无线电引信调幅波电磁辐射环境效应研究

为了研究调幅波对无线电引信的电磁环境效应,分析了无线电引信混频原理及高频电路输出信号特征,解决了调幅波的波形调制问题,建立了辐照调幅波的波形表达式,形成了无线电引信辐照电磁环境,探索了不同频率调幅波对引信的意外发火场强干扰阈值及其变化规律。结果表明:辐照频率在引信本振频率外一定范围内引信误炸干扰阈值低于10 V/m,随着辐照频率与引信本振频率偏移量增加误炸干扰阈值呈增大趋势;调幅波辐照不会对引信电子部件产生硬损伤,也不会导致引信瞎火。     

调频无线电引信扫频波辐照效应研究

为研究调频无线电引信抗电磁干扰性能,开展了调频引信扫频波辐照实验,获得了引信工作状态下的电磁辐照效应规律、能量耦合通道及失效机理。实验表明,当弹体轴线平行于辐射场传播方向时,引信误动作的辐照能量最小;随着扫频频段与引信工作频段偏移量增大,引信误动作所需扫频能量增大。对引信进行改装并做对比实验,发现引信天线是干扰的主要耦合途径。干扰能量通过天线耦合到引信高频电路,引信的工作状态发生改变,从而使引信误动作。     

无线电引信虚拟样机技术研究

介绍了虚拟样机的设计环境和引信系统及部件模型的设计方法,针对无线电引信建立了其虚拟样机系统模型,通过相同条件下虚拟试验仿真结果和物理样机实测结果的对比,验证了该虚拟样机系统模型的可靠性,为引信总体性能提供了一种快速有效的预估手段。     

光电耦合器的辐照损伤机理研究现状及趋势

随着光电耦合器件在空间环境和核辐射领域的广泛应用,近年来对光电耦合器件的抗辐照性能的研究越来越多.文章主要介绍了辐照对光电耦合器的损伤机理,重点介绍了光电耦合器的辐照效应,特别是电参数辐照效应;针对光电耦合器目前研究的情况,分析了其研究趋势,并提出了一种新的光电耦合器辐照研究方法--低频噪声可靠性表征方法.     

混响室条件下无线电引信敏感度测试方法研究

针对国内各类标准及实验中提出的开阔场环境下敏感度测试方法无法满足线度较大弹体及高场强测试需要的问题,利用混响室在测试空间和强场模拟等方面的优势,提出了混响室条件下无线电引信敏感度测试方法.这种测试方法也可以为其他大型装备的敏感度测试提供方法借鉴.该方法基于混响室步进工作模式,测量受试引信在测试频点不同采样点处的临界发火场强.试验证明,取各测试频点在不同采样点处测量值的最小值作为混响室条件下无线电引信的敏感度阈值,不仅在数值上接近于开阔场条件下的测量结果,而且两种实验环境的测试结果保持了很好的相关性,体现了这种测试方法的可行性.     

无线电引信互扰效应规律研究

针对部队实弹打靶中某型引信早炸率过高的问题,提出了引信互扰效应试验方法,开展了引信互扰效应试验,分析了该型引信的互扰效应规律,并确定了其失效机理.试验结果表明:引信相对速度、相对姿态、相对高度、辐射能量、辐射频率以及加电方式都会对引信临界互扰距离产生影响.引信互扰效应机理为:引信靠近过程中,由于辐射能量及辐射频率接近而产生频率牵引,导致检波电压信号波动,从而推动引信执行电路误动作.     

连续波多普勒引信单频连续波辐照效应规律分析

为研究单频连续波对连续波引信装置的辐照效应规律,在200 V/m场强范围内,对加电工作状态典型引信装置开展了单频连续波辐照效应试验。通过对比分析,提出了普适的单频连续波辐照下连续波多普勒引信装置效应规律。试验结果表明:引信装置具有最佳能量耦合方向,该方向且与引信装置的具体结构有关;天线为单频连续波辐照下引信装置的主要能量耦合通道,弹体作为天线的一部分也会产生影响;引信装置存在敏感频点和敏感频段,在本振频率附近,引信装置临界干扰场强可达几V/m;不同引信装置抗单频连续波干扰的能力不同。     

一种脉冲无线电引信发射机的仿真设计

针对传统脉冲引信发射机多以模拟信号源产生信号,信号精度低,体积大,较难满足引信作战技术要求,结合微电子和数字集成电路在军事领域的迅猛发展,提出了基于直接数字频率合成技术的脉冲波发生器。该方法以单片机AT89C51控制产生波形频率,以AD9852芯片合成脉冲波形,经A/D转化及滤波器处理,产生平滑清晰的脉冲波形。该脉冲发生器具有频率分辨率高,频率切换速度快等优点,很好的适应了现代化作战对引信技术的要求。     

一种无线电/激光复合引信的脱靶量估算方法

脱靶量是衡量制导控制性能的重要指标。基于无线电/激光复合引信,通过建立脱靶量与复合引信启动距离和脱靶方位的关系,提出了一种靶试后快速估算脱靶量的方法。经滑轨试验和靶试验证,本文提出的脱靶量估算方法得到的脱靶量准确度较高。该方法通用性较强,可用于类似体制靶试后脱靶量的快速估算。     

基于幅值等分的数字化正弦信号生成的设计

提出了一种基于正弦波幅值等分的数字化正弦调制信号的设计方法。该方法基于正弦调制信号的精度问题,通过采用将正弦波等分成与转换精度匹配的份数,得出数字化正弦信号。阐述了这种方法的基本原理及其FPGA模块原理图,并对其进行了误差分析。最后,给出了利用此方法产生正弦调制信号后通过DAC后波形,验证了方法的可行性。     

基于AD9951射频正弦波信号发生器的设计

介绍DDS的工作原理,设计完成以DDS器件AD9951为核心、频率范围为30～125MHz的射频正弦波信号发生器系统,可通过计算机RS232串口设置输出频率和幅度。对系统进行测试,结果表明该系统性能良好。并分析射频信号链路各部分对输出射频信号的影响。     

用方波代替正弦波作傅里叶变换的一种算法研究

用方波替代正弦波进行离散傅里叶变换（DFT）的一种算法,以便能在一些计算能力不是很强的嵌入式系统内作傅里叶变换。此算法本身不存在变换误差。对方波的离散总是存在误差,但是随着奇次频项数的增加,误差逐渐减小。总体运算效率还是明显提高。     

电离层中Ba和SF6复杂释放的电波传播效应研究

单一点源方式的化学物质释放, 一般仅能形成较简单的电离层扰动结构, 对电磁波的影响频段和影响程度都较为局限, 难以对甚高频(Very High Frequency, VHF)以上频段的无线电波产生显著影响.文章提出了一种Ba和SF₆两种不同性质物质组合的复杂释放方法, 并利用水平分层介质传播理论, 分别以150、400、1 000 MHz三个典型频率为代表, 估算了VHF、超高频(Ultrahigh Frequency, UHF)和L频段常用卫星电波信号穿越扰动区后幅度和相位的闪烁情况.仿真结果表明, 复杂释放方法产生的电离层扰动结构能够对VHF以上波段信号传播产生显著影响, 且信号所受影响随着频率的提高而变弱.     

以改进的混合方法预测室外到室内的电波传播

采用了理想匹配吸收层技术改进了了基于衍射几何射线法(GTD)与时域有限差分法(FDTD)的混合方法，改进后的方法使计算结果比基于Mur吸收边界条件的混合法更精确更具有稳定性。该方法可作为一种移动通信系统设计方法的新选择；利用该方法研究了由室外到室内的电波传播预测，给出了计算结果和传播规律性。     

Millimeter‐wave signal generation and transmission to multiple radio access units by employing nonlinearity of the optical link

Fifth‐generation communication demands seamless multi–giga‐bit per second data transmission in its small‐sized ultradense cells. The congestion‐free millimeter‐wave spectrum is the best option to be utilized for high data rate transmission. Generation and transmission of millimeter‐wave signals in the electrical domain is challenging mainly owing to bandwidth limitation of electronic components. Therefore, optical generation and transmission of these high‐frequency signals are a feasible option. In this work, we propose all‐optical millimeter‐wave signal generation and transmission in a centralized radio‐over‐fiber architecture. The proposed architecture performs all the major optical signal processing tasks at the central unit by eliminating the requirement of light sources and local oscillators at the multiple radio access units. Therefore, a potentially simplified and cost‐effective solution for fifth‐generation mobile networks is demonstrated through simulation results. Nonlinearity of the Mach‐Zehnder modulator and of a highly nonlinear dispersion‐shifted fiber is exploited to generate coherent optical carriers from a single centralized laser source instead of several separate laser sources. The coherent optical carriers are used to perform remote heterodyne detection at the radio access units and at the central unit to generate millimeter‐wave signals. Each of the four radio access units receives data from the central unit at a rate of 512 Mbps over two subcarrier multiplexed signals. Each of the radio access unit transmits the uplink data received from the mobile units at a rate of 128 Mbps and centered at a frequency of 25 GHz. It has been demonstrated through simulations that the proposed system gives acceptable bit error rate results.     

Formation mechanism of InxGa1−xAs ohmic contacts to n-type GaAs prepared by radio frequency sputtering

The formation mechanisms of InAs/Ni/W ohmic contacts to n-type GaAs prepared by radio-frequency (rf) sputtering were studied by measuring contact resistances (R_c) using a transmission line method and by analyzing the interfacial structure mainly by x-ray diffraction and transmission electron microscopy. Current-voltage characteristics of the InAs/Ni/W contacts after annealing at temperatures above 600°C showed “ohmic-like behavior.” In order to obtain the “ohmic” behavior in the contacts, pre-heating at 300°C prior to high temperature annealing was found to be essential. The contacts showed ohmic behavior after annealing at temperatures in the range of 500∼850°C and contact resistance values of as low as ∼0.3Ω-mm were obtained. By analyzing the interfacial structures of these contacts, In_xGa_1−xAs layers with low density of misfit dislocations at the In_xGa_1−xAs and GaAs interface were observed to grow epitaxially on the GaAs substrate upon heating at high temperatures. This intermediate In_xGa_1−xAs layer is believed to divide the high energy barrier at the contact metal and GaAs interface into two low barriers, resulting in reduction of the contact resistance. In addition, Ni was found to play a key role to relax a strain in the In_xGa_1−xAs layer (introduced due to lattice mismatch between the In_xGa_1−xAs and GaAs) by forming an intermediate Ni_xGaAs layer on the GaAs surface prior to formation of the In_xGa_1−xxAs layer.