共查询到15条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
2.
在有效质量近似下,利用量子力学的密度矩阵理论,采用无限深势阱模型导出了三层球型量子点的三阶非线性光学极化率(自聚焦)的解析表达式.通过数值计算,分析了ZnS/CdSe/ZnS球型核壳结构量子点的三阶极化率(自聚焦)与量子点尺寸和入射光频率之间的关系.结果显示,量子点尺寸增大时,自聚焦效应三阶极化率(自聚焦)的峰值高度增大,峰值位置红移.本文的讨论为实验研究和实际应用提供了理论依据,对于光电器件的研究和改进有参考价值. 相似文献
3.
在有效质量近似下,利用量子力学的密度矩阵理论,采用无限深势阱模型导出了三层球型量子点的三阶非线性光学极化率(自聚焦)的解析表达式.通过数值计算,分析了ZnS/CdSe/ZnS球型核壳结构量子点的三阶极化率(自聚焦)与量子点尺寸和入射光频率之间的关系.结果显示,量子点尺寸增大时,自聚焦效应三阶极化率(自聚焦)的峰值高度增大,峰值位置红移.本文的讨论为实验研究和实际应用提供了理论依据,对于光电器件的研究和改进有参考价值. 相似文献
4.
理论计算了带有极化子效应的ZnS/CdSe柱型核壳结构量子点简并四波混频的三阶极化率.在有效质量近似下,采用无限深势阱模型,导出了带有极化子效应的柱型量子点的三阶非线性光学极化率的解析表达式,解三维薛定谔方程得到电子的本征能量和波函数.分析了电子-LO声子和电子-IO声子相互作用对ZnS/CdSe核壳结构量子点简并四波混频的三阶极化率的影响.结果表明,当量子点尺寸一定时,带有极化子效应的χ(3)DFWM比没有极化子时的三阶极化率提高了近3个数量级,并且电子-LO声子的影响比电子-IO声子的影响大得多;当固定核壳量子点的阱宽而内外半径发生变化时,χ(3)DFWM的峰值随之变化,而且极化子效应影响的大小也随之发生变化. 相似文献
5.
在有效质量近似下利用量子力学的密度矩阵理论,采用无限深势阱模型解三维薛定谔方程得到电子的本征能量和波函数.从理论上计算了考虑极化子效应后,在导带子带间跃迁时ZnS/CdSe柱型核壳结构量子点光学克尔效应的三阶极化率.通过数值计算,分析了电子-LO声子和电子-IO声子相互作用对ZnS/CdSe柱型核壳结构量子点光学克尔效应的三阶极化率的影响.结果表明:极化子效应对光学克尔效应的三阶极化率 有很大影响,并且影响的大小与量子点的尺寸大小有关.
相似文献
6.
在有效质量近似下利用量子力学的密度矩阵理论,采用无限深势阱模型解三维薛定谔方程得到电子的本征能量和波函数.从理论上计算了考虑极化子效应后,在导带子带间跃迁时ZnS/CdSe柱型核壳结构量子点光学克尔效应的三阶极化率.通过数值计算,分析了电子-LO声子和电子-IO声子相互作用对ZnS/CdSe柱型核壳结构量子点光学克尔效应的三阶极化率的影响.结果表明:极化子效应对光学克尔效应的三阶极化率有很大影响,并且影响的大小与量子点的尺寸大小有关. 相似文献
7.
8.
柱形量子点中的三阶极化率 总被引:5,自引:5,他引:0
利用量子力学的密度矩阵理论,在有效质量近似下,采用有限深势阱模型,导出了柱形量子点的三阶非线性极化率的解析表达式.通过数值计算,分析了GaAs/AlβGa1-βAs柱形量子点的三阶非线性极化率与量子点尺寸、掺杂浓度、入射光的频率和偏振方向等参量的关系.结果表明,三阶极化率峰值位置与这些参量密切相关,并且对于确定频率和偏振方向的入射光以及材料的掺杂浓度,存在与之相匹配的量子点尺寸,使三阶极化率达到极大,比体材料的相应值高出2个数量级以上. 相似文献
9.
在有效质量近似下,利用量子力学密度矩阵理论,从理论上研究了考虑极化子效应后核壳量子点中线性、三阶非线性以及总的光吸收系数在不同条件下随入射光能量变化的关系。通过数值计算,分析了电子-LO声子和电子-IO声子相互作用对ZnS/CdSe柱型核壳结构量子点光吸收系数的影响。结果表明,极化子效应对光吸收系数有很大影响,不同声子模式对光吸收系数影响大小不同。考虑电子-LO声子后,光吸收系数被大大提高。另外,入射光强和弛豫时间对系统的吸收系数也有很大影响。 相似文献
10.
11.
在有效质量近似下,利用量子力学的密度矩阵理论,采用无限深势阱模型,从理论上研究了ZnS/CdSe柱型核壳结构量子点中线性和三阶非线性光吸收系数。导出了柱型量子点中线性和三阶非线性光学吸收系数的解析表达式,分析了该系统在不同条件下线性和三阶非线性光吸收系数与入射光频率之间的关系。改变系统的参数,该系统的光吸收系数呈规律性变化。计算结果表明:弛豫时间τ、入射光强I和壳半径R2对系统的吸收系数α有很大的影响,从而为实验上研究核壳结构量子点的非线性光学效应提供了必要的理论依据。 相似文献
12.
The polaron effect in a quantum dot quantum well (QDQW)system is investigated by using the perturbation method. Both the bound electron states outside and inside the shell well are taken into account . Numerical calculation on the CdS/HgS QDQW shows that the phonon correction to the electron ground state energy is quite significant and cannot be neglected. 相似文献
13.
14.
15.
量子点中强耦合极化子的性质 总被引:8,自引:3,他引:5
采用Pekar类型的变分方法研究了抛物量子点中强耦合极化子的基态和激发态的性质。计算了基态和激发态极化子的结合能、光学声子平均数和极化子的共振频率。讨论了这些量对有效限制强度和电子 体纵光学声子耦合强度的依赖关系。结果表明:抛物量子点中极化子的共振频率、基态和激发态极化子的结合能以及光学声子平均数都随量子点的有效束缚强度的增大而减小。光学声子平均数随电子 体纵光学声子耦合强度的增加而增大。 相似文献