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在750—1050℃的基体温度范围内,对Nb-Ge进行了电子束共蒸发实验.在10~(-5)—10~(-6)托压力下,以数埃/秒的沉积速度蒸发于800—950℃的基体上获得了20—21.9K的高临界温度Nb-Ge薄膜.X-射线结构分析表明基本上为A15结构,或者含有少量的其它相.研究了T_(c)与成分、电阻率比以及点阵参数间的关系.发现在较高温度下沉积时,富Ge薄膜往往伴随四方结构T2相存在;相反,在较低温度下沉积时多出现六方结构的σ-Nb_5Ge_3相。基体表面状态对亚稳A15-Nb_3Ge相的形成或有一定的影响. 相似文献
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在 198 7年初,发现液氮温区超导体几星期之内,研究高温超导薄膜及其器件的工作在各国也随之广泛地展开.由于它在电子学方面的实际应用前景诱人,这些研究工作以前所未有的步伐发展着.这些应用包括单层型器件(如简单互连线、红外探测器和许多微波无源器件)和多层型器件[如复杂的互连线、超导量子干涉器件(SQUID)和约瑟夫森(Josephson)集成电路].在实验室范围内人们已经实现了上述单层型器件的应用,多层型器件也正在发展之中. 超导薄膜的制备是第一个目标.钇钡铜氧(YBa2Cu3O7-x)是首先发现的也是研究得最多的材料.各种物理气相淀积、化学气… 相似文献
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报道了利用电子束蒸发的Mg/B多层膜作为前驱体,然后退火制备MgB2薄膜的工作.实验中发现,采用翻转膜面的退火处理方式可以有效地避免降温过程中Mg蒸气在薄膜表面形成的颗粒凝结,由此稳定地实现了面积为10 mm×10mm,均匀、平整的超导薄膜的制备,Tc达35 K,转变宽度为0.8 K,在5 μm×5 μm的区域内薄膜的平均粗糙度小于10 nm.为了便于后续器件制作过程中的微加工工艺,研究了膜厚小于1000 (A)时薄膜的成相规律,发现当样品厚度减薄后,Te会有明显降低.通过调整前驱薄膜中的不同分层厚度,仍可实现转变温度达30 K以上、厚度约600 (A)的MgB2薄膜,在20 K时的临界电流密度为2.4×106 A/cm2. 相似文献
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在新型超导体MgB2 发现 (2 0 0 1年 )的初期 ,大部分的研究工作是基于多晶样品 .但MgB2 是一种结构上高度各向异性的化合物 (具有六方对称的层状结构 ) ,为了认识它的本征特性 ,有必要制备出高质量的单晶样品并加以研究 .对于MgB2 ,在熔点处的固相和液相 ,其化学组成是不同的 .因此 ,不可能从化学计算比的熔液中生长MgB2 单晶 .较大尺寸的MgB2 单晶可用两种办法生长 :(1)基于压力砧技术的高压方法 ;(2 )在密封的金属容器中对Mg和B的混合物进行加热 .最近 ,来自瑞士ETH -苏黎世固态物理实验室的KarpinskiJ等使用上述第一种方法 ,成功… 相似文献
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20 0 2年 ,我国大部分的手机用户都已从CDMA(codedivisionmultiplexaddress ,中文译名为码分多址 )技术中受益 .现行的第二代移动通信系统使用的是窄带CDMA ;在未来的第三代微波通信系统中 ,将使用宽带CDMA .然而 ,随着装机容量的扩大和网络密集度的增加 ,信号干扰、频率资源不足、错码以及传输速率等问题也将越来越突出 .为此 ,早在10年前国际上多家研究机构就已经开始着手研制通信性能更为优越的高温超导通信基站子系统 ,它主要包括YBCO超导滤波器和相应的微型制冷机(详见何豫生 .物理 ,2 0 0 2 ,31(4 ) :2 0 5 ) .最近 ,来自德国J… 相似文献
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利用脉冲高能量密度等离子体法在光学玻璃衬底上、在室温下成功的制备了光滑、致密、均匀的纳米类金刚石膜.工艺研究表明:放电电压和放电距离以及工作气体种类对纳米类金刚石膜的沉积起着关键作用.利用拉曼光谱、扫描电镜以及电子能量损失谱分析薄膜的形态结构表明:薄膜具有典型的类金刚石特征;纳米类金刚石膜的晶粒尺寸小于20nm甚至为非晶态;类金刚石膜中含有一定量的氮原子,随着沉积能量的升高,氮的含量增大.纳米类金刚石膜的薄膜电阻超过109Ω/cm2.对放电溅射过程进行了理论分析,结果与工艺研究的结论吻合. 相似文献
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优化了各项试验参数,运用后退火方法成功制备了2英寸Tl-2212超导薄膜.为避免真空室污染,制备过程中先利用脉冲激光法在LaAlO3基片上沉积出不含Tl的Ba2CaCu2Ox前驱膜,然后在720~740℃下的流动氩气氛中进行铊化后退火处理,制备的薄膜外观均匀光滑.2θ扫描表明,薄膜具有良好的c轴外延性.SEM图像显示,薄膜以层状生长为主,表面存在孔洞、团状颗粒以及少量针状晶粒.最佳薄膜零电阻温度TC0~108K,临界电流密度Jc>106A/cm2,表面电阻Rs~0.5mΩ. 相似文献
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本文报道了基于混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapordeposition,简称为HPCVD),以硅烷热解出的Si原子作硅源,在SiC衬底上原位生长了一系列硅掺杂MgB_2超导薄膜样品.样品中最大硅掺杂量是9%.与纯净的MgB_2薄膜相比较,掺杂样品的超导临界转变温度T_c没有大幅下降,超导临界电流J_c得到了一定提升.在温度为5K,外加垂直磁场为3T的条件下,样品的临界电流密度最大达到2.7×10~5Acm~(-2).同时上临界场H_(c2)在超导转变温度附近对于温度的变化曲线斜率—dH/dT也有一定的提高. 相似文献
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本报导了延时为2.2ns的TC超导薄膜延迟线的制作工艺。应用直流磁控溅射在10×10mm^2LaAlO3衬底上均匀地外延生长450nm优质YBCO超导薄膜,采用离子束干法刻蚀技术制作出宽为166μm长为174mm的曲折线图形,配以合适的气密性封装,经美国HP8507矢量网络分析仪测量,在温度78K频率1.2GHz时,延迟线的插入损耗低达0.04dB,仅为相同条件下铜膜延一插损的1/160。 相似文献
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在白宝石衬底上沉积的NbGe超导薄膜,其超导转变温度可达23K以上.用透射电镜观察其结构是必要的,但样品的制备过程始终存在复杂的工艺问题.到目前为止,除了用离子轰击减薄方法之外,国内外尚无其他方法. 我们使用国产LJ-Ⅱ型离子轰击减薄装置的性能样机(见图1)1),参考国内外的有关文献[1,2],探索了这一样品的制备工艺.NbGe超导薄膜由中国科学院物理研究所李林等同志制备[3],其透射电镜样品工艺制备如下: 把带有白宝石衬底的NbGe薄膜样品(以下简称样品)用光学树胶贴在载玻片上,NbGe一侧朝里,整个样品由载玻片支持、保护.从白宝石一侧进行… 相似文献
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贝尔业务公司研究部(Bellcore)的科学家们发展了一种利用脉冲准分子激光在基片上制作超导薄膜的新工艺.据称,这种工艺十分可靠而简单,因此这种新材料在电子学方面的商业应用是指日可待的. 这种工艺,利用 Lambda Physik公司的准分子激光器产生的能量为1—2J/cm2的248nm脉冲光束蒸发超导材料的三种成分——钇、钡和铜,蒸气流在一个真空室中沉积在一块基片上,形成一薄层,把得到的薄膜在高温下烘烤而生成化合物.Bellcore报道,该薄膜在83K显示零电阻因而可以用便宜的液氦很容易得到超导态.IBM和Stanford的研究工作者用其它方法(例如电子枪)也… 相似文献
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报道了利用电子束蒸发的Mg/B多层膜作为前驱体,然后退火制备MgB2薄膜的工作. 实验中发现,采用翻转膜面的退火处理方式可以有效地避免降温过程中Mg蒸气在薄膜表面形成的颗粒凝结,由此稳定地实现了面积为10 mm×10 mm,均匀、平整的超导薄膜的制备,Tc达35 K,转变宽度为0.8 K,在5 μm×5 μm的区域内薄膜的平均粗糙度小于10 nm. 为了便于后续器件制作过程中的微加工工艺,研究了膜厚小于1000 ?时薄膜的成相规律,发现当样品厚度减薄后,Tc会有明显降低. 通过调整前驱薄膜中的不同分层厚度,仍可实现转变温度达30 K以上、厚度约600 ?的MgB2薄膜,在20 K时的临界电流密度为2.4×106 A/cm2. 相似文献
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本文采用溶液浸涂法制备 Tl-Ba-Ca-Cu-O 系超导晶相 Tl_mBa_2Ca_nCu_(n+1)O_y(m=1,2;n=1,2).研究了组分与晶相之间的关系,并提出晶相控制参量 Tl/Ba,当 Tl/Ba>0.7时,可以得到 m=2的双铊氧面超导相;当 Tl/Ba<0.7时,可以得到 m=1的单铊氧面超导相.阐述了溶液法制备高 T_c 氧化物超导膜的特点.所得的双铊氧面超导膜厚度约2μm,T_(c0) 约110K,J_c 可大于10~4A/cm~2. 相似文献