光学空间相干度双稳态

本文首次提出一种由相干度非线性调制得到的新型光学双稳态——空间双稳态及其作用无耦合和有交叉耦合情况下,经γ/υ和υ/ν变换反馈可得到多种形式的双稳态,且给出了几种情况下的稳态特性方程、参数选择区域以及翻转条件等.     

半导体激光器脉冲调制理论分析

本文用龙格-库塔法求解高斯脉冲调制下半导体激光器速率方程,对结果进行了分析。推出了较高偏置直流和高斯脉冲调制下计算激光脉冲延迟时间、脉冲宽度和最大调制码率的公式。给出了调制畸变的实验结果。     

光栅光学双稳态

本文报道了一种光栅光学双稳态装置.利用改变一对对称光栅间相对位移,实现了对透过光强的周期性调制.将这样的系统作为传输部分,分别用He-Ne激光和普通白光完成了光学双稳实验.实验结果与理论分析相符.     

光反馈电激励半导体光学双稳态的开关时间研究

本文使用电子和光子密度的非线性速率方程及近似处理方法,首次讨论了光反馈电激励半导体光学双稳态的开关时间同系统可调参数之间的关系,从实验上研究了该系统的开关时间特性,提出了改善双稳开关时间的方法。     

用于半导体激光器光束整形的衍射光学元件的设计研究

采用模拟退火法（ＳＡ）和输入 输出法（Ｉ-Ｏ）相结合的算法（ＳＡＩＯ）设计了８台阶的衍射光学元件，将椭圆高斯分布的激光束变换到均匀圆光束，转换到圆均匀区的能量效率达到了９１.９％．计算结果表明，用ＳＡＩＯ设计得到的输出波形边缘陡直，在平顶区的起伏和光滑程度比单独使用ＳＡ或Ｉ-Ｏ有明显改善 关键词：     

光学双稳态的输出特性研究

研究了光学双稳系统在处理带噪声周期信号时的一种新的功能,并对输入任意周期小信号时的输出特性进行了研究。     

基于半导体激光器的全光波长转换的理论研究

全光波长转换是全光网络的关键技术之一。利用多模半导体激光器的速率方程,建立了基于半导体激光器的全光波长转换器的理论模型,该模型不仅考虑了注入信号光对激光腔内载流子的消耗,而且考虑了激光腔对注入信号光的放大作用。利用该模型分析了半导体激光器工作电流、注入信号光功率以及码率各参数对波长转换特性的影响。结果对于确定基于半导体激光器的全光波长转换器件的最佳工作条件有一定的参考价值。     

半导体抽运铯蒸气激光器阈值特性分析

本文建立了一种速率方程模型,以铯蒸气为例描述了半导体抽运碱金属蒸气激光器的阈值特性.经数值求解该模型,定量分析了抽运光束腰位置和半径、蒸气池长度、运行温度等参量对激光器的阈值抽运功率的影响.结果表明,存在最佳的抽运光束腰位置和半径、蒸气池长度以及运行温度使阈值最低,此外改善抽运光束质量也能有效降低阈值抽运功率.所得规律与目前实验事实基本相符,表明了该模型能较好地反映半导体抽运碱金属蒸气激光器的阈值特性,为该类激光器的优化设计提供一定的借鉴和参考.     

双反馈光学双稳态

提出了采用双反馈来提高光学双稳系统静态稳定度的方法。理论分析和实验均表明，采用这种方法可命名稳定度获得大幅度提高，非常明显地改善了系统输出的稳定性。     

半导体激光器光学系统准直特性的研究

本文重点介绍半导体激光器光学系统的准直及其整形。     

Study of Semiconductor Laser Diode with Circularly Symmetric Waveguide

A semiconductor laser diode with circularly symmetric waveguide is proposed, its property is studied by scalar finite-difference time-domain method (SFD-TDM). The results show coupling loss between the semiconductor laser diode and single mode fiber is reduced effectively, the minimum coupling loss is 0.7 dB.     

自调Q激光器的理论分析

利用速率方程，对自调Q激光二极管抽运固体激光器进行了数值模拟。通过求解析解计算了自调Q脉冲的峰值功率、单脉冲能量、脉冲宽度、能量利用率、重复频率、平均输出功率等参量。根据自调Q二极管抽运固体激光器的特点，分别得到了使抽运阈值功率最小的最佳自调Q晶体长度和使光-光效率最大的最佳自调Q晶体长度。     

Dynamics of an Optically Switched Bistable Semiconductor Laser

The switching time of an optically switched laser diode between a locked mode and free oscillation mode is studied. By starting with linear stability analysis, analytical expressions are developed to predict the switching time. It is shown that the switching of optical output between the locked and unlocked modes is governed by two relaxation processes with different time constants, and the change in the first relaxation process, dependent on the carrier density in the initial state, gives a strong effect on the total switching time, in contrast to the dynamic behavior of the carrier density dominated by a single relaxation process. Our analytical results show that larger detuning and power of optical input are effective in shortening the switching time and are believed useful to estimate the switching time of an optically switched bistable laser diode.     

Analytical Solutions of Rate Equations of Two－segment Absorptive Bistable Semiconductor Lasers

ＡｎａｌｙｔｉｃａｌＳｏｌｕｔｉｏｎｓｏｆＲａｔｅＥｑｕａｔｉｏｎｓｏｆＴｗｏ－ｓｅｇｍｅｎｔＡｂｓｏｒｐｔｉｖｅＢｉｓｔａｂｌｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＬａｓｅｒｓ￥ＷＵＺｈｅｎｇｍａｏ；ＣＨＥＮＪｉａｎｇｕｏ；ＸＩＡＧｕａｎｇｑｉｏｎｇ；ＬＵＹ...     

半导体激光器实现波长转换的理论模型分析

作为自动交换光网络中的核心器件，全光波长转换器的研究是目前的热点。提出了基于半导体激光器实现波长转换的理论模型，采用小信号分析方法，利用速率方程求解了波长转换的频率调制响应特性。并初步研究了不同半导体激光器工作电流、码速、输入信号光功率、增益吸收系数条件对波长转换性能的影响。这对于优化基于半导体激光器的全光波长转换器有一定的参考价值。     

封装热应力致半导体激光器“Smile”效应的抑制方法

封装热应力所致smile效应是阵列封装大功率半导体激光器中普遍存在的问题。为解决这一问题,本文在研究smile效应产生机理的基础上,提出采用错温封装技术和热沉预应力封装技术降低smile效应的措施。以某808nm水平阵列封装半导体激光器为例,采用仿真分析的办法研究了上述技术的可行性和有效性。仿真分析表明,采用传统封装技术,在恢复至室温22℃后,芯片smile值约为39.36μm,采用封装前升高芯片温度至429℃的错温封装技术,可以将smile值降至1.9μm;若采用热沉预应力技术,对热沉的两个端面沿长边方向分别施加190 N的拉力,可以将smile值降至0.35μm。结果表明,这两种封装措施是有效的。错温封装技术和热沉预应力封装技术具有易于实现的优点,其中热沉预应力技术对于各种smile效应类型和不同的smile值都可以调整和修正。     

980nm半导体激光器腔面膜钝化新技术

研究了不同腔面钝化方法对980 nm渐变折射率波导结构InGaAs/AlGaAs半导体激光器输出激光功率的影响.将980 nm半导体激光器管芯前后腔面不蒸镀钝化膜与蒸镀Si钝化膜和蒸镀ZnSe钝化膜的方法进行了对比.结果表明,蒸镀ZnSe钝化膜比蒸镀Si钝化膜的半导体激光器输出光功率提高了11％,比不蒸镀钝化膜的半导体...     

Dynamics of Optical Switching and Stability Analysis of a Polarization Bistable Laser Diode with Detuned External Light Injection

Dynamic behaviors of a polarization-bistable laser diode with detuned light injection are studied, including slow, fast and overshoot switching processes. Dependences of switching time of optical outputs between locked and free oscillating modes on the detuning and power of optical input, carrier injection rate and cross-gain saturation coefficients are investigated. Based on linear stability analysis the system stability is analyzed and analytical expressions are developed to predict the switching time. Our analytical results, in which the switching of optical output from locked to unlocked modes is shown to be composed of two relaxation processes with short and long time constants, are in agreement with the numerical results showing fast and slow switching behaviors dependent on the initial locked state, in contrast to the dynamic behavior of the carrier density dominated by a single relaxation process.     

激光二极管端面泵浦的单频固体激光器的理论研究

给出了激光二极管端面泵浦的驻波激光器单频运转时的最大泵浦功率与腔参数和激光介质参烽之间的简单函数关系，对于单频激光器的设计具有实际指导意义。     

Analysis of Semi-conductor Laser Diode with Two-dimension Nonlinearly Tapered Waveguide

1　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　　Ｈｉｇｈｅｆｆｉｃｉｅｎｔｃｏｕｐｌｉｎｇｂｅｔｗｅｅｎｃｈｉｐ(ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｌａｓｅｒｄｉｏｄｅ)ａｎｄｓｉｎｇｌｅｍｏｄｅｆｉｂｅｒｉｓｔｈｅｋｅｙｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｆｏｒｏｐｔｏ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎｉｎｔｈｅｆｕｔｕｒｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ[1 ] .Ｂｕｔｔ ｃｏｕｐｌｉｎｇｏｆｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｌａｓｅｒｄｉｏｄｅｗｉｔｈｓｉｎｇｌｅｍｏｄｅｆｉｂｅｒｌｅａｄｓｔｏｌａｒｇｅｃｏｕｐｌｉｎｇｌｏｓｓａｎｄｓｅ…