算子代数的性质∏_σ和张量积

本文引入算子代数的性质Ⅱ_σ这一概念,证明了任一von Neumann代数中的套子代数和有限宽度CSL子代数都具有性质Ⅱ_σ.最后得到张量积公式alg_ML_1■alg_NL_2= alg_(M■N)(L_1L_2)成立,这里L_1和L_2分别是von Neumann代数M和N中的有限宽度CSL.     

Banach空间上算子代数的K0群

对G-M型Banach空间的某些分类予以简化性合并;讨论Banach空间X上算子代数B(X)的K₀群K₀(B(X))=0的条件, 得到了改进Laustsen充分条件的一个结果,举例说明了X≈X₂不是K₀(B(X))=0的充分条件.     

算子代数的C_σ性质、C_σ性质与自反性

本文首次引入算子集合的Ｃ＿σ性质和性质的概念，它们与性质Ｃ和性质Ｄ＿σ（１）有一定的关系．两个主要结果是：（１）具有性质Ｃ＿σ的对偶代数一定是遗传自反的．（２）如果对偶代数所生成的ｎ－自反代数具有性质Ｃ＿σ，则该对偶代数一定是遗传ｎ－自反的．     

分段Koszul代数

一般情形下, 分段Koszul代数是一类不同于经典Koszul代数的齐次代数, 同时, 它包含经典Koszul代数和高阶Koszul代数作为其特殊例子. 通过研究分次代数的Yoneda-Ext代数E(A)的极小生成次数, 给出了一个正分次代数是分段Koszul代数的判定定理, 并且在E(A)上构造了一种特殊的A_∞-结构. 最后讨论了分段Koszul代数和经典的Koszul代数的关系. 特别地, 所得结果与Green-Marcos的一个未解决问题有密切的关系.     

算子代数的Cσ性质,C↑～σ性质与自反性

本文首次引入算子集合的Ｃσ性质和Ｃ↑～σ性质的概念，它们与性质Ｃ和性质Ｄσ（１）有一定的关系：两个主要结果是：（１）具有性质Ｃ↑～σ的对偶代数一定是遗传自反的。（２）如果对偶代数所生成的ｎ－自反代数具有性质Ｃσ，则该对偶代数一定是遗传ｎ－自反的。     

强不可约算子的K0群及其近似相似不变量

令 $\mathcal H$ 表示复可分的Hilbert空间, ${\mathcal L}({\mathcal H})$ 表示 $\mathcal H$上全体有界线性算子的集合. 算子 $T \in{\mathcal L}{(\mathcal H)}$称为是强不可约的, 如果不存在非平凡的幂等元与 T 可交换. 对强不可约算子的近似不变量给出比以往文献更精细的刻画. 主要结果如下: 对任意具有连通谱的有界线性算子 T 及 ε>0, 存在强不可约算子A, 使得 $\|A-T\|<\varepsilon$, $V({\mathcal A}^{\prime}(A))\cong{\mathbb{N}}$, $K_{0}({\mathcal A}^{\prime}(A))\cong{\mathbb{Z}}$, 且 ${{\mathcal A}^{\prime}(A)}/{\rm rad}{{\mathcal A}^{\prime}(A)}$ 可交换, 这里${\mathcal A}^{\prime}(A)$ 表示A 的换位代数, 且 ${\rm rad}{\mathcal A}^{\prime}(A)$ 表示${\mathcal A}^{\prime}(A)$的Jacobson根.     

关于R0 -代数的公理系统

该文给出了R₀ -代数的一些简化公理系统,并证明了R₀ -代数等价于满足某些条件的BCK -代数.     

ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长

利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al₂O₃衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al₂O₃固相反应制备了具有ZnAl₂O₄覆盖层的α-Al₂O₃衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl₂O₄薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl₂O₄表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl₂O₄在高温下不稳定. 在ZnAl₂O₄覆盖的α-Al₂O₃衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl₂O₄厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl₂O₄覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量.     

u0 - 凹算子的不动点定理及其应用

该文利用锥的性质和单调迭代技巧讨论了u₀ - 凹算子正不动点的存在唯一性,所得结论改进并推广了已有的相关结果. 作为应用, 该文研究了一类Hammerstein积分方程正解的存在唯一性.     

高压下层状钙钛矿结构锰氧化物Ca3Mn2O7的结构相变

采用金刚石压砧高压装置(DAC),对Ca₃Mn₂O₇的粉末样品进行了高压能散X射线衍射实验. 实验结果表明,由于岩盐层易被压缩,在压力作用下层状钙钛矿结构锰氧化物Ca₃Mn₂O₇的结构不稳定. 在0~35 GPa压力范围内,Ca₃Mn₂O₇晶体结构发生了两次相变. 在1.3 GPa左右,由原来的四方相变为正交相,在9.5 GPa左右,又由正交相向新的四方相转变.     

弱 (K1, K2) -拟正则映射的正则性

给出空间弱(K₁, K₂) -拟正则映射的定义, 并以Hodge分解及弱逆Hölder不等式为工具, 得到了其正则性结果：对任意满足 的q1, 都存在可积指数 使得对任意弱 (K₁, K₂) -拟正则映射 都有 即f为通常意义下的(K₁, K₂) -拟正则映射.     

Gd2SiO5: Eu3+中VUV激发的量子剪裁

在北京同步辐射装置的真空紫外光谱站, 对Gd₂SiO₅: Eu³⁺激发谱、发射谱进行了研究. 基于Gd³⁺-Eu³⁺体系通过能量传递发生可见光量子剪裁的原理, 对实验结果进行了讨论. 当直接激发Gd³⁺的⁶GJ态时, 有2个来自Eu³⁺的可见光光子发射, 粗略的估算表明Gd₂SiO₅: Eu³⁺是一种有效的量子剪裁材料.     

良序套张量积的代数中的强不可约算子

设Ｈ为复的可分无限维Ｈｉｌｂｅｒｔ空间，称有界线性算子Ｔ为强不可约的，如果与Ｔ可交换的幂等算子只有０和Ｉ．王宗尧、蒋春澜、纪有清等人证明了在任何一个套的套代数中都存在大量的强不可约算子，并且找到了它们的酉轨道闭包．本文考虑有限个套的张量积的代数中强不可约算子的存在性问题。证明了：对复平面上任何一个连通完备集σ、总存在一个对角算子Ｎ和它的一个范数可以任意小的紧摄动Ｔ＝Ｘ＋Ｋ，使得Ｔ是一个强不可约算子、Ｔ在有限个良序套的张量积的代数中，并且σ（Ｔ）＝σｌｒｅ（Ｔ）＝σ（Ｎ）＝σｌｒｅ（Ｎ）＝σ进一步，文章还对具有单点谱的算子和良序套与正交补为良序套的张量积的代数进行了讨论，得到了一些结果．     

算子李代数g(G,M)[σ]的子代数

在李代数的研究中,经常使用算子李代数的结构去刻划其它李代数的代数结构,由算子构成的李代数在李代数理论中占有重要的位置.构造了算子李代数g(G,M)[σ]的子代数,然后讨论了这些子代数的代数结构.     

局部域的K2群中的一类挠元素

证明了(K₂Q_p(z_p))_I=G_p(Q_p(z_p)); 还证明若n|w(Q₅ (z₅)), 则(K₅Q₅(z₅))_n=G₅(Q5₅(z₅)), 这说明对于含有p次本原单位根的p局部域, 如果p|n, 则Browkin猜想一般不成立. 由此提出一个一般猜想. 另外, 否定了Urbanowicz的一个猜想.     

虚二次域整环的K2群的计算

在前人工作的基础上,给出在虚二次域整环的K₂群计算中对例外位的范的界的一种较有效的估计方法,并计算了K₂Z[(1+Ö-43)/2].     

函数域中的L1范数堆积

讨论方体中的堆积(packing), 即如何在方体中放置n个点,使得它们之间的最短距离最大. 使用的距离是由L₁范数诱导出来的, 这正类似于纠错码中常用的Hamming距离. 利用函数域中关于除子类群等的研究成果, 给出了两个具有合理参数的堆积的构造方法, 同时还给出了这两个堆积的一些近似结果.     

K2Fp的一类有限阶元的一个猜想

用一类特殊形式的有限阶元素表出了局部域的K₂群的有限阶子群,从而使得由Moore,Carroll,Tate和Merkurjev证明的一个著名定理进一步明确化,同时否定了Browkin的一个猜想.     

∑e1型Banach空间上C0半群稳定性的谱特征

讨论一类不可分解的∑_e¹型Banach空间上有界线性算子的谱的特殊性质;给出了∑_e¹型Banach空间上一致有界C₀半群稳定性的一个谱特征,并给出稳定性定理的一个应用.     

Hilbert空间上线性算子广义逆A(2)T,S的存在性及其表示式

设H₁和H₂是两个Hilbert空间, B(H₁,H₂)表示从H₁到H₂的所有有界线性算子的集合, T和S分别是H₁和H₂的两个闭子空间. 如果存在线性算子X ∈ B(H₂,H₁)满足XAX=X, R(X)=T, N(X)=S,则称X为线性算子$A$的具有指定像空间T和零空间S的外逆,记为A⁽²⁾_T,S. 该文进一步研究了线性算子广义逆A⁽²⁾_T,S存在的若干等价条件及其性质,建立了算子广义逆A⁽²⁾_T,S的表示形式.