fcc结构过渡金属(100)表面上杂质与吸附原子的相互作用

用Allan的晶体表面模型,导出了紧束缚固体fcc(100)表面格林函数的解析表达式。用格林函数方法,讨论了fcc(100)表面上原子的化学吸附能以及替代杂质与吸附原子相互作用的一般性质。定性地预言了Ni,Pd,Pt(100)表面上过渡金属杂质对吸附H,O影响的趋势。 关键词：     

5d过渡金属原子吸附氮化硼纳米管的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了氮化硼纳米管六元环中心吸附5d过渡金属原子后体系的几何结构,电子结构和磁性性质.研究发现,吸附原子向一个氮原子或硼原子偏移;吸附体系在费米能级附近出现明显的杂质能级;各个体系的总磁矩随原子序数出现规律性变化,局域磁矩主要分布在吸附原子上.     

5d过渡金属原子吸附氮化硼纳米管的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法, 研究了氮化硼纳米管六元环中心吸附5d过渡金属原子后体系的几何结构, 电子结构和磁性性质. 研究发现, 吸附原子向一个氮原子或硼原子偏移; 吸附体系在费米能级附近出现明显的杂质能级; 各个体系的总磁矩随原子序数出现规律性变化, 局域磁矩主要分布在吸附原子上.     

应力作用下吸附过渡金属原子的蓝磷单层中的拓扑转变

本文通过第一性原理计算方法研究了被第四B族过渡金属吸附原子(Cr,Mo,W)修饰的蓝磷单层的电子结构性质,发现Cr修饰的蓝磷单层为磁性半金属,而Mo或W修饰的蓝磷单层为半导体,其带隙均小于0.2 eV. 对Mo或W修饰的蓝磷单层施加双轴压应力使得带隙先闭合再打开,且在此过程中发生了能带反转的现象,说明Mo或W修饰的蓝磷单层发生了拓扑转变. Mo和W修饰的蓝磷单层的拓扑转变压应力分别为-5.75%和-4.25%,其拓扑绝缘带隙分别为94 meV和218 meV. 如此大的拓扑绝缘带隙意味着在较高温度条件下有可能在蓝磷单层中通过吸附过渡金属原子实现拓扑绝缘态.     

金属在半导体表面上的吸附

对近年来金属在半导体表面上吸附的理论和实验进展进行了评论。着重讨论了亚单层覆盖体系中存在的争议之处及最新进展。贵金属在Si（111）表面上的吸附，情况相当复杂。例如对Ag/Si(111)，虽然理论和实验 上提出了许多模型，但目前还存在许多争议，尚没有定论。还讨论了碱金属和稀土金属在Si表面上的吸附。对K在Si(100)表面及K和O在Si（100）表面上的共吸附模型进行了详细讨论。另外，对碱金属在GaAs表面上的吸附的一些最新的结果进行了讨论。     

过渡金属自由离子的光谱参数计算

在原子光谱理论中，自旋－轨道耦合参数及Ｓｌａｔｅｒ积分是两组特别重要的参量。此文以原子理论为基础，提出了类氢波函修正模型，并针对第一组过渡金属的离子进行了参数计算，类氢波函修正模型的计算结果解决了长期以来用类氢波函计算的旋－轨耦合参数小一个量级的问题。对于此模型的合理发一及它的物理基础进行了说明。     

应力作用下吸附过渡金属原子的蓝磷单层中的拓扑转变（英文）

本文通过第一性原理计算方法研究了被第四B族过渡金属吸附原子(Cr,Mo,W)修饰的蓝磷单层的电子结构性质,发现Cr修饰的蓝磷单层为磁性半金属,而Mo或W修饰的蓝磷单层为半导体,其带隙均小于0.2 eV.对Mo或W修饰的蓝磷单层施加双轴压应力使得带隙先闭合再打开,且在此过程中发生了能带反转的现象,说明Mo或W修饰的蓝磷单层发生了拓扑转变.Mo和W修饰的蓝磷单层的拓扑转变压应力分别为-5.75%和-4.25%,其拓扑绝缘带隙分别为94 meV和218 meV.如此大的拓扑绝缘带隙意味着在较高温度条件下有可能在蓝磷单层中通过吸附过渡金属原子实现拓扑绝缘态.     

过渡金属原子电子结构的多体微扰理论计算

利用多体微扰理论(MBPT)计算了过渡金属原子的电子结构,考虑到能量的二级微扰修正E₂。基集取为STO(8s6p4d1f)。对络原子的计算结果与实验符合很好。     

理论研究过渡金属原子修饰石墨炔材料的功能性

采用基于密度泛函理论中第一性原理方法分别对石墨炔负载过渡金属原子(M-gra)体系的稳定构型以及对多种气体小分子的灵敏度和选择性进行理论研究.计算结果表明金属原子吸附在孔洞结构的H2位具有高稳定性,不同种类的金属原子能够有效调控石墨炔体系的电子特性和具有不同的磁矩.比较气体分子的吸附能大小,M-gra衬底对O和OH表现出高的灵敏度,单个NO、NO₂和O₂的稳定性高于CO分子.此外,小分子吸附的M-gra体系具有金属、半金属和半导体特性,在电子和气敏器件领域具有潜在应用.     

氢原子在金属表面的吸附理论

本文在相关基函数理论框架下,利用巨分子模型,建立了氢原子在简单金属表面的吸附理论模型。通过对吸附平衡位置参量的变分数值计算,我们得到了关于氢原子在金属Al(r_s=2.07),Mg(r_s=2.66),Li(r_s=3.28)和Na(r_s=3.99)表面上的吸附能,吸附体系的电子密度以及平衡位置。对于传统的密度泛函方法得到的结果,本文作了比较。 关键词：     

快离子导体Lisicon(锗酸锌锂)晶体中7Li的NMR研究

本文在124—480K温度范围内,研究了Lisicon(锗酸锌锂)晶体不同成分不同取向⁷LiNMR线宽依赖于温度的关系,发现了Li⁺离子运动状态具有转变点温度为273K,350K(多晶320K),400K;观察到该晶体电四极效应有着与一般晶体不同的行为,并进行了讨论。 关键词：     

TWO-WAVE COUPLING IN PHOTOREFRACTIVE TRANSITION METAL DOPED POTASSIUM SODIUM BARIUM STRONTIUM NIOBATE CRYSTALS

Large values of the exponential gain coefficient are obtained (Γ= 8-20cm^-1) in photorefractive potassium sodium barium strontium niobate crystals doped with transition metal elements: Co, Gu, Fe, Cr and Ni by using two-wave coupling experiments with argon ion laser (λ = 488nm). The response time is measured to be 60-1000ms at an intensity of 5W/cm² for various samples. We find that in all the crystals electrons are the dominant photorefractive charge carriers, and the typical density of carriers is 10¹⁶-10¹⁷ cm^-3.     

用Xα-DV方法研究CO,NO在Ⅷ族过渡金属表面的化学吸附(Ⅱ)——NO分子在Pd(111)表面的化学吸附

本文用X_α-DV方法计算了NO在Pd(111)表面化学吸附问题。得到了它的电子结构,包括分子丛轨道能量本征值谱、态密度、电荷转移等等结果。在计算中特别考虑了NO之间的相互作用,所得总态密度与实验UPS十分相符,从而支持了LEED所示的几何结构,决定了NO的吸附高度为1.27?,并得知吸附于Pd表面的NO分子之间的相互作用十分重要。从理论上探讨了NO分子在Pd表面吸附时的活化作用。计算了NO分子各个轨道上的占有数,发现其电荷转移情况与CO在过渡金属表面吸附的情况相似。另外,还发现NO的吸附对Pd的价电子能带无重大影响。 关键词：     

SURFACE ELECTRONS IN IONIC CRYSTALS

The properties of a surface electron in the ionic crystal are studied. The effective Hamiltonian and the ground state energy of the electron in a phonon field are derived. The two limiting cases of the effective Hamiltonian are discussed. The different meanings represented by the bulk and surface coupling constants for some ionic crystals are analysed.     

稀有气体卤化物离子准分子XUV跃迁参数计算

利用推导的修正的Rittner势,采用ab initio高斯80程序,首次计算了稀有气体卤化物势能曲线、光谱常数、辐射波长及相关的能级寿命,自发发射,受激发射系数和增益截面,从而给出了产生XUV激光的有关参数和依据,初步认为稀有气体卤化物离子准分子可能是获得XUV波段激光的优秀侯选者。     

LISICON(锗酸锌锂)单晶的Li+离子电导

本文研究了Lisicon(锗酸锌锂)单晶的Li⁺离子电导率。发现各结晶学方向电导率之间的关系为σ_b≤σ_a≤σ_c≤σ_[110],但各向异性不强。晶体中Li含量对电导率有明显的影响,当Li/Zn比率由6.7变到9.2时,300℃a方向电导率由4.3×10^-2Ω^-1·cm^-1增加到1.25×10^-1Ω^-1·cm^-1,logσT对1/T的曲线显示出三个转变点,分别在～80℃,～140℃和～300℃。电导的激活能分别为0.50—0.58eV(25—80℃),0.92eV(～80—140℃),0.64eV(～140—300℃)和0.36eV(>300℃),极化实验表明单晶的电子电导可以忽略。 关键词：     

Yb原子高激发能级的跃迁特性

采用“类氢”模型,用数值积分方法计算了Yb原子部分高激发Rydberg态和Stark态的自发跃迁概率,及环境黑体辐射引起的受激跃迁概率,并与采用延迟脉冲场电离方法对相应态的测量结果做了比较.选取典型的初始态,测量了环境黑体辐射引起的受激跃迁对周围能级的再布居特性,并给出了理论解释.对“类氢”模型应用于复杂原子的适用性进行了分析. 关键词：     

H,O原子在过渡金属表面吸附能的规则性

用Allan的简化d带模型描叙过渡金属的表面电子态,用广义相移法计算吸附原子在表面的吸附能,结果表明,不仅很好地描绘了H,O在一个周期的过渡金属表面吸附能的变化趋势,而且所算得的吸附原子感应的分离能级也同紫外光发射谱的实验符合得很好;同时还指出,简单气体在过渡金属表面的吸附能呈现规则性变化主要决定于费密能级E_F与吸附原子的有效能级ε_a之差(E_F-ε_a),其次是转移矩阵元ν和能带宽度w_b。 关键词：     

过渡金属化合物的核磁共振

过渡金属元素最外层电子分布在d或f轨函而形成多种多样的化合物结构,每个过渡金属原子都有一、二种具有核自旋的同位素,使其化合物显示丰富的核磁共振信息,通过这些磁化学及其它谱化学的信息,使科学家对分子内的协同效应的现象和原因有全面的认识,从而对催化剂和金属酶的活性机理有更深入的理解,最终可能引致理论和计算化学的革命,并为分子设计和定向合成创造条件。