激子模型理论中初激子数n_0的统计性质及其对结果的影响

本文提出了初激子数n_0具有统计性质的假定,由此得到任一可能的n_0的出现几率h(n_0)的表示式。预平衡发射的实验结果应由各种可能的n_0的贡献权重求和得到,从而在激子模型计算中统计地确定了n_0对结果的影响。     

水热法制备MgWO4 及其发光性质

以硝酸镁、钨酸钠为原料,氢氧化钠和硝酸作为pH调节剂,在180~230 ℃水热条件制备纯相的MgWO₄。探讨了水热反应温度对MgWO₄纯相形成以及煅烧温度对其晶型、发光性质的影响。分别用粉末X射线衍射、荧光光谱、扫描电子显微镜和综合热分析等手段对样品进行表征。结果表明,水热法可以直接制得不含结晶水MgWO₄晶体,属于四方晶系,形貌呈片状,厚度约为几个纳米。样品热重分析和高温煅烧的结果表明,水热法所得MgWO₄晶体在850 ℃附近出现晶型转化,由四方晶系转变为单斜晶系,并导致发光性质的明显变化。SEM显示煅烧前的样品形貌为片状,不同温度煅烧后由片状逐渐向棒状转变。     

在Δ33准门口态模型中相干的π0光产生

把先前用于描述π^－核散射的准门口态模型^[1]用来研究光子引起的原子核的Δ-空穴态的激发, 并对π^－核弹性散射和光生过程的统一特征作了简单的讨论, 将我们的结果与W. Weise的微观粒子-空穴模型及平面波冲量近似的计算作了对比研究, 结果由¹⁶O(γ, π⁰)¹⁶O和¹²C(γ, π⁰)¹²C过程给出, 并和实验数据作了比较, 与冲量近似的结果相比有显著的压低.     

真空能带理论中E4解和M4解过渡的讨论

已知,用WKB方法求得的真空之间最可几逃逸路径（MPEP）当位势u大于能量E或u4解;后者则对应于闵可斯基空间的解——M₄解。但是,在u=E的转折点附近,WKB方法不再适用。本文给出了在转折点左右连接E₄解与M₄解的MPEP轨道应满足的方程。由周期场方法算得的物理的θ真空的能级E不等于原始真空的能量。而MPEP以及随之而定的位势皆与能级E的位置有关;反过来,能级又决定于位势。本文表明应如何自洽地考虑这一因素。     

Si中S0/Se0,S0/Te0和Se0/Te0对的电子结构

利用紧束缚近似下的格林函数方法,讨论了Si中硫属元素混对杂质(即S⁰/Se⁰,S⁰/Te⁰和Se⁰/Te⁰)基态的电子结构。混对杂质在Si禁带中引入两个A₁能级,其中成键性的A₁能级位置在反键性的A₁能级之上。数值计算得到的混对杂质能级与实验符合得相当好。理论分析表明,在Si中测到的那些未定的比最近邻混对杂质能级更浅的能级(S⁰/Se⁰(X₁),S⁰/Te⁰(X₁),Se⁰/Te⁰(X₁)…)不是由非最近邻位型的混对杂质引入的。本文还指出了一个极性分子放入Si晶体中,两个不同原子间s波函数的转移方向与通常极性分子相反,并讨论其物理原因。 关键词：     

Ca2CuO3的高压结构性质研究

 采用金刚石压砧高压装置（DAC）,对具有Cu—O链结构的Ca₂CuO₃的多晶粉末样品进行了高压同步辐射能散X射线衍射实验。实验结果表明,在0～34 GPa压力范围内,Ca₂CuO₃晶体没有发生结构相变,用Birch-Murnaghan状态方程拟合,得到在压力导数B′₀=4时,零压体弹模量B₀=165.4±1.8 GPa。     

非线性包层光纤中TE0模的传播特性分析

本文对具有Kerr非线性包层和线性匀芯的光纤在不同光功率下的传播特性进行了理论分析和数值计算.结果表明,在适当光功率下,当模折射率N等于芯折射率n_f时,芯场变得相当均匀,而包层场迅速衰减.对于自聚焦包层,当从N<n_f逐渐变到N>n_f时,芯场剖面越过N=n_f从凸变凹.在拐点,芯场成为均匀的.论文给出了模场分布和光功率与模折射率的关系.指出纤芯出现匀场预期会在光纤器件、光电子器件、光子器件中得到应用.     

Si中S0对、Se0对和Te0对的电子结构

利用紧束缚近似下的格林函数方法,讨论了Si中(S⁰)₂,(Se⁰)₂及(Te⁰)₂基态的能级和波函数。分析了几种不同的观点。(S⁰)₂,(Se⁰)₂及(Te⁰)₂均在禁带中引入一个对称性的A_1g能级和一个反对称性的A_2u能级,二者都是填满的。现有实验观测到的是较高的A_1g能级。从理论上指出了对称性的A_1g能级反而高于反对称性的能级的原因。而Si中(Se₂)⁺的g因子测量值和(S₂)⁺,(Se₂)⁺的ESR实验结果也支持本文的观点。 关键词：     

YVO4·xTiO2 : Eu3+荧光粉的发光性质

采用高温固相方法合成了YVO₄ ·xTiO₂ : Eu³⁺(x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6,0.7,0.8,0.9)粉末状发光材料,经X射线衍射分析结构发现材料为两相共存。一相为YVO₄,属四方锆英石结构;另一相为Y₂Ti₂O₇,属立方烧绿石结构。研究了YVO₄ ·xTiO₂ : Eu³⁺在UV及VUV激发下的光谱性质,讨论了Ti 的掺杂对材料发光性能的影响,发现适量的Ti的掺入可以提高材料 基质对UV及VUV的吸收。在UV及VUV激发下,YVO₄· xTiO₂ : Eu³⁺荧光粉的发射光谱主峰在616 nm和619 nm,证明Eu³⁺占据了晶格中非反演对称中心的位置。在YVO₄ ·xTiO₂ : Eu³⁺的激发光谱中,有一中心位于155 nm的吸收带,它属于基质的吸收带。     

锐钛矿相TiO2光学性质的计算

TiO₂具有良好的光学、电学和化学性质,锐钛矿相 TiO₂具有更突出的光催化特性,是一种有广泛用途的宽禁带氧化物半导体。利用基于密度泛函理论的第一原理全电势线性缀加平面波方法计算锐钛矿相TiO₂介电函数的实部、虚部和光学吸收系数,其中能隙值利用剪刀算符修正为3.2 eV。计算结果与实验符合得很好,同时说明广义梯度近似与局域密度近似相比对锐钛矿相TiO₂光学性质的计算没有明显的改善。     

电子关联对C60激子极化子的影响

本文采用扩展的Ｈｕｂｂａｒｄ模型，在电子－晶格耦合的紧束缚近似下，研究了光激发下的Ｃ₆₀，分子的激子态和极化子态。我们发现，电子关联效应相当敏感地影响到单态和三态激子的束缚能。同时，Ｃ₆₀分子动力学晶格弛豫使激子极化子得以形成。光激发下的Ｃ₆₀分子，在电子相互作用Ｕ～５．０ｅＶ，Ｖ～２．０ｅＶ时，能够定性地解释荧光发射谱。 关键词：     

高压下Sr2FeMoO6的电学性质与相变

 采用电阻和电容测量方法,在金刚石压砧装置上研究了Sr₂FeMoO₆多晶粉末在室温下和20 GPa内的电阻、电容和压力的关系。实验结果表明,样品的电阻和电容在约2.1 GPa的压力下都产生了突然的变化,发生了金属化相变。这些变化可能是由高压下Sr₂FeMoO₆的电子结构相变引起的。     

高压处理对BiSrCaCu2Oy超导电性的影响

 本文在高T_c超导体BiSrCaCu₂O_y常压制备的基础上，研究了热压烧结和冷压处理对其形成、结构及超导电性的影响，并与常压结果进行了比较。结果表明，高压可以使样品的合成时间缩短，合成温度降低。但同时它也抑制了晶格参数较大的相（高T_c相）的形成，使小晶格参数的杂相含量增多。对于提高样品的超导电性而言，1.5 GPa时一个较好的压力点。     

磁场和量子点尺寸对激子性质的影响

在In_0.6Ga_0.4As/GaAs量子点中,采用一维等效势模型和有限差分法理论计算了激子态的性质,得到了激子跃迁能和束缚能随磁场、横向束缚强度以及量子点尺寸的变化关系.结果表明:加入磁场后,Zeeman效应使得激子的能级简并度解除,激子的基态跃迁能与实验符合得很好;横向束缚强度或磁场强度的增加使得激子的束缚增强;量子点的尺寸对激子的束缚产生重要的影响;通过电子-空穴间平均距离以及激子体系波函数分布图像分析了其产生的物理机制.     

添加剂Li8SiN4对cBN晶体形貌的影响

 在4.5~5.0 GPa，1 500~1 800 ℃范围内，在Li基复合氮硼化物的催化体系中添加Li₈SiN₄后，得到了具有光泽的棕色透明的cBN单晶。研究了cBN晶体的形貌，结果表明，添加Li₈SiN₄后得到的等积形cBN晶体的百分比明显增多，除部分截角四面体外，多为截角八面体晶体，且棱角尖锐，晶面致密光滑。     

SrB4 O7 : Eu磷光粉的制备及其发光性能

采用高温固相法合成了SrB₄O₇ : Eu荧光粉,并研究了不同原料、掺杂浓度、煅烧温度等因素对其发光性能的影响。发射光谱测试结果表明:SrB₄O₇ : Eu荧光粉的最佳Eu掺杂浓度为2%左右,进一步增大掺杂浓度会导致浓度猝灭。煅烧温度对基质组成影响较大,随着温度的升高,基质中BO₄四面体所占比例增大,有利于Eu³⁺离子的还原。以水合硼酸锶为原料制得样品的发光强度高于以SrCO₃和H₃BO₃为原料制得样品的发光强度。     

TiO2溶胶-凝胶光学膜制备工艺对其光学性质的影响

本文对TiO₂溶胶凝胶光学膜膜厚、折射率随不同温度作了在线测量,并讨论了在线温度对其光学性质的影响.考察了提拉速度对膜光学性质的影响。     

高压对高温超导体La1.85Sr0.15CuO4电子结构的影响

 采用Recursion方法计算了常压和1 GPa、4 GPa、8 GPa高压下La_1.85Sr_0.15CuO₄的电子结构，给出了费米能、费米能处态密度以及各晶位原子价的定量变化。结果表明：高压下T_c的变化可能源于CuO₂面上氧空穴和铜空穴数目的改变，且氧空穴数目的增加有利于超导性。     

双模竞争模型中光子的统计性质

运用全量子理论研究了双模竞争模型中光子的统计性质,讨论了原子与双模光场相互作用的相对耦合强度对光子统计性质的影响。数值计算结果表明,双模光场的光子周期性地呈现反聚束效应,光场两模之间总是呈现负相关,并且,这种相关大部分时间为非经典相关。     

温度升高对PSⅡCP47/D1/D2/Cyt b559复合物能量传递的影响

采用分幅扫描单光子计数荧光光谱装置,研究温度升高对PSⅡ CP47/D₁/D₂/Cyt b559复合物能量传递的影响.获得分别在20℃、42℃和48℃处理后,CP47/D₁/D₂/Cyt b559复合物主发射峰所在的波长未发生多大改变,均在682 nm,但其荧光强度逐渐降低,而大约730 nm处主发射峰的振动副带发生了明显的变化,42℃其弱峰趋势已不显著,相对荧光强度下降,48℃弱峰趋势已完全消失;最大峰值处获得两个时间组分,这两个组分都属于电荷重组.其中,1～2 ns组分随处理温度的升高变化不大,而7～20 ns组分随温度升高变化较大,并且逐渐延长.因此,处理温度的升高使CP47/D₁/D₂/Cyt b559复合物的二级结构、色素分布的空间位置发生变化,从而影响了CP47/D₁/D₂/Cyt b559复合物中的能量传递以及电荷重组.42℃已对其造成影响,而48℃对其影响很大.