实用场发射电子枪虚源半径的测量

本文在分析产生和影响实用场发射电子枪（ＦＥＧ）虚源半径各种因素的基础上，提出一种直接测量ＦＥＧ虚源半径的新方法－－场电子显微镜（ＦＥＭ）法。用该法对一实际ＦＥＧ的虚源半径作了实验测定，并与著名的球－－锥面模型进行比较，结果是一致的。表明该方法不仅简单且行之有效，具有实用价值。     

一种高亮度点状场发射电子枪的研制

本文对一种自制的场发射电子枪的结构、使用以及发射和稳定特性作了详细的报道。     

W[111]尖端场发射电子枪的工作特性

本文报道了单晶W[111]尖端的制作,以及由W[111]尖端阴极,第一、二阳极组成的三极场发射电子枪(FEG)的工作特性。实验结果表明,这种FEG在枪室真空为510-7Pa,加速电压在30kV的条件下,其虚源半径为1.6nm;亮度为3.8109A/cm2.sterad;场发射电流为1A时,束流稳定性为5%(10min内)。说明它是一种较理想的点状电子源,在实际应用中具有广泛发展前景。     

场发射电子枪亮度测定的一种新方法

本文报导了通过测量场发射电子显微镜(FEM)分辨率,来测定场发射电子枪亮度的新方法。与考虑了系统像差影响的球——锥面模型理论的计算结果进行了比较,二者结果基本一致。     

阵列场发射电子源的新进展

阵列场发射阴极与真空微电子学是当前国际电子学领域的研究热点之一 ,发展迅速,某些先进电子物理装置的真空不加热电子源也有相应发展。根据这一趋势,按真空电子发射学科的特点,抓住其中研究与报道相对集中的阴极类型,进行了扼要的总结、归纳与评价;对近年来信息显示学科领域内已发展为实用的阵列等离子体电子源也进行了简单的介绍。     

计算强流电子枪的SLAC预处理程序

为建立 SLAC 电子轨迹计算程序所需的 GUN.INP 文件,编制了有关预处理程序。该软件具有优良的功能,有助于提高电子枪设计的精度与效率。它已被本文所提供的设计实例所证实。     

真空微电子器件的场发射理论计算模型

本文建立了个真空微电子器件场发射理论计算模型；依此模型对Ｓｐｉｎｄｔ阴极的计算结果与实验符合很好     

场发射枪电子光学特性的数值模拟

本文利用改进的电荷密度法（ＣＤＭ）和更接于实际阴极工作模型来模拟场发射枪的电子光这性质，文中提出了一种专门的六点求积公式用它可以精确地计算场发射体表面附近的电位；同时采用了阴极工作在部份空间电荷限制下的球面二极管模型，计算结果证明，这种方法对场发射枪电子光学性质的研究有实际的应用价值。     

场致发射阵列阴极电子枪的设计及模拟研究

讨论了微波管用电子枪的一般参数和要求，对于在微波管中应用场发射阵列阴极电子枪的情况作了分析，表明其中存在的主要问题是电子注散焦。通过比较场发射电子注聚焦的几种方法，利用传统电子枪整体聚焦的思想，初步设计了一个场发射阵列阴极电子枪模型，它包括场致发射阵列阴极，一个Whelnelt电极，一个聚焦电极和一个阳极。通过利用Mafia软件对电子注轨迹的模拟计算，对电子枪的聚焦部分进行了改进。     

具有微小栅极孔径的场发射阴极的模拟

利用有限元方法计算了具有微小栅极孔径的Spindt结构场发射阴极在不同栅极形状、孔径、电压下的电场分布和电子轨迹，并根据电子运动轨迹计算了场发射电子束的发散角和发射效率。计算结果表明微小栅极孔径可以有效减小场发射电子束的发散，同时通过调整栅极的形状可以获得较高的场发射效率。     

用实测方法求取某型高炮跟踪解算模型

某型高炮模拟训练器对该型高炮操作手进行与实战相仿的各种训练,工作时取代炮位计算机的各项功能。在某型高炮跟踪解算模型不可知的情况下,实测记录跟踪圆环在不同的身管角速度和击发距离档下的运动数据,利用线性参数模型最小二乘辨识的原理编制程序进行直线拟合,找出它的运动规律,形成近似的跟踪解算模型。该型高炮模拟训练器的工作程序引用了此近似模型,并经实践证明此跟踪解算模型与实际模型高度接近,完全可以满足模拟训练的需要。     

硅场致发射理论模型

本文讨论影响硅场致发射的因素，以及建立硅场发射理论应考虑的问题。     

场致发射显示器的现状与发展

通过对场致发射显示器（FED）发展现状及其应用前景进行系统的比较与分析，着重讨论了场致发射体与其阵列制备工艺以及各种关键技术的优缺点，并介绍国外著名公司的研究动态，展望FED的发展趋势。     

阴极阵列场致发射太赫兹源的起振分析

考虑外场和镜像电荷的影响,对F-N公式进行了改进,利用改进的势垒穿透公式对阴极阵列场致发射太赫兹源的物理机制进行了分析,利用渡越时间效应导出了束波相互作用的能量交换,并在此基础上讨论了电子注能量增量、电子注功率、负载电导和束波转换效率等。     

Theoretical Study on Field Emission Patterns of the Nanotube

The distributions of the electrical potential and field have been given from Maxwell‘s field equations. The results show that there exists very strong electric field intensity on the tip of the nanotube,and the intensity decays rapidly as the distance increases away from the tip. The strong electric field intensity on the tip is consistent with the low threshold voltage under the electric field emission from a nanotube. The calculation also revealed that the higher the aspect ratio is, the stronger the electric field intensity on the tip of the nanotube will be,if the distance and voltage between the cathode and the anode do not change, which predicts the lower threshold voltage under the field emission.