组分变化对La掺杂PZST反铁电陶瓷电性能的影响

研究了Ｌａ掺杂ＰＺＳＴ反铁电陶瓷Ｚｒ∶Ｓｎ比的变化对电性能的影响。随着Ｚｒ∶Ｓｎ比的增加，开关电场ＥＡＦＥ－ＦＥ减小，回滞ΔＥ增大，峰值介电常数εｍａｘ增加并且变得尖锐，铁电－反铁电相变温度ＴＦＥ－ＡＦＥ和居里温度ＴＣ升高。     

La掺杂PZST反铁电陶瓷电场诱导热释电现象

研究了Ｌａ掺杂ＰＺＳＴ反铁电陶瓷在不同偏置电场下的场诱热释电特性。在０～１２０°Ｃ温度范围内，热释电的峰值和峰位可以用电场的大小来控制，热释电系数达到１０－７Ｃ／ｃｍ２·Ｋ。     

用于电压调节器的PZST反铁电陶瓷研究

通过调节Zr^4＋／Ti^4＋比对La^3＋、Sr^2＋掺杂的PZST反铁电陶瓷进行分析，从中得到两种能用于电压调节器件的陶瓷材料。在20～80℃时，这两种材料的相变电场随温度变化不大。材料的反向开关时间为1～12μs，开关时间随反向相变电场的升高而减小，且与样品的尺寸有关。     

La掺参PZST反铁电陶瓷电场诱导热释电现象

研究了Ｌａ掺杂ＰＺＳＴ反铁电陶瓷在不同偏置电场下的场诱热释电特性。在０－１２０温度范围内，热释电的峰值和峰位可以     

(Ba1-xSrx)TiO3系铁电陶瓷的制备及其介电性能研究

本文研究了（Ｂａ１－ｘＳｒｘ）ＴｉＯ３系铁电陶瓷的制备工艺。讨论了配方组分，烧结工艺，工作频率等因素对材料的显微结构，介电损耗Ｄ，温度系数α等性能的影响。研究表明，ＳｎＯ２掺杂较ＺｒＯ２掺杂的ＢＳＴ系材料的移动叠加效应要好；适当提高烧结温度；延长高温保温时间，有利于晶粒长大，进而有利于克服晶界缓冲型展宽效应，两者均可 有效提高材料的温度系数α，而工作频率的改变使材料测得的介电常数有所不同。另外，随     

铁电及反铁电液晶显示

介绍铁电液晶及反铁电液晶显示的特点，对铁电液晶显示器中，分子排列不易均匀和容易受振动而破坏的难题，提出了解决办法，指出铁电液晶显示器和反铁电液晶显示器具有很好的发展前景。     

(Pb0.97La0.02) (Zr0.75Sn0.25-xTix) O3 反铁电陶瓷温度诱导相变效应

Pb0：97La0：02（Zr0：75Sn0：25x Ti x/O3（x D0.10, 0.105, 0.11）（PLZST） antiferroelectric ceramics with highly preferred-（110） orientation were successfully fabricated via the conventional solid-state reaction method.The antiferroelectric nature of PLZST ceramics induced by electric field was demonstrated by the dielectric constant-temperature（D-T） and the polarization-electric field（P-E） measurement. Typical phase transition from ferroelectric（FE） to antiferroelectric（AFE）, and then to paraelectric（PE） is obtained. The results indicate that the phase transition behavior is suppressed with increasing of x, and T c is remarkably shifted to higher temperature of168 ℃, 170 ℃ and 174 ℃, respectively. Besides, high phase transition current（110 6A, 810 7A and 610 7A, respectively） is obtained with temperature induced. Consequently, the excellent electric properties and the restraint between temperature and electric field would provide basis on the application of PLZST antiferroelectric ceramics in microelectronic integrated systems and sophisticated weapons systems.     

La^3＋掺杂Pb（Zr,Ti,Sn）O3反铁电陶瓷的研究

从反铁电材料的储能特性出发，着重介绍了一类适合制作储能电容器的Ｌａ＾３＋掺杂Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ３反铁电陶瓷材料。通过电滞回线和直流偏压特性的测试，研究了反铁电陶瓷的电场强迫反铁电－铁电相变。结果表明：Ｌａ＾３＋掺杂Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ３反铁电瓷料可用于制作高压、高储能密度、长工作寿命的储能电容器。     

基于弛豫行为的无铅反铁电陶瓷储能性能优化研究进展

电介质具有极快的充放电速度和超高的功率密度等优点,在新能源汽车、脉冲功率器件等领域有着广阔的应用前景。无铅反铁电陶瓷因具有独特的双电滞回线而表现出较高的储能密度,是重要的电介质储能材料。在无铅反铁电陶瓷中引入弛豫行为,构建形成弛豫型反铁电体是进一步提升其储能密度和储能效率的有效途径。综述了近年基于弛豫行为优化无铅反铁电陶瓷储能性能的研究进展,重点阐述了弛豫行为对钛酸铋钠(Bi_0.5Na_0.5TiO₃)、铌酸银(AgNbO₃)及铌酸钠(NaNbO₃)基陶瓷储能性能的影响规律和内在机制,并提出了未来研究中亟待解决的问题。     

金属—PTC陶瓷复合材料的介电性质

研究了金属ＰＴＣ陶瓷复合材料的介电行为。研究表明，金属－ＰＴＣ陶瓷在电场作用下，由于正负电荷、晶格畸变和空位缺陷等而产生空间电荷极比使金属ＰＴＣ陶瓷复合材料有较高介电常数。介电损耗频率谱和介电常数温度谱上都再现一个介电损耗峰，其主要原因是跃迁极化，金属阳离子由一个位置跃迁到另一个位置，在介电损耗峰民常数峰所对应的频率和温度时出现跃迁极化率最大。     

BSZN微波介质陶瓷介电常数的异常

研究了(Ba1-xSrx)(Zn1/3Nb2/3)O3(BSZN)微波介质陶瓷介电常数的非线性变化以及异常的原因。随着系统中Sr(1/3Nb2/3)O3的增多,介电常数的异常是由于氧八面体的畸变导致的相转变(对称性降低)及第二相的生成造成的。未发生相转变前,介电常数的增大可用电介质理论加以解释;发生相转变后,介电常数呈线性下降趋势,符合对数混合定律。     

高压烧结的BaTiO3陶瓷的介电性能

用两种高压法烧结得到致密的细晶BaTiO3陶瓷。由压力辅助烧结得到的陶瓷晶粒没有过分长大,晶粒尺寸保持在纳米尺度内;用高压成型常压烧结法得到的陶瓷晶粒明显长大。当BaTiO3陶瓷的晶粒尺寸从400 nm减小到50 nm时,相应的介电常数从3 000减小到1 900。介电常数的减小可由晶粒尺寸的减小而导致四方度的降低和非铁电低介电常数的晶界层解释。且铁电-顺电转变由一个尖锐峰变成一个宽的区域,宽的转变区域表现出扩散相变的特征。     

RainbOW型反铁电驱动器的制备及特性

Rainbow型驱动器是一种具有内部应力偏移，含有还原层，并有特殊拱形结构的新型大位移驱动器。文章对其制备工艺进行了探索和研究，成功制备了基于Pb(Sn,Zr,Ti)O3反铁电陶瓷的Rainbow型驱动器。在电场作用下，伴随铁电相变Rainbow驱动器能产生很大的位移，并能承受较大的应力载荷，显示出广阔的应用前景。此外，文章还研究了驱动器的基本驱动性能及其影响因素，讨论了它的特殊结构，提出了相应的结论。     

爆电换能用反铁电材料

采用爆炸冲击波作用于贮存有电极化能量的铁电体，迫使其转变成反铁电体，可释放出巨大电能量，用于一次性的高压、大功率脉冲电源。本工作研究了锆钛酸铅反铁电材料在电场、压力、温度作用下的反铁电一铁电相变性质，介绍了在爆炸冲击波作用下铁电向反铁电转变过程中电量的输出特性。     

Ultrahigh Energy‐Storage Density in Antiferroelectric Ceramics with Field‐Induced Multiphase Transitions

The excellent energy‐storage performance of ceramic capacitors, such as high‐power density, fast discharge speed, and the ability to operate over a broad temperature range, gives rise to their wide applications in different energy‐storage devices. In this work, the (Pb_0.98La_0.02)(Zr_0.55Sn_0.45)_0.995O₃ (PLZS) antiferroelectric (AFE) ceramics are prepared via a unique rolling machine approach. The field‐induced multiphase transitions are observed in polarization–electric field (P–E) hysteresis loops. All the PLZS AFE ceramics possess high energy‐storage densities and discharge efficiency (above 80%) with different sintering temperatures. Of particular significance is that an ultrahigh recoverable energy‐storage density of 10.4 J cm^‐3 and a high discharge efficiency of 87% are achieved at 40 kV mm^‐1 for PLZS ceramic with a thickness of 0.11 mm, sintered at 1175 °C, which are by far the highest values ever reported in bulk ceramics. Moreover, the corresponding ceramics exhibit a superior discharge current density of 1640 A cm^‐2 and ultrafast discharge speed (75 ns discharge period). This great improvement in energy‐storage performance is expected to expand the practical applications of dielectric ceramics in numerous electronic devices.     

准同型相界附近PMN-PT陶瓷的介电性能

采用铌铁矿预产物合成法制备了组成在相界附近的(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMN-PT)弛豫铁电陶瓷。陶瓷样品X-射线衍射相组成和相结构分析表明:所有陶瓷样品均为纯钙钛矿相,无任何其他杂相出现;且组成在x=0.33处存在一准同型相界(MPB),在该相界附近三方相和四方相共存,而远离该相界则分别为纯三方相和四方相。相界附近组成随PT摩尔分数增加,介电峰变得尖锐,频率弥散减弱,即介电弛豫程度减弱。这主要是由于四方相增多,三方相减少,从而使弛豫铁电体变为正常铁电体。     

平行板谐振法测量微波介质陶瓷介电性能

对平行板谐振法测量微波介质陶瓷的基本原理进行了阐述。介绍了该方法的硬、软件构成及其操作注意事项,并给出了部分测试结果。该方法具有测量简单、快速、准确的优点,但不适用于测量介质损耗较大的微波介质陶瓷。 r的测量误差为0.5%左右,Q值的测量误差为15%以下。     

SnO2-MgO-Nb2O5压敏材料系电学性质研究

对一种新的压敏材料ＳｎＯ２－ＭｇＯ－Ｎｂ２Ｏ５陶瓷进行了初步的研究。实验结果表明,本系列材料具有优异的介电性能,室温介电常数为１４０￣６００,也具有较好的压敏性,其非线性系数最大值达到６．３。