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综合了 Ga As和 In P基 HFET工艺中的选择腐蚀技术的有关报道 ,重点介绍了应用 ICP设备和气体组合 BCl3+ SF6 进行异质结材料组合的干法腐蚀实验 ,腐蚀后在显微镜和扫描电镜下观察窗口平整干净、作迁移率测试等与湿法腐蚀的片子相比较没有看出差别 ,适宜用于器件工艺。 相似文献
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陈福荫 《固体电子学研究与进展》1991,11(2):137-142
本文应用普适参数紧束缚方法计算了GaAs/Si异质中界面组成、键能、自然键长、力常数以及键的弛豫等性质.由键能和力常数推断As和Ga原子均能在界面处与Si原子成键,但Si-As键更强一些,考虑到Si和Ga原子在界面的互扩散作用,提出了界面层的可能生长机理.作者认为界面层应由SiAs和GaSi组成的膺合金Ga_xA(?)_(1-x)Si构成,根据价带极大值随组分x的变化,指出x的范围处在0.1~0.6之间.由键的弛豫效应预示x的最佳范围在0.1~0.3之间.由此设想,通过控制组分,有可能使由晶格畸变产生的界面应力减至比较小,从而为消除因晶格畸变产生的应力缺陷给出了理论依据. 相似文献
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佳水 《激光与光电子学进展》2002,39(4):36-37
1引 言激光二极管线阵是固体激光器抽运系统的一种基本元件。研制和生产二极管线阵的复杂性在于,它是含有50~100个单条或多条激光结构的集成单块器件,它的总宽度约为10mm。仅在所有条状激光器输出特性高度均匀时才能得到功率大于100W的激光线阵,不然的话,由于异质结构参数的局部不均匀性、腔镜或组装缺陷,以及电流抽运达100A时,一 相似文献
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本文介绍一种有别于GaAs MESFET又相似于HEMT结构的器件。采用MBE技术生长i-GaAs/i-GaAlAs/i-GaAs结构,用溅射技术淀积WSi_x,用自对准离子注入形成源-漏区来制备MISHFET。这是一种具有二维电子气的异质结场效应器件。栅电极尺寸为4μm×40μm,测量到的开启电压为+1.4V,跨导为20—25mS/mm,还给出了低温测量结果。 相似文献
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GaAs同质结、异质结和异质面的光伏谱研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用我们自己建立的微机控制光伏谱自动测量系统,测量了 P-Al_(0.35)Ga_(0.65)As/n-GaAs 异质结在不同温度下的光伏谱和 p-GaAs/n-GaAs 同质结、P-Al-GaAs/p-GaAs/n-GaAs 异质面在室温下的光伏谱,并进行比较分析。采用改进的阻尼最小二乘法对实验数据进行拟合计算,求出少子扩散长度、结深、表面复合速度和界面复合速度等重要参数。 相似文献
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研制成 Ga As/ In Ga As异质结功率 FET(HFET) ,该器件是在常规的高 -低 -高分布 Ga As MESFET的基础上 ,在有源层的尾部引入 i-In Ga As层。采用 HFET研制的两级 C波功率放大器 ,在 5 .0~ 5 .5 GHz带内 ,当Vds=5 .5 V时 ,输出功率大于 3 2 .3 1 d Bm(0 .1 77W/ mm ) ,功率增益大于 1 9.3 d B,功率附加效率 (PAE)大于3 8.7% ,PAE最大达到 49.4% ,该放大器在 Vds=9.0 V时 ,输出功率大于 3 6.65 d Bm(0 .48W/ mm) ,功率增益大于 2 1 .6d B,PAE典型值 3 5 % 相似文献
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Vuong T.H.H. Gibson W.C. Ahrens R.E. Parsey J.M. Jr. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1990,37(1):51-57
The sidegating effect in a MBE-grown HFET GaAs structure is considerable and persists to large distances. On the other hand, the leakage current is very low. A model that takes into account the unusual features of sidegating in this structure and is consistent with other studies of similar structures is proposed. On the basis of the model, a change in the isolation process was implemented. This resulted in a large reduction of the sidegating effect and confirmed the main features of the model 相似文献
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光导开关作为一种新型固体开关,具有闭合时间短(ps 量级)、时间抖动小、重复频率高、功率容量大、光电隔
离等优势,脉冲功功率技术研究领域受到广泛关注。实验研究表明,光导开关性能与工作电压、导通电流、触发激光参
数、重复频率、工作环境及开关制作工艺等诸多因素密切相关,寿命差异从几百次至几十亿次不等。为了研究在较大导
通电流下的开关特性,获得了开关电阻特性随工作发次的变化关系,为开关寿命提升奠定了实验基础。 相似文献
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为了提高GaAs微型太阳电池的输出性能,对微型太阳电池阵列的主要工艺进行了研究和改进。通过对帽层、背电极层和台面的选择性/非选择性湿法腐蚀工艺的探索,实现了对最佳腐蚀液的配比、腐蚀时间和温度的控制。采用侧壁钝化工艺和聚酰亚氨(PI)/SiO2/TiAu/SiO2新型互连结构,不仅确保了电池单元之间有效的隔离和互连,而且极大地降低了侧壁载流子复合电流,同时这种新型互连结构可有效防止由于衬底光敏现象引起的漏电流。经过上述器件工艺改进,获得了高集成度GaAs微型太阳电池阵列。电流-电压(JSC-VOC)测试结果显示,器件的开路电压达到84.2V,填充因子为57%。 相似文献
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提出了一种能带调制模型,通过在异质结界面处引入负离子电荷(如氟离子)调制异质结处的局部能带分布,实现了对异质结界面处的高密度2DEG的改变。基于能带调制模型,提出了一种复合调制沟道AlGaN/GaNHFET器件。通过在增强型沟道调制区和RESURF调制区分别引入不同剂量的负离子,不仅实现了增强型器件,而且可以降低尖峰电场,优化异质结电场分布,提高器件击穿电压。通过器件仿真软件对其器件工作原理进行了模拟分析,并通过实验结果表明,其器件品质因子FOM由传统器件的4.8MW.cm-2提高到26.7MW.cm-2。 相似文献
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《Microwave Theory and Techniques》1976,24(6):312-317
A power GaAs MESFET with a high drain-source breakdown voltage in excess of 17 V has been developed. A selective GaAs epitaxial process is introduced to form "inlaid" n+ source and drain regions that can provide a high drain-source breakdown voltage and a low ohmic-contact resistance. Typical characteristics of the MESFET composed of two-cell units are as follows: 相似文献