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采用φ50.8m (即2 in)YBCO*/YBCO/CeO2 /YSZ/Si多层膜制成的磁通变换器与SrTiO3 双晶上制备的尺寸为10mm×5mm平面式DC-SQUID梯度计构成一个倒装片梯度计 .磁通变换器与平面梯度计之间的耦合系数为0.18.磁通变换器有效地提高了梯度计的磁场梯度分辨率.倒装片式梯度计在白噪声区的磁场梯度分辨率为73fT·cm-1·Hz-1/ 2 ,在1Hz下 ,磁场梯度分辨率为596fT·cm-1·Hz-1/ 2 .在无屏蔽条件下 ,采用该梯度计成功地测得了高质量心磁图 . 相似文献
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利用高分辨透射电子显微镜对高Tc YBa2Cu3O7/PrBa2Cu3O7(以下简称为YBCO/PrBCO)超晶格的微结构进行了系统的观察分析,高分辨电子显微象(HREM)表明YBCO/PrBCO超晶格层与层之间具有清晰的衬度,没有界面互扩散,通过HREM象观察,发现衬底表面的原子台阶和缺陷使薄膜最初1—2个晶胞层中出现层错等缺陷,但这些缺陷并没有向薄膜内部扩展,当薄膜厚度超过几个晶胞层后,其结构趋于完整。另外,在HREM照片上还可看出YBCO/PrBCO超晶格的调制周期存在波动,波动范围相当于一个晶胞层厚度,实验结果表明,利用YBCO/PrBCO超晶格研究CuO2面的二维超导电性时,临界温度Tc和临界电流密度Jc的变化不仅与二维CuO2面的失耦程度有关,还会受到各种晶格缺陷的影响,对YBCO/PrBCO超晶格和超薄YBCO膜的输运特性进行理论解释时,必须考虑衬底和晶格缺陷造成的影响。 相似文献
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在有40nm厚的PrBa2Cu3O7过渡层的(100)SrTiO3基片上生长了YBa2Cu3O7超薄膜,典型的厚度为2,6,10个原胞层.X射线衍射表明薄膜取向都是C轴垂直于膜面.原子力显微镜观察发现YBa2Cu3O7超薄膜具有层状和螺旋两种生长模式,并且在6个原胞层的生长阶段观察到螺旋位错,而类似的生长特征并没有出现在PrBa2Cu3O7过渡层中.实验结果表明,在 10个原胞层范围内,薄膜的超导转变温度和临界电流密度对厚度有很强的依赖关系. 相似文献
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采用XRD及Rietveld粉末衍射峰形拟合方法对氧化锆的晶体结构及其相变进行了研究 .当掺杂CeO2 和Y2 O3后 ,氧化锆的晶体结构发生了由单斜向四方的转变 .四方氧化锆的空间群为P42 /nmc ,Z =2 ,对于CeO2 ,Y2 O3稳定的ZrO2 其晶格常数分别为a =0 .3 62 6( 5 )nm ,c =0 .5 2 2 6( 3 )nm及a =0 .3 60 2 ( 8)nm ,c =0 .5 179( 1)nm ,单胞中阳离子Zr4+ ,M (M =Ce4+ ,Y3+ )和阴离子O2 - 分别占据空间群的 2b和 4d晶位 ,还从晶体学角度讨论了立方、四方、单斜 3种不同结构的氧化锆之间的相互转换关系 . 相似文献
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利用活化气体做氧源,使生长气压比普通脉冲激光沉积方法(PLD)低2~3个数量级,用激光分子束外延在SrTiO3(100)衬底上制备出临界转变温度Tc0=85~87K,临界电流密度Jc≥1×106A/cm2的高质量YBCO超导薄膜.原子力显微镜(AFM)测得表面无明显颗粒,均方根粗糙度约为7.8nm.在这种薄膜基础上制备的Josephson量子干涉器件(DC-SQUID)具有良好的温度循环稳定性. 相似文献
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报道了一种新的适用于在绝缘衬底上生长金刚石薄膜的方法,利用在直流电压上叠加交流成分,作为微波等离子体的电场偏置,成功地在SiO2衬底上首次实现了>108cm-2的金刚石成核.实验结果表明,金刚石薄膜的成核密度与偏压中交流信号的频率和幅度以及直流信号的幅度存在密切的关系. 相似文献
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研究了用部分熔化法制备T1-1223超导体的工艺,样品的名义组成为(Tl0.5Pb0.5)(Sr0.8Ba0.2)2Ca2Cu3Oy,调整样品中Ba的含量,出现了织构的迹象,经烧结一部分熔化—退火的样品,其磁化电流在77K和1T下大于2×104A/cm2,用这样的样品作原料所制备的Tl-1223复Ag带短样,在77K和0T下,Jc达2.1×104A/cm2,超导带横断面的SEM显微观察表明,在1223相中夹杂了BaPbO3和Sr-Ca-Cu-O相. 相似文献
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对低温分子束外延生长的GaAs单晶进行了理论分析和实验研究,结果表明,低温分子束外延生长的GaAs单晶中含有密度大约为1020cm-3的过量As原子,这些As原子主要以间隙原子对As2i的形式位于正常的As格点位置,使LTMBEGaAs单晶的晶格常数相对于SI-GaAs单晶衬底增加约为0.1%.高于300℃的退火即可使间隙原子对As2i离解,使过量的As原子形成沉淀.随着退火温度的增加,As沉淀向外延层界面处集中.在外延层界面处As沉淀团与GaAs单晶形成的载流子耗尽区相互重叠,呈现出高阻特性,有效地抑制了FET的背栅和侧栅效应. 相似文献
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结合X射线衍射和57Fe高压MÖssbauer谱,对Ni替代的Fe4N的结构和超精细参数进行了研究。X射线的结果表明,Ni含量在0≤x≤0.6范围内可形成单相的Υ'-(Fe1-xNix)4N化合物,且随着Ni含量的增加,材料的晶格常数很好地满足a0(x)=3.7905-0.02157x-0.03167x2关系。用MÖssbauer谱区分了Ni原子的磁体积和化学键效应对Fe的超精细磁场和同质异能移的影响,并研究了不同晶位上这两种效应的成分依赖关系,发现两者的作用规律是不同的,但化学键效应对该材料性能的改变起主要作用。 相似文献
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本文用X-射线粉末衍射的方法测定了NiGa4的晶体结构.NiGa4属于立方晶系,点阵为体心立方型,空间群为T3—I23,点阵常数a=8.4295,每单胞内含8个化合式量.8Ni和32Ga所占据的等效点系和原子参数为8Ni占据8(c)等效点系,x_(Ni)=0.3345,8Ga(1)占据8(c)等效点系,x1=0.1668,12Ga(2)占据12(d)等效点系,x2=0.3524,12Ga(3)占据12(e)等效点系,x3=0.2518. NiGa4合金相实际成份向Ni方向偏离理想化合式,它是一种由空位控制的新型γ-黄铜的畸变结构.文中还论证了每基本结构单位的平均价电子数是控制γ-黄铜结构的主要因素. 相似文献
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该文中, a: X→Y, w: Y→ X为加法范畴 £ 中的态射, k1: K 1→X是(aw)i 的核, k2: K2 →Y是(wa)j 的核. 那么下列命题等价: (1) a 在 £ 中有w -加权Drazin逆a d,w; (2) 1:X→ L1是(aw)i 的上核,k1 1(aw)i+1}+ 1(k1 1)-1k1是可逆的; (3) 2: Y→ L2是(wa)j 的上核, k2 2和(wa)j+1+ 2(k2 2)-1k2是可逆的. 作者又研究了具有{1} -逆的正合加法范畴中态射的w -加权Drazin逆的柱心幂零分解, 证明了其存在性. 作者把具有核的态射的Drazin逆及其柱心幂零分解推广到具有核的态射的w -加权 Drazin逆及其柱心幂零分解, 并给出了表达式. 相似文献
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对TiAl金属间化合物薄膜试样在透射电子显微镜下进行了原位拉伸观察。结果表明,当外加应力强度因子K1≥K1e=1.4MPa·m1/2时,裂尖能发射出大量位错,并能形成无位错区(DFZ),有时DFZ是一个包围裂尖的闭合区。测量表明,DFZ是一个应变很高的弹性区,因此其中的应力很高,有可能等于原子键合力σ_(th)当K1≥K1i=2.4MPa·m1/2后,尖缺口顶端及前方DFZ中某一区域的应力都等于σth,从而可导致纳米级微裂纹在DFZ中不连续形核。计算指出,稳态微裂纹的临界尺寸为ac=4.2nm,它一旦形核将不会钝化成孔洞,而是连续扩展并和主裂纹相连。解理微裂纹也能从尖缺口顶端处形核。不论是连续形核还是不连续形核的解理微裂纹,在恒位移条件下通过塑性区中位错的增殖和运动能扩展一段距离,但很快就止裂。必须使K1≥k1p才能使解理裂纹继续扩展,故K1e 相似文献
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吴美云 《数学物理学报(A辑)》2009,29(4):1119-1131
设G是群, kG是域k上的群代数. 对任意Hopf箭向Q=(G, r), 利用右kZu(C) -模的直积范畴∏C∈K(G) MkZu(C)与kG-Hopf双模范畴kGkG MkGkG之间的同构, 可由u(C)(kQ1)1上的右kZu(C) -模结构导出在箭向余模kQ1上的kG-Hopf双模结构. 该文讨论在群G分别是2阶循环群与克莱茵四元群时的Hopf路余代数kQc的同构分类及其子Hopf代数kG[kQ1]结构. 相似文献
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