2+浓度,以及粉胶比例变化而呈规律性变化。  相似文献   

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