大容量体全息相关系统

基于晶体体全息角度分维复用存储机理，采用半导体抽运固体激光器取代氩离子激光器作为系统光源，设计并构建了一台小型体全息存储及相关系统。实现了基于1000幅人脸库图像的相关识别，并通过子波变换滤波预处理提取图像边缘特征，得到了较为准确的识别结果。     

多通道体全息子波相关器及其在指纹识别中的应用

基于子波匹配相关理论经和光折变晶体的本全息关联存储特性,有用球面波作参考光,构建了一个新型的多通道体全息子波相关器。该系统具有多通道并行相关特性和更高的识别准确率,并且较通常的平面参考光波体全息相关器更为紧凑,易于小型化和实用化。初步研究了其在指纹识别中的应用,给出了实验结果。     

利用动态散斑实现体全息存储的新型复用技术

本文提出了一种新型散斑全息存储技术,它是在体全息存储参考光路中加入一随机相位板并通过其移位导致被参考光照明的位置发生变化,利用在存储介质上产生的动态散斑实现多重全息存储.基于动态散斑互相关和衍射理论导出了相应的理论模型,给出了参考光散斑尺雨寸对反映存储密度的复用选择性影响的计算分析和实验结果,从而表明该技术可方便地用于提高系统的存储密度.     

多路角度复用体全息三维显示技术

为满足高分辨率真三维大数据显示的空间带宽积要求,提出一种基于多通道角度复用模式的体全息三维显示技术。通过对三维场景进行波前编码,获得相位计算全息图,并将计算全息图依次按照不同角度复用记录到掺杂金纳米颗粒体全息光致聚合物材料的同一区域,获得复用体全息图,再现时可以在不同角度观察三维场景。在体全息三维显示实验系统中,实现体全息材料记录区域的单点像素总数为120×1 920×1 080,显示的空间带宽积达到了2.5×108,相对于空间光调制器显示提升了120倍。     

体全息子波关联记忆器

基于子波匹配相关理论和光折变晶体的体全息关联存储特性,提出并实现了一个关联记忆的新构思。中根据缺损特征实现原始图像的记忆和恢复,其中光折变晶体兼作图像识别时的运算单元和图像恢复时的存储单元,文中以人脸为研究对象,给出了实验结果。     

参考光波面质量对全息存储质量影响的数值模拟研究

采用数值模拟方法研究了不同种类参考光波面质量对再现图像质量的影响.针对全息实验实际情况,对二值图像建立了傅里叶变换全息图记录和读出的物理模型,分别考察采用一般平面波参考光、高斯光束球面波参考光和散斑参考光时的读出图像质量,并以信噪比损失作为衡量图像质量的定量工具.模拟结果表明,在理想平面波参考光和球面波参考光的情形,全息读出图像质量非常好,与输入图像相比信噪比损失在0.6dB以下.但是对于散斑参考光,尽管其极优的位移选择性提供了高密度存储的可能性,但再现图像质量明显变差,信噪比损失在5dB以上,实现有效的数据存储位密度将是十分困难的.为了兼顾存储密度和再现质量,应该考虑优化参考光的途径.     

大容量体全息相关器存储时序的改进

体全息相关器的存储时序直接影响多通道输出的衍射效率均匀性,进而影响识别率。通过引入约束因子β,对传统的递减曝光时序进行改进,提出约束递减曝光时序,并用此时序在2400幅的存储容量下,实现了衍射效率较均匀的并行相关输出。     

二芳烯材料在重复擦写体全息存储中的应用研究

二芳烯材料是一种性能优异的光致色变材料,具有很好的抗疲劳性能,一般能重复擦写上万次,而不损失其性能。通过体全息光栅记录实验、角度复用体全息存储实验、重复擦写及强光记弱光读等实验,对二芳烯材料在重复擦写体全息存储中的应用进行了系统研究。由于二芳烯材料具有很高的折射率调制度(Δn=1.15×10-3)、可多次重复擦写、强光记弱光读的准非易失等性能,在可重复擦写的体全息存储中具有广阔的应用前景。     

超大容量体全息存储的研究现状及未来发展

分析传统磁存储及光盘存储的极限,概述体全息存储的基本原理及特点,并重点介绍该技术最新的研究动态和未来发展方向。     

光致聚合物的高密度数字全息存储特性综述

文章综述了光致聚合物的高密度数字全息存储特性,可以看到光致聚合物将是高密度数字全息存储最有希望最先获得突破的材料。     

Volume holographic optical correlator based on fractal-space/shift multiplexing

In this paper, we demonstrate theoretically and experimentally a new multiplexing method for volume holographic optical correlator using fractal-space/shift multiplexing. We multiplex the hologram recording by repetition of fractal-space multiplexing with partial area-overlap. This method makes a way for high recognition rate and full use of the dynamic range for volume holographic optical correlator.     

球面波条件下体全息存储的衍射特性分析

从理论上推导了球面波作为参考光和读出光时体全息存储的相对衍射效率和晶体旋转角度之间的关系,对得到的衍射效率的理论公式进行了数值模拟,并且对模拟的结果进行了分析。结果表明,球面波系统的存储容量更高,角度选择性更好,并且有利于系统的小型化。     

多重结构的体全息存储傅里叶变换光学系统设计

分析了体全息存储傅里叶变换光学系统的设计要求和光学参量的确定。采用多重结构方法对傅里叶变换镜头的正向和逆向光路同时进行了优化,可实现对两对物像共扼位置控制像差。给出了前后组焦距分别为44mm和40mm的达到衍射受限要求的4片型球面全息存储光学系统的设计结果。     

大容量高密度体全息数据存储

基于晶体体全息存储机理 ,采用半导体泵浦固体激光器取代氩离子激光器作为系统光源 ,设计并构建了小型体全息存储器 ,实现了 15 0 0幅等衍射效率高分辨率全息图的记录和复现 ,其存储容量大于 1 1Gbit ,存储密度大于1 4Gbit/cm3 。     

Shifting selectivity of collinear volume holographic storage

A paraxial equation for calculating pixel-based 2-D shifting selectivity of collinear holographic storage system is proposed. The equation shows that the broader reference pattern makes high shifting selectivity. In addition, both amplitude and phase modulation make no obvious change in shifting selectivity so shifting selectivity is not affected through advanced design of reference pattern. Besides, a simplified formula based on a point signal is proposed, which shows a clear physical insight that the shifting selectivity is the square of Fourier transform of the intensity distribution of reference pattern and does not depend on thickness of the disc when a point signal is applied.     

双波长敏感的非水溶性光致聚合物存储特性研究

研究了一种新型的对红光和蓝光敏感的非水溶性光致聚合物材料的全息存储特性。该聚合材料由复合单体、复合光敏剂、复合引发剂、链转移剂及成膜物等成分组成,它具有防潮、后处理简单、分辨率高及耐高温等特点,对红、蓝光2种衍射效率均不低于75%,灵敏度为(45～65)mJ/cm2。对该材料先后进行了双波长复用存储实验和角度复用存储实验,当用红光或蓝光再现时再现图像清晰可见,相邻2副图像之间无明显干扰,说明该材料具有良好的存储性能,适合作高密度数字全息存储的记录材料,可用作光通信中的波分复用器及其他光学元件。     

光路几何配置对体全息存储角度复用度的影响

利用耦合波理论对体全息存储角度复用方式的基本原理进行了讨论,分析了对称写入、非对称写入及邻面写入等不同光路几何配置对角度复用度的影响。考虑存储介质临界角的限制,推导出最大角度复用度的计算公式。理论分析及数值模拟表明：非对称入射光路比对称入射光路更有利于提高系统的角度复用度;邻面入射光路的角度复用度最高且与参考光入射角改变量成正比,邻面入射光路是最佳的角度复用存储光路。     

掺杂对铌酸锂晶体非挥发全息存储性能的影响

通过研究掺镁、掺锌和掺铟同成分铌酸锂晶体的紫外-红光双色全息存储性能,发现双色记录响应时间均比单色记录时明显缩短,最多的可减小3个数量级;双色记录灵敏度大幅度提高,在掺镁5 mol.%的晶体中可达到11 cm/J.在掺杂浓度超过抗光损伤阈值的铌酸锂晶体中,均可实现非挥发全息存储.但是,在掺镁、锌样品中,深、浅能级中心上的光栅反相,而在掺铟样品中则表现为同相.这是由于掺杂离子的种类不同,在铌酸锂晶体中形成的缺陷中心也不同所引起的. 关键词： 掺杂 铌酸锂晶体 非挥发 全息存储