掺锑二氧化锡电极光电催化降解甲基橙的研究

以无机金属盐SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用溶胶-凝胶提拉法制备得到光电催化性能良好的掺锑二氧化锡薄膜电极.以该电极为工作电极,气体扩散电极为对电极,250 W高压汞灯(365 nm)为侧光源,对甲基橙的光电催化降解进行了研究.结果表明,该电极具有四方形的金红石结构,在外电压为2.0 V,pH值为3,涂覆层数为5层的条件下对初始浓度为20 mg/L的甲基橙溶液光照60 min,降解率达100%.     

关于锑碱高效能光阴极光电子逸出特性的分析研究

本文从讨论半导体光电发射出发,提出了光电子能量损失速率的概念.运用所导出的理论公式,对实用锑碱光阴极的光电子逸出深度和逸出几率做了计算.结果表明:S-11光阴极的最大逸出深度为284A.与之相比,多碱光阴极有较大的逸出深度,这应归因于它有合适的带隙,较高的二次电子空穴对生成阈值以及较低的有效电子亲和势.最后,分析了阴极厚度对长波、短波响应的影响,给出了S-20VR光阴极的实际厚度约为1300A.     

硫化钠浓度对锑电积电流效率影响的探讨

本文根据热力学和电极过程动力学的观点,分析了Na_2S及NaOH浓度对锑电积电流效率的影响,得到了下列结论:(1)提高NaOH浓度及降低Na_2S浓度均可以使SbS_3~(3-)离子和S~(2-)离子被氧化的趋势变小,因而有利于提高电流效率;(2)降低Na_2S浓度可以防止氢气析出,同样,也有利于提高电流效率。     

集总型电极光波导调制器的研究

光波导调制器是光纤通信系统中的重要器件，本文分析了Ｍ－Ｚ干涉型光波导调制器的工作原理，研究集总参数型电极的频宽特性，在ＬｉＮｂＯ３基片上用导波技术设计、制作了光波导调制器，并测量了主要性能。     

波导测量中介电参量与试样厚度关系的规律性

利用波导测量系统,在稳频、稳幅及电路匹配的条件下,对介电参数进行测量。在短路、开路的情况下,得到了反映系数的振幅Γ与试样厚度d／λω的关系。通过误差分析,找出了准确测量介质材料时试样的厚度。     

二次电子发射特性与固体材料摩擦起电的关系

为了探索二次电子发射特性与固体材料摩擦起电的关系,参考了国内外有关标准和资料公布的静电序列,重点考虑固体材料的二次电子发射特性,选取位于静电序列靠后位置的聚四氟乙烯、高密度聚乙烯( HDPE)、聚丙烯(PP)、聚氯乙烯(PVC)和A3碳钢等固体材料,进行了摩擦起电实验,从摩擦速度、摩擦力与静电起电过程中原入射粒子能量的...     

层合板厚度对桥接和层间断裂韧性影响的研究

复合材料层合板分层扩展行为的准确模拟与分析对层合板结构设计十分重要.针对现有研究未定量描述Ⅰ型层间断裂韧性与层合板厚度之间关系这点不足,借助ABAQUS有限元软件建立平面应变模型,通过对厚度与层数比例的控制,采用迭代方法来确定试样厚度对桥接区牵引分离行为的影响.同时,考虑内聚力本构关系,利用有限元方法研究厚度为2、4、8 mm的单向碳/环氧复合材料试样层间分层扩展行为.结果表明,层间的稳态断裂韧性随着试样厚度的增加而增加,但初始断裂韧性与厚度无关,进而验证试样厚度对层合板层间断裂韧性的影响,分析结果与实验值有较好的一致性.     

锗/氧化硅纳米多层膜的电致黄光发射研究

通过射频磁控溅射法制备了锗/氧化硅纳米多层薄膜.测量到了来自Au/锗/氧化硅纳米多层膜/p-Si结构的电致黄光发射,并发现该纳米结构具有整流特性.     

有源层厚度对非晶硅薄膜晶体管特性的影响

研究了有源层ａ－Ｓｉ：Ｈ的厚度对ａ－Ｓｉ；ＨＴＦＴ特性的影响，研究结果表明，ａ－Ｓｉ：Ｈ层的厚度对ａ－Ｓｉ；ＨＴＦＴ的静态特性，（如开／关态电流比，阈值电压等）有较大的影响，理论分析表明，这是由于钝化怪固体电荷的有源层背面引入了背面空间电荷层造成的，详细分析了背面空间电荷怪的ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性的影响，提出了一个ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ有源层厚度优化设计的下限值，理论与实验相符合。     

有源层厚度对非晶硅薄膜晶体管特性的影响

研究了有源层ａ－Ｓｉ∶Ｈ的厚度对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ特性的影响．研究结果表明，ａ－Ｓｉ∶Ｈ层的厚度对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ的静态特性（如开／关态电流比、阈值电压等）有较大的影响．理论分析表明，这是由于钝化层固定电荷在有源层背面引入了背面空间电荷层造成的．详细分析了背面空间电荷层对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ特性的影响，提出了一个ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ有源层厚度优化设计的下限值，理论与实验相符合     

CdSe薄膜电极光电催化降解水胺硫磷农药研究

采用循环伏安电沉积技术在ITO(氧化锡铟)导电玻璃上制备了CdSe薄膜电极,应用扫描电镜、透射电镜、紫外可见漫反射和能谱分析表征了CdSe薄膜的形貌和组成。使用该电极对水胺硫磷农药进行光电催化降解实验。结果表明,在水胺硫磷初始浓度为20 mg.L-1,支持电解质为NaCl(0.1 mol.L-1),阳极偏压为0.6 V,150 W卤钨灯照射3 h的条件下,水胺硫磷的降解率为73.6%。在较低水胺硫磷浓度(20 mg.L-1)条件下,CdSe薄膜电极光电催化降解水胺硫磷农药的速率可用一级动力学方程来描述。     

一维光子晶体中缺陷层厚度与缺陷模的关系

采用传输矩阵法,分析了缺陷层厚度与缺陷模波长之间的关系,即:一定的缺陷层厚度范围内,缺陷模的波长将随缺陷层厚度的增大而发生红移,且两者呈线性关系。利用这个关系,设计了一种精确计量微小位移的方法。     

锑—铋合金电沉积的研究

本文研究了銻鉍在酒石酸盐溶液中共同沉积的条件。結果表明电流密度和溶液中銻与鉍的浓度在相当寬广的范围內变动,均能获得結构良好的合金鍍层。通过极化曲綫的测量发現合金电沉积显著地改变了多种金屬单独放电时的电化学行为。     

关于电积锑阳极电流密度的讨论

本文讨论了下列问题: 1.电积锑时,阳极上发生的反应与阳极电流度密度的关系。 2.铁的钝化与阳极电流密度的关系及钝化膜的成分对电能消耗的影响。 3.电流效率、大气中的碱雾与阳极电流密度的关系。研究结果表明,在工业生产中采用高阳极电流密度是不适宜的。当采用隔膜电解槽电沉积锑时,合适的阳极电流密度为300—400A/m~2。     

P层厚度对InGaN单结太阳电池的影响

采用基于第一性原理和太阳电池基本方程的wxAMPS软件,在理想情况下,模拟计算了单结In0.65 Ga0.35 N太阳电池的光电特性。计算结果表明：当p层厚度从130 nm逐渐增加到220 nm时,入射的光子吸收能量减少,从而产生的光生载流子数目减少,进而引起了开路电压、短路电流密度以及电池的转换效率均逐渐减小,但是填充因子却反而逐渐增大,为对单结In0.65 Ga0.35 N太阳电池的设计提供了理论的参考依据。     

发光层厚度对有机电致发光器件性能的影响

采用真空热蒸发镀技术制备了双层结构的有机电致发光器件：ITO／TPD／AIq3／Al,测试Alq3发光层厚度分别为30nm、70nm、120nM的有机电致发光器件的J-V、L-I特性曲线,研究其发光强度随发光层厚度的变化影响,并解释产生影响的主要原因。     

AlN缓冲层厚度对SiC薄膜性能的影响

SiC具有较大的带隙宽度和优异的热稳定性,可在高功率、高温(高达600℃)和高频(高达20GHz)条件下工作,在半导体器件中有着广泛的应用。Si是常用的制作SiC薄膜的基底材料,然而,由于基底Si和SiC靶材的晶格常数存在差异,使得它们之间存在较大的晶格失配和热膨胀系数失配,影响了成膜质量,在一定程度上限制了SiC在微电子领域的应用。通过在Si与SiC之间添加AlN缓冲层可以有效地解决这一问题。文章通过磁控溅射制备了不同AlN缓冲层厚度的SiC薄膜,研究了AlN缓冲层厚度对SiC薄膜的结构、表面形貌、硬度和附着力的影响。研究结果表明,当AlN缓冲层厚度为60nm和90nm时,薄膜与基底附着效果最好,薄膜硬度超过20GPa。     

绚丽的极光

太阳释放出来的电子与地球大气层相撞时围绕地球磁极产生的光,称为极光,呈椭圆形,持续不断。在地球北半部天际出现的极光,称为北极光,在北极地区每个晴朗的夜晚都可看到, 在同样气候条件下,也可以在芬兰首都赫尔辛基一年看到两次。在赫尔辛基能看到时,甚至在地中海沿岸国家也能看到。极光的椭圆形与地球磁极的距离不是一成不变的,而是白天离的近,夜晚离的远。     

碰撞对伴有二次电子发射等离子体鞘层的影响

建立了包括器壁发射二次电子的等离子体鞘层的流体模型,讨论了一维稳态等离子体鞘层中离子与中性粒子的碰撞对含有二次电子发射的鞘层结构的影响。结果表明:碰撞频率的增加,导致鞘层空间的二次电子密度逐渐增大,离子密度是先增加后减小,离子速度则是先减小后增加。从碰撞和二次电子发射比较来说,碰撞频率的增加对于鞘层空间影响更大。另外发现碰撞对于不同带电量的离子来说,带电量较少的离子的等离子体鞘层受碰撞的影响要大一些。     

二氧化钛电极光电解水制氢时电解池操作条件的研究

一、引言自从利用半导体电极光电解水制氢发现以来,在制备各种半导体电极并测试其性能方面,已作了相当广泛的研究,但对光电解池操作条件的研究却报道较少.A.J.Nozik 曾以单晶TiO_2为光阳极、以强紫外光作光源、在单室电解池中,研究了外加偏压、电解池内阻及光强等对光能转换效率的影响.K.Miyatani 等观察到阴极和阳极的面积比小于10时光电流较小,而大于10时光电流虽然较大,阴极却得不到氢气,但氢气产量和阴极而积之间的定量关系未曾测定.由这些工作看来,我们认为与单纯由光能得到电能的PG 电池不同.对于光能转换为化学能的PEC 电池来说,为了得到尽可能多的光电解产物——氢(即