600MeV ~(18)O+~(nat)Pb(厚靶)系统生成Hg同位素独立产额测量(Ⅱ)结果与分析

报道了600MeV（18）O轰击（nat）Ph（厚靶）生成的质量数在180—209之间的Hg同位素产物独立截面的测量结果．通过与600MeV质子轰击天然铅靶生成Hg同位素产额分布的比较，讨论了几个质量区段Hg同位素的生成机制．测量结果也与相对论重离子碎裂反应双质子移出道的产额分布进行了比较．结果表明，中能重离子与中子较富集靶核组成的反应系统对生成丰中子类靶余核具有较明显的优势．     

28MeV/u 18O与全阻止厚天然铅靶反应中丰中子汞同位素的截面测量

本次实验利用28MeV/u的¹⁸O束流和一套在线熔化铅靶装置以及4πΔEβ—γ符合技术,测量了该中能重离子反应中丰中子汞同位素^205—208Hg生成的相对截面比以及绝对截面的近似值.并外推出了²⁰⁹Hg的可能生成截面.发现由靶核²⁰⁸Pb削裂两个质子添加一个中子而生成²⁰⁷Hg的截面有一个突然的比较大的下降,这可以由反应的Q值的变化规律得到解释.     

巨共振在中子—核散射中的作用

本文研究了在中子-核散射中存在的以GR（巨共振）为中间态的反应机制。在特殊情况下(如⁸⁷Sr—中子满壳缺一中子的核),入射中子能量E_n～3MeV时,由GR贡献的非弹截面可达10mb。对于不同的靶核,这种反应机制对非弹截面的贡献,在适当入射中子能量（?）时达到最大值,其中（?）=（?）ω_λτ—S,S为靶核加入射中子形成的核处于基态时的核子分离能,（?）ω_λτ为相应的GR的能量。     

铅区核的结构(Ⅱ)~(208)TI、~(208)Pb和~(206-208)Hg的一级禁戒β衰变

用壳模型对￣（２０８）ＴＩ、￣（２０８）Ｐｂ和￣（２０６－２０８）Ｈｇ的非唯一型一级禁戒β跃迁用不同的有效相互作用和模型空间进行了系统计算，计算的比较寿命Ｉｏｇｆ非常敏感的依赖于有效相互作用。对￣（２０６，２０８）Ｈｇ的β衰变方式进行了比较。     

28.7MeV/u的 14，16，18 O+7，9Be反应中的同位素分布研究

用同位旋相关的Boltzmann-Langevin方程研究了在入射能量为28.7MeV/u下,不同弹核^14O,^16O和^18O轰击不同靶核^7Be和^9Be的反应,计算了生成碎片的产生截面,发现用丰中子（缺中子）炮弹或丰中子（缺中子）靶进行反应,所得到的产物均有丰中子（缺中子）的碎片出现。同位素分布宽度和峰位与入射体系密切相关,产生碎片的电荷数越接近入射弹核的电荷数,则同位素分布的宽度越大,峰位偏离β稳定线值越远,其同位旋效应越明显。。     

600MeV 18O+natPb(厚靶)系统生成Hg同位素独立产额测量(Ⅱ)结果与分析

报道了600MeV ¹⁸O轰击^natPh(厚靶)生成的质量数在180—209之间的Hg同位素产物独立截面的测量结果.通过与600MeV质子轰击天然铅靶生成Hg同位素产额分布的比较,讨论了几个质量区段Hg同位素的生成机制.测量结果也与相对论重离子碎裂反应双质子移出道的产额分布进行了比较.结果表明,中能重离子与中子较富集靶核组成的反应系统对生成丰中子类靶余核具有较明显的优势.     

6.3—24.6MeV/u 40Ar+natW反应中Hf的生成研究

用放射化学方法研究了6.3—24.6MeV/u ⁴⁰Ar+^natW反应中Hf的生成,得到了Hf同位素的激发函数、反冲性质和同位素分布.指出利用HIRFL能量的重离子和丰中子靶核作用,能以一定的截面生成A>170区丰中子新核素.利用中能重离子的强穿透力特点,使用厚靶,可以明显地提高丰中子新核素的产额.过高的入射能量对新核素生成无明显贡献.     

弗兰克－赫兹实验中电子与汞原子的碰撞机理

Ｈｇ原子６￣１Ｓ＿０→６￣３Ｐ＿０．１．２的电子碰撞激发，不仅仅是简单的非弹性碰撞过程的能量转移，还包含电子交换以及Ｈｇ原子俘获电子形成极短寿命（≤１Ｏ￣１３Ｓ）的Ｈｇ￣－离子态（６ｓ６ｐ￣２）而共振这样两种强烈影响激发截面的重要机制，电子与Ｈｇ原子的弹性碰撞存在量子效应，弹性散射截面σ＿０与电子初动能大小有关。     

4π△E_β探测器的建立及其在丰中子核素研究中的应用

建立了一台４π△Ｅβ探测器，它具有很好的时间响应性能，它的上升时间为８ｎｓ．利用４π△Ｅβ－γ符合的技术使缺中子核素中来自电子俘获的γ线强度受到了很大的抑制，而对以１００％β－方式衰变的丰中子Ｈｇ同位素的γ线具有６０％的符合探测效率．将该探测器用于１８Ｏ十２０８Ｐｂ的实验中，使康普顿本底水平大大降低．     

重离子反应中核子前平衡发射的同位旋效应

考虑了同位旋相关的对称能、库仑能及核子—核子碰撞截面，对反应４０Ａｒ＋４０Ａｒ（Ｅ＝２５ＭｅＶ／ｕ，ｂ＝０）进行了量子分子动力学模拟，讨论了同位旋效应对核子发射的影响．观察到前平衡发射的中子和质子的比率大于反应系统的中质比，发现对称能有利于中子的发射而阻碍质子的发射，而同位旋相关的核子—核子碰撞截面对中子和质子的发射都有利，但似乎更有利于质子的发射。     

入射能量为5．1MeV中子~（58）Ni（n，α）~（55）Fe反应截面和出射

用屏栅电离室测量了入射中子能量为５．１ＭｅＶ的５８Ｎｉ（ｎ，α）５５Ｆｅ核反应的α粒子角分布，２３８Ｕ裂变电离室作中子注量率的测量，测得该能点５８Ｎｉ（ｎ，α）５５Ｆｅ的总截面为（４７．４±５．０）ｍｂ．用中国核数据中心推荐的理论计算程序ＵＮＦ计算了在１—８ＭｅＶ能区５８Ｎｉ（ｎ，ｐ）５８Ｃｏ，５８Ｎｉ（ｎ，α）５５Ｆｅ的反应截面和入射中子能量为５．１ＭｅＶ的５８Ｎｉ（ｎ，α）反应角分布．理论和测量数据的比较说明，用复合核模型来描写该能点的角分布是可行的．     

靶室散射对ICF中子产额用铅活化法测量准确性的影响

 通过用MCNP4B程序计算在铅样品中的来源于靶室散射中子的注量和来源于未经靶室散射的源中子注量，结合由ENDF/B-Vi评价数据库给出的中子铅活化核反应截面，得到了在铅样品周围存在不同屏蔽材料时，神光Ⅱ靶室散射对聚变中子产额用铅活化法测量准确性影响小于1‰的结果。     

17N破裂反应产物的测量

利用RIBLL提供的丰中子放射性束测量了17N在197Au和9Be靶上的破裂反应.用1?4单元阵列探测器测量得到了前角带电粒子产额和关联粒子对的破裂截面,得到了17N在197Au和9Be靶上的带电粒子破裂截面比为4—5倍,结果表明对重靶核除了核破裂机制外还要考虑库仑破裂的贡献.     

^229Ra的衰变纲图

用１４ＭｅＶ中子轰击钍靶，通过＾２３２Ｔｈ（ｎ，α）＾２２９Ｒａ反应产季了＾２２９Ｒａ，由放射化学分离技术从被照靶物质中分离出＾２２９Ｒａ活性，利用γ（Ｘ）谱学方法，首次观测到了＾２２９Ｒａ的能量为１４．５，１５．６，１８．８，２１．８，２２．５，４４．０，４７．５，５５．０，６３．０，６９．６，９３．６，９４．１，９８．５，１０２．２，１０４．５，１０６．１，１６１．１和１７１．５ｋｅＶ的１８条     

Ba（n，x）~（134）Cs，~（134）Ba（n，2n）~（133）Ba，

用中子活化法相对于５４Ｆｅ（ｎ，Ｐ）５４Ｍｎ反应，在１３．５０—１４．８０ＭｅＶ中子能区测量了Ｂａ（ｎ，ｘ）１３４Ｃｓ，１３４Ｂａ（ｎ，２ｎ）１３３Ｂａ，１４０Ｃｅ（ｎ，２ｎ）１３９Ｃｅ，１４２Ｃｅ（ｎ，２ｎ）１４１Ｃｅ和２３Ｎａ（ｎ，２ｎ）２２Ｎａ的反应截面．并将所测的结果和其他作者的结果进行了比较，中子能量是用９０Ｚｒ（ｎ，２ｎ）８９ｍ＋ｇＺｒ反应和９３Ｎｂ（ｎ，２ｎ）９２ｍＮｂ反应截面比法测定的。     

靶丸支撑膜对ICF内爆性能影响的模拟研究

使用二维多群辐射扩散流体力学程序LARED-S，模拟研究靶丸支撑膜在惯性约束聚变氘氘（DD）气体靶内爆过程中的扰动演化过程及其对内爆性能的影响.二维模拟表明：靶丸支撑膜显著降低DD气体靶内爆的中子产额，二维模拟产额为一维结果的55.2%.内爆性能下降的主要物理机制是支撑膜使靶壳生成大幅度的尖钉深入DD气体区，使烧蚀层与DD气体之间物质界面处的电子热传导漏失功率显著增大，导致DD核反应速率显著降低，中子反应速率峰值时刻（bang-time时刻）提前.相比一维理想内爆的模拟结果，支撑膜引入的扰动显著降低bang-time时刻DD气体压强与内爆动能转化为DD气体内能的效率，壳层剩余动能相应大幅增加.     

高Tc（Hg,Pb）—1223相超导体的EPMA研究

在ＨｇＢａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ８＋δ（Ｈｇ－１２２３相）超导体中，我们以Ｐｂ部分代替Ｈｇ，成功地合成了（Ｈｇ，Ｐｂ）－１２２３相超导体，并对这些样品进行了ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＳＥＭ和ＥＤＸ等分析。本文着重报导ＥＭＰＡ分析的结果：在我们最佳合成的（Ｈｇ，Ｐｂ）－１２２３超导样品中，正离子比为Ｈｇ：Ｐｂ：Ｂａ：Ｃａ：Ｃｕ＝０．６６：０．３４４：２：１．９８：２．９７，氧含量为８．４１；以及样品的主相为（Ｈｇ，     

轻丰中子核反应中子集团产生截面的理论研究

采用Boltzmann-Langevin方程研究了能量为35MeV/u的¹⁴Be, ⁸He,⁶He,¹¹Li,¹⁷B,¹¹Be,¹⁹C与¹²C靶的反应,计算了产生中子集团的截面, 发现^14,Be与¹²C靶反应产生⁴n的截面与实验值符合得很好. 通过这几个入射核与¹²C靶形成中子集团截面的对比, 发现核的晕中子越多产生中子集团的截面越大, 晕中子数相同时, 质量数越大产生中子集团的截面越大.中子集团可能主要来自晕核子.     

激光场中正电子对氢原子的电离反应

本文在一级Bom近似下，研究了激光场中正电子对基态氢原子的碰撞电离反应，并与入射粒子为电子的（e，2e）反应进行了对比．激光场中正电子态和敲出电子态分别采用Volkov波函数和Coulomb-Volkov波函数，靶原子的缀饰波函数由含时微扰论给出．计算结果显示激光缀饰的三重电离截面明显依赖于入射粒子电荷符号．激光越强，二者差距越大．     

惯性约束中子测温的误差研究

综合分析了ＩＣＦ（惯性约束）中子测温系统的误差与其参数的关系，这些参数包括靶核温度，探测的中子数、靶到探测器的距离、探测器的响应函数以及闪烁体厚度等，考虑到中子与探测器的相互作用，探测器的响应与靶的烧蚀过程，在此基础上提出了新的统计误差计算方法，该方法对于改善中子测温的相对误差并应用于闪烁体的设计具有重要意义。