非光敏聚酰亚胺钝化工艺研究

本文介绍了非光敏聚酰亚胺用于双极型高压晶体管芯片制造阶段的表面钝化的工艺。该工艺的应用使晶体管生产成本有了大幅度的下降。     

超净硅片表达化学清洗工艺的优化研究

本采用正交试验设计法优化硅片化学清洗工艺，由Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）检测清洗后的硅表面沾污杂质，结果表明，硅表面上主要沾污杂质氧和碳的最低含量 １．６×１０＾１３／和３．１×１０＾１３／ｃｍ，均达到超净的水平。本还研究了Ｉ号和Ⅱ液对硅片表面沾污的影响     

金刚石膜粘附力的增强

为提高金刚石膜的粘附力,采用直流等离子体喷射CVD法和等离子体喷涂材料法合成了含金刚石组份梯度中间层。合成这种组份梯度金刚石膜所用的设备包括直流等离子体喷射炬,水冷基板座和真空反应室。将氢和甲烷气体的等离子体流喷涂在水冷基板上,形成金刚石膜。中间层由送入合成金刚石的等离子体中的粉末状物质形成。用改变粉末传送速率的办法控制组份梯度。基板为W/Mo合金,粉末状物质为WC。借助扫描电镜(SEM)和x射线显微分析(XMA)等分析方法,观察金刚石和等离子体喷射物混合体的形成。由于难以有效地控制非常低的粉末传送速率,因而组份梯度不是均匀的。x射线衍射和拉曼光谱分析表明中间层不含石墨。含中间层的金刚石膜的粘附强度超过150kg/cm~2;而不含中间层的金刚石膜的粘附强度则低于10kg/cm~2。     

高能离子注入聚酰亚胺薄膜表面结构研究

聚合物材料除了具备密度小、易成型、耐腐蚀、成本低的优点外 ,其薄膜或器件经不同条件离子束处理后的机械性能、化学性能和物理性能 (如表面硬度、摩擦阻力、抗腐蚀能力、导电能力等 )有不同程度的提高[1～ 3 ] ,在核技术与宇航技术中 ,离子束改性聚合物材料的抗环境能力已备受关注 ,尤其是表面超硬耐磨聚合物材料的制备及机理研究是近年来材料研究的热点之一。根据文献和本课题组的研究工作得知 ,聚酰亚胺 (Ｋａｐｔｏｎ)在离子注入前后 ,电阻率由 10 15ΩＭ-1降低到 3× 10 -5ΩＭ-1;硬度由 0 5 5ＧＰａ提高到 6 7ＧＰａ ,在球盘式磨损…     

聚酰亚胺与溅射SiO_2双层介质的钝化技术

本文介绍我们采用聚酰亚胺与溅射SiO_2双层介质进行表面钝化的研究.这种技术克服了单一聚酰亚胺介质层进行表面钝化时难于微细加工的缺点,以其特有的流平性、与金属层良好的粘附性而成为集成电路表面钝化及多层布线的新途径.     

气相沉积法制备聚酰亚胺薄膜的光、电特性研究

以均苯四甲酸二酐 (PMDA)和二氨基二苯醚 (ODA)为单体原料 ,研究了在 3× 10 - 3Pa真空度下 ,通过控制双源单体的加入摩尔计量、加热时间和其沉积速率 ,在玻璃衬底上合成了聚酰亚胺的预聚体聚酰胺酸 ,再经 15 0～ 2 0 0℃真空加热亚胺化 1h后得到了成膜性良好的均匀聚酰亚胺薄膜。通过红外吸收、X射线衍射和扫描电镜等方法对样品的组织结构和特性进行了研究和探讨。结果表明 ,气相沉积法制备的聚酰亚胺薄膜具有良好的电学特性和热稳定性     

用于绝缘体上硅工艺的硅片粘合技术

硅片粘合技术,是一种最有希望取代其它SOI方法的工艺,因为SOI层能完整地保留普通硅片结晶完美性。根据器件设计要求,选择晶向、掺杂物质和被粘合硅片的电阻率。即使采用～1μm的厚度,其底层氧化物的厚度也能修正。现在,已经可以获得均     

聚酰亚胺薄膜驻极体性能的湿敏效应

本文以杜邦公司的聚酰亚胺市售商品膜为样品，通过等温表面电位衰减测量及热激放电电流谱分析，讨论了环境湿度对聚酰亚胺薄膜驻极体电荷贮存寿命的影响，利用热脉冲技术研究了不同环境湿度下聚酰亚胺驻极体的沉积电荷平均电荷重心的移规律，研究结果指出：聚酰亚胺驻极体性能具有突出的温敏效应，其电荷贮存能力随环境相对湿度的上升而下降，注入电荷的平均浓度随注极时相对湿度提高而明显地向体内迁移。     

硅片自动喷砂机的设计与使用

本文阐述了硅片自动喷砂机的原理、主要结构特点、技术性能及使用方法。过去我们厂生产的双向可控硅采用手工磨片工艺,其通态压降大,易产生碎片,操作人员劳动强度大,工效低,且合格率仅为40～50％。使用喷砂工艺后,通态压降的合格率达90％以上,并减少了碎片,提高了工效,降低了生产成本,取得了明显的经济效益和社会效益。     

硅片抛光雾的分析研究

通过试验分析了抛光雾产生的机理和影响因素。在试验的基础上，优化选择了抛光工艺技术，有效地控制了抛光雾，取得较好的结果。     

硅片表面磨削技术的应用研究

随着IC制造技术的飞速发展,为了增加IC芯片产量和降低单元制造成本,硅片直径趋向大直径化,原有的传统研磨工艺已不适应大直径硅片的加工,人们开始研究用硅片自旋转表面磨削方法来代替传统的研磨方法。通过实验的方法,对切割后的硅片表面进行磨削,获得了较理想的表面效果,达到了减少抛光去除量和抛光时间的目的。     

气相沉积法制备聚酰亚胺薄膜的光、电特性研究

以均苯四甲酸酐(PMDA)和二氨基二苯醚(ODA)为单体原料,研究了在2×10-5Torr真空度下,通过控制双源单体的加入摩尔计量、加热时间和其沉积速率,在玻璃衬底上合成了聚酰亚胺的预聚体聚酰胺酸,再经150～200℃真空加热亚胺化,1小时后得到了成膜性良好的均匀聚酰亚胺薄膜.通过红外吸收、X射线衍射、扫描电镜等方法对样品的组织结构和特性进行了研究和探讨.结果表明,气相沉积法制备的聚酰亚胺薄膜具有良好的电学特性和热稳定性,不失为聚合物合成的可能途径之一.     

硅片脱胶技术的现状及发展研究

介绍了硅棒在线切割后的脱胶工艺技术,分析了硅片脱胶的技术发展和难点,通过介绍主要工艺设备的工作原理来剖析脱胶技术的现状以及未来发展的趋势。     

超薄硅片的剥膜研究

介绍了超薄化芯片,分析了贴膜工艺前移的必要性。阐述了剥膜原理．分析了剥膜台与剥膜棒位置的变化关系,提出了剥膜台与剥膜棒相平行的调整方法,并且检测了剥膜完成情况。     

大尺寸硅片背面磨削技术的应用与发展

集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展，为满足IC封装要求，图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着大直径硅片的应用，硅片的厚度相应增大，而先进的封装技术则要求更薄的芯片，超精密磨削作为硅片背面减薄主要工艺得到广泛应用。本文分析了几种常用的硅片背面减薄技术，论述了的基于自旋转磨削法的硅片背面磨削的加工原理、工艺特点和关键技术，介绍了硅片背面磨削技术面临的挑战和取得的新进展。     

用可光聚合和可溶的聚酰亚胺薄膜作液晶取向层

我们开发了一种含苯乙烯侧链的可光聚合和可溶的新型聚酰亚胺（ＰＩＣＡ），有于对向列相液晶取向。用长波线性振紫外光（ＬＰＵＶ）照射ＰＩＣＡ薄膜，能得到很好的液 取向。液晶的取向方向垂直于入射ＬＰＵＶ光的偏振轴。由ＰＩＣＡ薄膜发的液晶分子的取向，在加热至８５℃并保持４５０小时后仍保持不变。采用峡谷次日光的方法能使ＰＩＣＡ薄膜产生小的预倾角。     

308nm准分子激光剥离聚酰亚胺薄膜实验研究

为了研究聚酰亚胺薄膜在308nm准分子激光下的剥离效果, 采用实验研究的方法, 分别探究了激光能量密度、光斑重叠率、脉冲频率、衬底温度对激光剥离效果的影响, 并结合显微镜观察剥离后的衬底和薄膜形貌。结果表明, 激光剥离能量阈值约为160mJ/cm2, 在激光能量密度为180mJ/cm2~190mJ/cm2左右、光斑重叠率为68.33%时, 剥离效果较好; 提高衬底温度有利于激光剥离过程。该研究对聚酰亚胺薄膜在柔性电子领域的工业化应用具有一定意义。