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相似文献
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1.
(上接第4期) 2.3高速、可调波长和单片集成式光发射芯片(EAML-SOA) 对于40G TWDM-PON发射端来说,首先要解决宽带光芯片问题.为了缩小体积,提高光电性能,国内外正在研发宽带单片集成芯片.这种芯片性能优越,可充分满足40G TWDM-PON发射端技术要求,具有多种可能结构形式.其中,基于电控技术、波长可调谐的光发射芯片EAML-SOA,性能优越,商用化程度较高,EAML-SOA把具有MQW-LD、相移(DBR)、电吸收调制(EAM)、半导体光放大(SOA)单片集成在InP基片上,其芯片结构示意图如图5所示.  相似文献   

2.
介绍了40Gb/s波导型PIN光探测器(40Gb/s WG-PIN-PD)和共面波导结构,估算了40Gb/s波导型光探测器的光信号响应时间和光传输速度;指出了光探测器、共面波导中心线条宽度及间隙各为6μm时,可实现光、电传播速度接近匹配.  相似文献   

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