用电子束实验仪测量地磁场水平分量

介绍一种利用电子束实验仪测量地磁场水平分量的方法 ,该方法可作为高等学校基础物理实验教学的选做内容     

基于Matlab示波器原理的演示

利用Matlab简洁的语句表达方式和强大的绘图能力,实现示波器扫描方式、同步问题和李萨如图形的演示.该研究不但可以帮助学生加深对示波器工作原理理解,同时也可以提高示波器实验教学效果.     

探究地磁场对彩色显像管成像的影响

关于显像管电视机的成像原理,高中物理教材仅关注运动的带电粒子在偏转线圈提供的磁场中的偏转.但在实际生活中,地磁场也会对电视机显像管中运动带电粒子的轨迹产生影响.本文立足于高中生的认知能力,从生活实例出发,分析地磁场对彩色显像管成像的影响,细化建模过程,给出真实参数,凸显科学研究方法在教学中的应用,使教学内容与现代科技和生活实际相联系,从而将培养学生的核心素养落实在日常教学之中.     

强流电子束自磁场对能量沉积的磁增强效应

一、引言 苏联的库尔恰托夫研究所最早报导了强流相对论电子束与等离子体相互作用过程中能量沉积的磁增强效应,该所于1976年发表了实验结果,增强因子是10;随后美国的Sandia实验室报导的磁增强因子是2—5;C.Peugnet和R.Bailly-Salins等人用强流电子束在薄金靶上做实验,获得了2—3倍的增强效应。他们的实验结果与理论计算结果是相符合的。本文主要是用蒙特卡罗方法对电子束在束自磁场的作用下的运动进行了模拟跟踪,计算了电子在薄铜靶中沉积能量的磁增强效应。     

用LED演示晶体管的电流放大作用

1947年，世界上第一只晶体管(点接触型)在美国诞生，如今从生活到飞船都离不开晶体管。     

导电栅网对相对论速调管中的电子束的约束作用

介绍利用导电栅网约束相对论速调管（ＲＫＡ）强流吵的理论分析及实验结果，用近似的窨电荷场分布分析导电栅网约束实心电子束稳定传输时的电子运动情况，讨论束汉稳定传输的条件；并介绍在一台直线感应加速器上利用导电栅网约束未调制强流束长距离传输的实验结果，同时给出利用的导电栅网约束ＲＫＡ中调制电子束的实验结果，理论分析及研究表明，地电栅多对实心束的约束束作用对电子束能量相对不敏感；导电栅网可有效地用于ＲＫＡ中     

大学物理演示实验对 创新型人才培养的积极作用

大学物理演示实验是理论与实践联系的纽带, 是使抽象理论形象化、 具体化的有效手段, 是大学物理 实验教学的重要组成部分, 通过演示实验的学习不仅能够激发学生的学习兴趣还可以培养学生的观察能力、 创新 思维和动手能力. 结合本校大学物理演示实验的开展情况, 从3个方面讨论了演示实验对创新型人才培养的积极作 用     

磁场对电流的作用演示实验改进设计

介绍了磁场对电流的作用演示实验装置的改进设计、实测方法。     

氢化作用对低能电子束辐照下GaN发光演变的影响

结合氢在GaN中的扩散特性,运用阴极荧光（CL）谱,对氢化前后低能电子束辐照下GaN带边发光强度的演变进行了研究.实验发现,氢化前GaN在低能电子束辐照下带边发光强度呈现衰减的趋势,而氢化后带边发射强度先上升后衰减,而且氢化后的衰减比氢化前弱.1 h辐照过程中,氢化后GaN带边发光强度的变化比氢化前要小很多.另外,实验中发现经过氢化处理的GaN在辐照后20 h内没有观察到带边发射强度的恢复.研究表明氢原子在GaN中可以钝化缺陷来增强发光,但这种钝化缺陷的作用必须通过克服高的扩散势垒来实现,而低能电子束可以 关键词： 阴极荧光 低能电子束 氢化 演变     

晶体生长角和凝固速率对贵金属电子束区域熔炼晶体生长的作用

基于电子束区域熔炼中熔区上力的平衡关系式, 计算获得了基座法、等径区熔法两种工艺下稳定成形熔区高度的表达式, 探讨了试样尺寸、晶体生长角和凝固速率等参数对六种贵金属稳定成形熔区高度的影响. 结果发现, 区熔相同尺寸试样时, 六种贵金属能够稳定成形熔区高度大小依次排序为 Ru> Pd> Ir> Pt> Ag> Au. 同时获得了这六种贵金属的晶体生长角在8.4°-10.7°之间, 而实际的晶体生长角与界面生长机制有关. 在基座法中, 连续生长机制所能支撑的熔区高度最小, 而等径区熔法中连续生长机制支撑的熔区高度大于位错生长机制和小面生长机制. 这三种晶体界面生长机制中连续生长方式对晶体生长角和区熔熔区高度影响较小, 有利于贵金属区熔单晶制备. 另外当凝固速率达到2.4 mm·min^-1, 位错和小面生长机制对区熔熔区高度的影响也变得很小, 预测的工艺参数与Ir和Ru单晶区熔实验报道结果基本符合.     

用黑白电视机研究磁场对电荷的作用

磁场对通电导体有磁场力的作用 ,而电流实际上是运动的电荷 ,由此自然想到磁场是否对运动电荷有作用 .为了检验这个问题 ,我们利用黑白电视机来做一些实验 .打开黑白电视机 ,小心取下显像管 ,让同学们认识电子枪和荧光屏 .电子枪是由阴极和阳极组成的 ,通电可以发射电子 ,电子束打到荧光屏上某点 ,该点发光 .拿去磁环和偏转线圈 ,拔掉行扫描电压线和场扫描电压线 .给电视通上电流 ,电子枪被点亮 ,发射电子 ,电子束不受到其它的作用力 ,沿直线打在荧光屏上 ,荧光屏中央出现一个亮点 .取一个Ｕ型磁铁 ,让显像管的颈部处于Ｕ型磁铁匀强磁场里 ,…     

磁场对电流作用演示实验的教学改进

 物理知识的积累、更新和完善都依赖于实践,依赖于科学的实验,可以说,没有实验就不会形成正确的物理概念,更不可能形成完美的物理知识体系。加强实验教学,改进实验教学模式,探索新的实验教学方法,是当前中学物理实验教学改革的重要课题。一、物理演示实验的功能演示实验在物理教学中有着极其重要的作用,它的直观、形象,有助于学生形成直接的感性材料,为分析现象、寻找真知、概括和掌握物理规律奠定基础。做好、做活演示实验,改进实验模式,有利于学生对概念的理解与掌握,有利于学生实践能力、创新能力的培养。从实际情况来看,学生的学习效果往往受到生活经验、认知能力、原有知识等因素的制约。     

"电感和电容对交变电流的影响"演示实验的改进

"电感和电容对交变电流的影响"演示实验的操作难度大且现象不明显,为此介绍了2种演示该实验的方法,一是通过将电灯分别与电感(电容)和电阻串联对比进行实验来演示电感和电容对交变电流的影响;二是通过信号发生器和示波器来研究交流电对电感(电容)的影响.2种方法演示效果均较好.     

热退火、激光束和电子束等作用对纳米硅制备及其局域态发光特性的影响

在纳米晶体硅制备的过程中, 晶化处理是影响和提高纳米硅发光效率的重要制备环节. 热退火、激光退火和电子束辐照是使纳米硅样品晶化的不同方式. 实验表明: 选取适当的晶化方式和参量对制备纳米硅晶体结构至关重要, 特别是在制备硅量子点和量子面的过程中控制好参量, 可以得到较高的发光效率. 有趣的是, 在实验中发现: 当晶化时间较短(如低于20 min)时, 可以获得较好的纳晶硅结构(如量子点结构), 对应于较好的纳晶硅光致发光(PL)和掺杂局域态发光; 当晶化时间较长(如超过30 min)时, 纳米晶体硅结构被破坏, 致使PL谱逐渐减弱与消失. 结合热退火、激光退火和电子束辐照对纳米硅晶化过程, 本文建立起晶化时间对纳米硅局域态发光影响机理的物理模型, 解释了晶化时间对纳米硅局域态发光的影响.     

用多块蹄形磁铁模拟匀强磁场--对演示实验"磁场对电流的作用力"的几点改进意见

高中物理（人教版必修加选修）第二册第十五章第一节中图15—2的演示实验，磁场对电流的作用，是用通电直导线放人蹄形磁铁的磁场中受力的情况．笔者通过实验发现了几个问题．