坐标算符本征矢的表示与不对称投影算符的积分

借助于粒子数算符的本征态和坐标算符函数的本征方程,把坐标算符的本征矢〈f(x)|表示为一个算符对坐标本征矢〈x|的作用.由此,把不对称的坐标投影算符转换为对称的坐标投影算符,再利用坐标本征矢的完备性,给出不对称坐标投影算符的积分. 关键词： 本征矢 算符的积分 本征方程 完备性     

非故意掺杂4H-SiC外延材料本征缺陷的热稳定性

采用电子顺磁共振（ESR）和低温光致发光（PL）技术,研究了退火温度对低压化学气相沉积法（LPCVD）制备的非故意掺杂 4H-SiC材料中本征缺陷稳定性的影响.结果发现,当退火时间为10 min和30 min时,本征缺陷浓度均随着退火温度的升高而增大,当退火温度达到1573 K时材料中本征缺陷浓度达到最大,继续升高退火温度将使材料中本征缺陷浓度迅速降低.退火温度对材料中本征缺陷的影响主要是由于退火中本征缺陷的稳定化过程及本征缺陷之间发生强烈的相互作用引起的. 关键词： 高温退火 本征缺陷 电子顺磁共振谱 光致发光     

考虑晶体应力情况下的单块非平面环形腔分析

简要分析了单块非平面环形腔单频激光器的基本原理,并采用琼斯矩阵计算了单块单向行波非平面环形腔内的本征偏振态。深入分析了磁场强度、输出面偏振反射系数、入射角、非平面角及腔内其它参量对各本征偏振态的损耗及两本征偏振态间损耗差的影响,并且指出如何选择各参量以降低本征偏振态的损耗且增大两本征偏振态间的损耗差。最后还通过计算晶体应力在两个本征偏振态方向引起的相位差,讨论了应力作用方向以及应力双折射系数对腔内本征偏振态的损耗和两本征偏振态间损耗差的影响。     

基于光纤光栅传感的化学镀膜过程本征应力监测

为了研究化学镀膜过程中本征应力的演变过程,建立了基于光纤光栅传感的本征应力计算模型,提出了一种监测化学镀膜过程本征应力演变的方法.通过记录光纤光栅中心波长的偏移量,结合裸光栅进行补偿,实现了在线监测化学镀膜过程产生的本征应力.使用光纤光栅传感器对化学镀Cu过程中本征应力进行监测.结果表明:在化学镀Cu过程中,光纤光栅中心波长蓝移,本征应力表现为压应力,且本征应力随时间的增加而增大;监测光栅的压力灵敏度为4.10 pm/MPa,监测准确度可达到0.24 Mpa.     

超薄单晶基底本征约瑟夫逊结的制备

为了加强本征约瑟夫逊结(简称本征结)与高频电磁波信号的耦合,我们通过平面工艺手段获得了厚度小于伦敦穿透深度的超薄单晶基底,其厚度小于150nm.并在此基底上利用传统的mesa结构制备工艺制备了本征结.所制备的本征结超导性能没有发生明显的退化,与常规本征结的特性基本一致.     

自旋梯可积模型的研究

通过对自旋梯可积模型的研究,求出该模型的能量本征值和两体散射矩阵.用可积模型中的坐标Bethe Ansatz方法,首先由薛定谔方程求得能量的本征方程.设定波函数的具体形式,求出本征能量,然后利用能量本征方程和波函数的连续性求出两体散射矩阵.求出单粒子、双粒子和N₀个粒子的本征能量,同时求得粒子的两体散射矩阵.自旋梯可积模型的本征能量和两体散射矩阵可通过Bethe Ansatz的方法求得.     

体积算符对任意价顶角的本征作用与本征值谱

利用体积算符所含抓三元组对自旋网任意价顶角中圈线作用的反称化和双元恒等式，证明了这种作用均为本征作用，本征值为-2.用代数方法给出了对任意价顶角求体积算符本征值的系统程式，得到了普遍情况下的3，4，5和6顶角体积本征值的具体代数表式. 关键词： 体积算符 任意价顶角 本征作用证明 本征值谱     

微波腔内波混沌散射的初步研究

 通过建立的微波腔模拟产生大量腔体散射矩阵和辐射散射矩阵,并转化得到归一化散射矩阵和阻抗矩阵。利用戴桑环系综对归一化散射矩阵的本征值和本征相位进行了统计分析,其本征值的模和本征相位具有统计独立性,且本征相位近似均一分布,验证了腔体中波混沌散射的存在。对数值模拟和随机矩阵理论预测得到的归一化阻抗的统计特性进行了比较,其结果基本一致,说明随机矩阵理论对归一化阻抗具有一定的预测功能。     

高温超导本征结的制备工艺和特性

自从本征Josephson效应发现以来,由于其涉及到高温超导材料和结构、Josephson结动力学、高频应用等多个领域,本征结的研究一直是国际上研究的热点之一.我们采用低能离子刻蚀,实现了每分钟和单结本征结厚度相当的刻蚀速率,由BSCCO单晶成功的实现了含有单个或少数几个结的本征Josephson结的制备,并用四端子方法测量其低温下的I-V,Ic-T特性.通过反复实验研究,提高本征结制备的成功率及可重复性,完善制备工艺,并进一步探讨本征结的特性.     

一维无序系统本征矢的解法

本文提出了一种直接求解五对角厄米特矩阵本征矢的方法,即通过代数运算求出本征矢,而不是用三对角块矩阵来解。该方法对计算一维无序系统的本征矢特别适用。计算结果表明,此方法的存储量小,计算精度高,速度快,并可计算上十万个点阵的无序系统本征矢。     

光轴平行于界面的单轴手征介质中的负折射研究

研究了光轴平行于界面时单轴各向异性手征介质中实现负折射的条件, 并详细分析了该介质中两个本征波在不同电磁参数和手征参数下折射角随入射角的变化规律. 结果表明, 利用单轴各向异性手征介质实现负折射, 条件更加宽松, 甚至在弱的手征参数下也可能实现负折射, 且在不同的介电常数、手征参数和入射角下, 该手征介质中两个本征波的相折射角存在很大的差异, 在特殊条件下, 某一个或两个本征波不能在介质内传播.     

任意光场湮没算符高次幂本征态的内部结构

任意光场湮没算符高次幂的本征态都具有类似于奇偶相干态的内部奇偶结构.根据这一结果,对于单模光场,指出了怎么由aM本征态来产生a2M的本征态.     

纠缠态投影算符的积分

借助湮没算符的本征值方程及其本征态的完备性,证明了纠缠态的完备性．在此基础上,利用纠缠态所满足的本征值方程,得到了非对称纠缠态投影算符的积分． 关键词： 完备性 纠缠态 投影算符 积分     

分层有耗手征介质中斜入射电磁波的传播矩阵

根据相位匹配条件,推导了平面电磁波斜入射情形下分层有耗手征介质中本征波复数波矢量的实部和虚部,二者方向不同使得在介质中传播的本征波为非均匀平面波.然后通过波矢量实部确定了介质中本征波的折射角.最后根据边界条件和本征波场方程给出了分层有耗手征介质中斜入射电磁波的传播矩阵,该传播矩阵可用于解析分析任意入射角情形下分层手征介质的反射透射和电波传播特性.     

本征约瑟夫森结阵列的PSpice模型及混沌行为研究

建立了电容耦合本征约瑟夫森结阵列在电路仿真软件PSpice中的模型，利用这个模型对恒定电流驱动下的本征约瑟夫森结阵列进行了仿真研究.通过与不存在电容耦合的本征约瑟夫森结的时域波形、频谱、分维和相图等结果的对比，发现了本征约瑟夫森结阵列中的混沌行为.这一发现对于本征约瑟夫森结的理论和应用研究有重要的意义.     

坐标本征矢的谐振子表示及完备性

借助粒子数算符的本征矢及其完备性,得到了用实数x、产生算符及粒子基态表示的矢量|x〉.以此为起点,证明了矢量|x〉是坐标算符的本征矢,坐标投影算符的积分是单位算符,坐标本征矢是正交归一的.因此,坐标本征矢集{|x〉}具有正交归一性和完备性.     

偏振光的χ矢量表示及应用

从Jones矢量的定义中引入了χ矢量,利用该矢量的定义给出了偏振光的χ矢量复平面表示,在该二维复平面上,确定了各个点与偏振光的态势相对应的关系.同时证明了与Jones矢阵的本征态有关的几个重要的结论:任何光学系统的Jones矩阵都有两个本征态;旋光介质的两个本征态是左旋和右旋圆偏振光;偏振器的本征态是两个正交的线偏振光;双折射介质的两个本征态是分别沿快、慢轴方向的线偏振光.     

粒子数表象中的谐振子

用二次量子化方法讨论一维线性谐振子能量本征值,并将结果用于解决磁场中带电粒子的能量本征值和角动量平方算符的本征值问题。     

一个描写谐振动的态──相干态

在量子力学中,谐振子常用能量本征态描述其所处的状态。但是,能量本征态只反映了谐振动一个方面的特征,即能量或振幅,而对振动的位相特征却没有涉及。如果有两个谐振子,它们在经典描写下有相同的频率和振幅,但有不同的初位相,那么在量子力学中,这两个振子的运动状态怎样区别呢? 显然,只用能量本征态是不能反映运动状态的全部特征的。而在量子力学中讨论谐振子、光场等状态时,如果用相干态来描述,不但有比较直观的经典类比,而且在很多问题里也使计算更为简化。1.谐振子的能量本征态; 由谐振子的哈密顿求解能量算符的本征方程,得到本征值和本…     

弹性理论中一类算子矩阵的本征向量展开定理及应用

研究弹性理论中一类非自伴算子矩阵的本征向量展开定理. 证明了其本征向量组具有辛正交性, 给出了本征向量组完备的充分必要条件, 并将所得结果应用于板弯曲问题和矩形薄板均匀变压屈曲挠度方程中.