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Co2+:ZnAl2O4晶体电子光谱及其2E态双重谱线结构的Jahn-Teller效应研究 总被引:5,自引:3,他引:2
在中间场耦合图象中,利用Racak不可约张量算符法和Wigner-Eckart定理,建立了3d7(C3v)电子组态的完全能量矩阵;利用该矩阵研究了Co2+:ZnAl2O4晶体的电子光谱,理论与观测十分吻合.首次定量地解释了2E态的双重谱线结构,并从理论上预言了4A2基态2.93cm-1的零场分裂(ZFS).研究结果定量地表明,Jahn-Teller效应所致Co2+:ZnAl2O4晶体Co2+中心局域结构的畸变假设是合理的. 相似文献
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本文利用X射线粉末衍射和位敏探测技术,研究了R2Fe4/3W2/3O7(R=Er、Yb、Dy)化合物经高温高压处理后的变化情况。在3.7 GPa,1 200 ℃条件下,六方相R2Fe4/3W2/3O7化合物按两种方式分解,而直接由R2O3,Fe2O3和WO3原料出发,经上述同样的高温高压条件合成所得的产物与六方相高温高压分解产物相同,均为R2WO6、RFeO3、WO3和Fe2O3的多相聚合物。同时给出了R2Fe4/3W2/3O7六方相高温高压下的稳定区范围。 相似文献
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以反滴共沉定法制备了NiFe2O4纳米微粉,并在不同压力下将其压制成纳成米固体,然后用XRD谱和ESR谱研究了NiFe2O4纳米固体结构和界百状态随压制压力的变化。实验结果表明,NiFe2O4纳米固体的结构在高压下没有明显的变化,但其ESR谱的共振线宽和g因子值随着压力升高均表示出先逐渐增大至最大值,然手缓慢下降的规律。这种变化可以归因于纳米固体内部界面离子间的磁相互作用在压力的下所发生和变化。这引起实验结果境示,对于NiFe2O4纳米固体而言,最佳的成型压力是4.5 GPa,在此压力下,NiFe2O4纳米粒子既可以被压制成致密的纳米固体,又能够保留下它们的纳米结构和纳米性质。 相似文献
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本文解释了La2CuO4+δ(0≤δ≤0.09)和La2-xSrxCuO4(0≤x≤0.3)两种p型系统含铜稀土氧化物中的电阻和Seebeck系数与温度的依赖关系,在室温以上,一氧大气压下的La2CuO4+δ系统趋于失氧;在500 K以上,超导样品显示出失氧的一级相变,并且恢复到反铁磁相。在转变温度T1≈300 K以下,对0<δ<0.05成份的样品,相分离成反铁磁相和超导相;而在Tcρ≈100 K的温度范围内,超导相进一步分离成富空穴和贫空穴畴。在0.04≤δ≤0.09范围内,Tc处的电阻陡降出现了台阶;我们认为,它反映了电子成对的起伏。在La2-xSrxCuO4系统中,对于成分为01≈300 K以上,空穴的运动是弥散的,但是ΔHm=0;而对于x≥0.22的样品,经历了从平滑到Fermi液态的转变。成份为0c1范围(其中空穴继续以弥散方式运动)是亚稳的,但是,在Tcρ≤150 K范围,出现了电荷起伏。当样品冷却通过T1时,对于成份为0.15≤x≤0.2的样品,经历了由弥散到强质量增强巡游电子状态的转变;在Tc处,从均匀的修饰电子的正常态凝聚成超导的载流子对。在超导成份样品的正常态中,不寻常的电子-晶格相互作用,可以归结为在CuO2面上从更离子性的到共价性的Cu:3dx2-r2─O:Pσ键合的转变;通过这种转变,轨道杂化和Hubbard U参量随Cu─O键长和Cu原子上的外表局域氧化态都产生灵敏的变化。 相似文献
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经过高温高压合成的CeTbO3+δ进行了XPS研究,发现在1.0 GPa下,Tb4+在~600 ℃开始转变成Tb3+,而Ce4+在~800 ℃开始向Ce3+转变。在1 000~1 200 ℃形成单相萤石结构化合物CeTbO3+δ的Ce是以Ce3+、Ce4+混合价形式存在,Tb全部变成Tb3+。实验表明,用Ce3d谱上~888 eV峰的峰位及其与882 eV峰的相对强度变化可以定性判断化合物中是否含有Ce3+。研究了高温高压合成的CeTbO3+δ的稳定性随时间的变化问题。 相似文献
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本文在成功地用超高氧压(~6.5 GPa)及高温(~980 ℃)合成和结构测定的基础上,首次对金属性化合物中LaCuO3中的Cu3+离子给予标定,并研究了它与绝缘体中Cu3+的区别。本论文中合成的LaCuO3为金属性化合物,电导率测量表明在大于13 K无超导电性迹象。XPS测量给出了LaCuO3中Cu2p3/2内层电子结合能相对于La2CuO4或CuO中的Cu2+向高结合能方向移动了约2.6 eV,这一量值远大于NaCuO2(绝缘体)中的Cu2p3/2相对于CuO中的Cu2+移动的值,约为1.3 eV。Auger谱测量表明,LaCuO3的修正了的Auger参数与CuO的基本相同,但L3VV的Auger电子动能相对CuO移动了2.8 eV。这些位移说明在金属性化合物LaCuO3中,Cu3+处在八面体位置上,它与近邻的Cu3+连成单个Cu—O—Cu桥,因此可作为对比p型高Tc含铜氧化物的XPS谱的标准。 相似文献
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The Babar Collaboration announced two new excited charmed baryons Ξc(3055)+ and Ξc(3123)+. We study their strong decays assuming they are D-wave states. Some assignments are excluded by comparing our numerical results with the experimental values of the total widths of Ξc(3055)+ and Ξc(3123)+. We also suggest some possible decay modes, which will be helpful to 相似文献
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本文采用超高氧压2.3 GPa合成方法,得到超导相含量大于30%的超导化合物La2CuO4+δ所采用的压力是目前所见报导中对La2CuO4化合物施加的最高氧压。湿化学方法测量给出过量氧含量δ=0.05±0.01,而TGA(氮气中)给出δ=0.143。高氧压合成产物经在空气中、不同温度下加热,然后淬火到室温,结果发现超导体在200~300 ℃的加热处理中存在着一个一级相变。经此相变后,超导体转变成反铁磁半导体。TGA及DSC证实了此相变的存在。该相变前后所联系的氧含量变化恰好为湿化学方法给出的结果,这部分与超导电性存在联系的过量氧,实际上引起了Cu2+向Cu(2+2δ)+的转变。该结果强有力地排除了所谓“超氧化物”引起超导电性的可能性。 相似文献
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利用X射线衍射分析和Rietveld结构精修方法研究了基于组分Ca2Pr2Cu5O10三元固溶区的范围和晶体结构。根据X射线分析结果和相消失法,为了保持Ca2+xPr2-xCu5O10结构单位晶胞中恒定的氧含量和电价平衡,基于组分Ca2Pr2Cu5O10的三元固溶区的范围可确定为:在Ca2+xPr2-xCu5O10固溶区的富Ca区(Ca/Pr>1),其表达式仍可以表示为一般的化学计量式Ca2+xPr2-xCu5O10(x=0.4, 0.2, 0);在富Pr区(Ca/Pr<1),其表达式为Ca1.7Pr2.2·Cu5O10、Ca1.4Pr2.4Cu5O10,即:Ca2+xPr2-xCu5O10固溶区范围从Ca2.4Pr1.6Cu5O10至Ca1.4Pr2.4·Cu5O10。研究表明:基于组分Ca2Pr2Cu5O10的三元固溶体晶体结构可以看作是正交晶系NaCuO2型亚晶胞的无公度相;Ca2.4Pr1.6Cu5O10亚晶胞的点阵常数为a0=0.282 46(7) nm,b0=0.636 93(1) nm,c0=1.067 94(1) nm;其正交超结构的点阵常数为a=5a0,b=b0,c=5c0。Ca2.4Pr1.6Cu5O10的结构也可以用单斜超晶胞来表述,该单斜超晶胞的空间群为P21/c,Z=4,a=5a0,b=b0,c=c0/sin β,β=104.79°或136.60°,V=5a0b0c0。在基于组分Ca2Pr2Cu5O10的三元固溶体晶体结构中,Ca和Pr之间在一定范围内是可以相互替代的,而且它们在结构中的占位是无序的。 相似文献
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本文研究了冷压(2.2~5.2 GPa)与热压(2.2 GPa,2.50~950 ℃)对YBa2Cu3O7-δ的正交→四方相转变区和超导电性的影响。冷压保持其正交结构,但破坏了超导性,在98 K(失超点)到室温呈半导体特性,再在空气中烧结,可恢复液氮温区的零电阻状态。以Cu锅密封样品,热压处理至950 ℃,不发生Cu的析出。热压处理后,98 K(失超点)到室温呈半导体特性,再经通氧烧结,于86 K出现零电阻。热压处理过程,从450~950 ℃为正交→四方转变区。950 ℃为转变结束温度,大大高于氧气、空气、氮气、真空状态的温度。400 ℃附近为起始转变温度,低于氮气、氧气气氛的温度。因此相变区加宽。T0-t结束温度升高,与Cu锅的抑制还原作用有密切关系。如降低高压淬火速率(<<102 ℃/s),或随后辅以氧气氛中的后处理,将有利于获得既有高密度又有高Tc的YBa2Cu3O7-δ超导体。 相似文献
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在21 500~11 500 cm-1光谱区间内测量了Gd2O2S:Eu的荧光光谱,测量是在室温和液氮条件下进行的,对122条低温谱线和96条常温谱线进行了指认。识别了Eu3+离子5D0~2及7F0~6的39个斯塔克能级中的35个能级。在0~15 GPa压力范围内,研究了Gd2O2S:Eu高压下的发射光谱。在压力作用下,发现所有观测到的谱线都红移,强度降低。6个5D0~2能级下降速度大于7FJ,5D2、7F2~5多重态的斯塔克劈裂变大,而5D1和7F1的劈裂变小。 相似文献
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SnO2:Zr薄膜对SO2气体的光学气敏特性研究 总被引:1,自引:1,他引:0
采用双靶反应溅射制得SnO2:Zr薄膜,并对它作了150°C下SO2气敏光学特性试验,首次发现在适当工艺条件下制得的SnO2:Zr薄膜在近红外波段(1.7~3μm)对SO2气体具有明显的光学气敏特性,在2.65μm附近透过率上升幅度达10%左右.Zr的引入增强了SnO2薄膜对SO2的吸附能力.用二次离子质谱对吸附SO2前后的薄膜作了组分相对含量分析.本实验结果对今后研究高性能SO2气敏传感器有一定的价值. 相似文献