Eu$lt;sup$gt;2+$lt;/sup$gt;的掺杂浓度对BaAl$lt;sub$gt;2$lt;/sub$gt;Si$lt;sub$gt;2$lt;/sub$gt;O$lt;sub$gt;8$lt;/sub$gt;：Eu$lt;sup$gt;2+$lt;/sup$gt;荧光粉发光特性的影响

采用化学共沉淀法一次煅烧工艺合成了BaAl₂Si₂O₈：Eu²⁺蓝色荧光粉.用X射线衍射仪和荧光分光光度计等对BaAl₂Si₂O₈：Eu²⁺蓝色荧光粉的相结构、发光性能进行了测试.结果表明：化学共沉淀法一次煅烧工艺合成的BaAl₂Si₂O₈：Eu²⁺蓝色荧光粉为单相;其激发光谱分布在240—410 nm的波长范围,峰值位于320 nm处,可以被InGaN管芯产生的350—410 nm辐射有效激发;在365 nm近紫外光的激发下,测得其发射光谱是位于465 nm附近的宽带峰.BaAl₂Si₂O₈：Eu²⁺蓝色荧光粉的发光强度随Eu²⁺浓度的增大逐渐加强,当Eu²⁺掺杂的摩尔分数为3.5%时,发光强度达到最大值,而后随掺杂浓度的增加而减小,发生浓度猝灭;根据Dexter能量共振理论,该浓度猝灭是由于Eu²⁺的离子间交换相互作用引起的. 关键词： 2Si₂O₈：Eu²⁺')" href="#">BaAl₂Si₂O₈：Eu²⁺ 发光特性 蓝色荧光粉 化学共沉淀法     

一种新型Ca3Mg3Si4O14:Eu2+绿色荧光粉的制备及其性能研究

采用CaCO3,MgO,SiO2,Eu2O3原料,通过高温固相法制备了Ca3Mg3Si4O14:Eu2+荧光粉.通过XRD图谱和PL光谱图,研究了Eu的掺杂浓度与助溶剂(NH4Cl,BaF2)对Ca3Mg3Si4O14:Eu2+荧光粉结构、发光性能和热稳定的影响.XRD图谱对比结果表明,制备的Ca3Mg3Si4O14:Eu2+荧光粉XRD图与理论计算得到的图谱几乎一致.Ca3Mg3Si4O14:Eu2+荧光粉在360～450 nm有很强的激发强度,并且在440 nm激发下发射峰值波长为530 nm的发射光.随着Eu2+离子浓度的增加,发射光谱出现了红移,且在Eu2+离子浓度约为6％时发生了浓度猝灭现象.当添加NH4Cl和BaF2作为助溶剂,Ca3Mg3Si4O14:Eu2+荧光粉的发光强度有一定提高.与未添加助溶剂的Ca3Mg3Si4O14:Eu2+荧光粉的发光强度相比,添加NH4Cl助溶剂后发光强度增加了70％.此外,当温度升高至150 ℃时,Ca3Mg3Si4O14:Eu2+荧光粉和商用绿色荧光粉的发光强度分别降低了7.6％和14％,表明Ca3Mg3Si4O14:Eu2+荧光粉具有良好的热稳定性.这些发光性能均表明Ca3Mg3Si4O14:Eu2+荧光粉是是一种可应用于固态照明的有前景的绿色荧光粉.     

白光LED用Sr_3(PO_4)_2∶Eu~(2+)蓝色荧光粉的制备及发光性能研究

采用高温固相法在N2-H2还原气氛下合成了一系列Sr3(PO4)2∶Eu2+蓝色荧光粉,通过X射线衍射仪(XRD)、荧光光谱仪(PL)对荧光粉的晶体结构、激发和发射光谱进行了表征。结果表明:微量的Eu2+掺杂不会改变其晶体结构;Sr3(PO4)2∶Eu2+荧光粉在310~390nm范围内可以有效的被激发,激发峰位于359nm;发射光谱为主峰位于438nm宽带发射(带宽约为150nm),对应于Eu2+的4f65d1→4f7跃迁.通过高斯拟合发现,Eu2+至少占据了Sr3(PO4)2两种不同的Sr2+格位,形成两个发光中心(430和459nm).当Eu2+的掺杂浓度为7%时,其具有最大的发光强度,继续增大Eu2+的掺杂浓度,Sr3(PO4)2∶Eu2+的发射光谱会出现浓度猝灭现象,且其发射峰会随着铕离子浓度增加而发生红移。Sr3(PO4)2∶Eu2+荧光粉在近紫外区有着强而宽的吸收带,与近紫外LED芯片发射相匹配,相对发光强度是蓝色荧光粉BaMgAl10O17∶Eu2+(BAM)的1.3倍,是一种很有前途的白光LED用蓝色荧光粉材料。     

紫外激发的LiCaPO_4:Eu~(2+)蓝色发光粉的发光特性

采用高温固相法合成了LiCaPO4:Eu2+蓝色发光粉,并对其发光特性进行了研究。该发光粉发射峰值位于470nm,属于Eu2+的4f65d1→4f的特征跃迁发射,与结构相似的LiSrPO4:Eu2+和NaBaPO4:Eu2+相比其峰值有明显红移。Eu2+在LiCaPO4晶体中可被250～440nm光有效激发,这与紫外发光二极管的发射光谱(350～410nm)匹配。考察了Eu2+的掺杂浓度对发光强度的影响,最佳掺杂摩尔分数为5%,摩尔分数超过5%后发生猝灭现象。浓度猝灭机理为电多极-电多极的交互作用。LiCaPO4:Eu2+是适合UV-LED管芯激发的白光发光二极管用高亮度蓝色发光粉。     

发光二极管用红色荧光粉SrMoO4:Eu3+的制备和发射性质

采用化学共沉淀法制备了适合于紫外、近紫外、蓝光发光二极管(LED)激发的红色荧光粉SrMoO4:Eu3+.研究了样品的晶体结构和发光性质.结果表明:化学共沉淀法合成的SrMoO4:Eu3+荧光粉为四方纯相,其激发光谱包括一个宽带峰和一系列尖峰,峰值位于280nm(宽带峰中心),395nm,465nm,可以被紫外LED和蓝光LED有效激发.在395nm的激发下,测得发射光谱的强发射峰位于613nm,对应Eu3+离子的5D0→7F2跃迁.Eu3+离子掺杂浓度的改变对基质的晶格常数、Eu3+离子在晶体中对称性及发光性能有较大影响.通过对比不同掺杂浓度Eu3+离子的发射谱,发现在SrMoO4基质中Eu3+离子掺杂存在浓度猝灭现象,其最佳掺杂浓度为15%.     

Ca_2Si(O_(4-x)N_x):Eu~(2+)绿色荧光粉的制备及其发光性能

利用在Ca-Si-O干凝胶前驱体中添加Si3N4的方法于非还原气氛下合成了含N固溶体Ca2Si(O4-xNx):Eu2+绿色荧光粉.通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜以及荧光分光光度计分别分析了产物的物相结构、颗粒形貌和发光性能.结果显示,Si3N4与前驱体的混合物在非还原气氛(纯氮气)下于1100℃焙烧后获得含N固溶体Ca2Si(O4-xNx):Eu2+荧光粉,特别是其中Eu3+被还原为Eu2+,产物的晶体结构与β-Ca2SiO4相一致.Ca2Si(O4-xNx):Eu2+能够被270—400 nm范围内的紫外线有效激发,其发射光谱呈宽带发射.随着N含量的增加,发射峰出现一定程度红移(501—504 nm),而且发光强度显著提高.当Eu2+浓度为0.25 mol%时发光强度达最大值,浓度超过0.25 mol%时,发光强度显著降低,出现浓度猝灭效应.     

SrB_4O_7∶Eu磷光粉的制备及其发光性能

采用高温固相法合成了SrB4O7∶Eu荧光粉,并研究了不同原料、掺杂浓度、煅烧温度等因素对其发光性能的影响。发射光谱测试结果表明:SrB4O7∶Eu荧光粉的最佳Eu掺杂浓度为2%左右,进一步增大掺杂浓度会导致浓度猝灭。煅烧温度对基质组成影响较大,随着温度的升高,基质中BO4四面体所占比例增大,有利于Eu3+离子的还原。以水合硼酸锶为原料制得样品的发光强度高于以SrCO3和H3BO3为原料制得样品的发光强度。     

Eu2+掺杂浓度对BAM光谱特性的影响

采用燃烧法在低温成功合成了纳米Ba1-xMgAl10O17:xEu2 (0.05≤x≤0.4)蓝色荧光粉,着重研究了Eu2 掺人量对荧光粉光谱特性的影响.利用XRD和SEM对材料的物相和形貌进行了分析,采用荧光光谱仪测定了样品的发光特性.结果表明,合成的产物为纯相,且颗粒细小、分布均匀,平均粒径约30 nm.Eu2 的掺杂浓度对样品的发光性能有显著的影响,随Eu2 浓度增大,发光中心增多,Eu2 离子间相互作用增强,能量传递加快,发光强度逐渐增大.当Eu2 浓度为x=0.2时,能量传递速率与发射速率相等,Euz 的发光达到最大值;此后,随Eu2 的浓度进一步增加,Eu2 之间的能量传递速率将超过发射速率,Eu2 还未将光发射出去就发生能量的传递,使激发能通过晶格的迁移而消耗,呈现浓度猝灭特性.     

CaMgSi2O6:Eu的真空紫外光谱特性

采用高温固相反应利用原料CaCO3,MgO,SiO2和Eu2O3合成CaMgSi2O6:Eu3 样品,并研究了其结构特性、光谱特性.CaMgSi2O6:Eu3 属于单科晶系,基质掺入Eu离子后结构没有明显变化.CaMgSi2O6:Eu3 在147 nm真空紫外光激发下呈红色发射,发射主峰位于611 nm,是Eu3 的5D0→7F2跃迁的典型发射.当Eu3 的相对摩尔浓度在0.02到0.10 mol之间变化时,由相关数据可以发现有浓度猝灭现象发生.CaMgsi2O6:Eu2 在172 nm真空紫外光激发下呈蓝色发射,发射主峰位于452 nm,是Eu2 的5d→4f跃迁的典型发射.添加不同浓度的H3BO3后可大大提高样品的发光强度.     

Ba_3Si_6O_9N_4∶Eu~(2+)荧光粉制备及其表征

采用基于高温固相的两步合成法,以BaSiO3为前驱体制备了Ba3Si6O9N4∶Eu2+荧光粉,主要研究了不同Eu2+掺杂浓度对Ba3Si6O9N4∶Eu2+荧光粉发光性能的影响机理,并与传统高温固相法制备的Ba3Si6O9N4∶Eu2+荧光粉的发光机理进行了对比分析。结果表明:与传统高温固相法相比,两步法制备的Ba3Si6O9N4∶Eu2+荧光粉具有更高的纯度和结晶度。Eu2+掺杂浓度大于9%时,两步法和传统高温固相法制备的样品都发生浓度猝灭现象。传统高温固相法与两步法制备Ba3Si6O9N4:Eu2+荧光粉的浓度猝灭机理一致,均是由于电偶极-电偶极相互作用造成的。在330nm的激发光下,两步法制备的Ba3Si6O9N4∶Eu2+荧光粉的发射光谱(峰值489nm)与传统的高温固相法(峰值512nm)相比,出现了蓝移的现象,更加接近于理论发射光谱中心(480nm)。能谱分析结果显示,两步法制备的荧光粉的元素组分更接近理论值,能有效降低晶格缺陷。两步法制备的Ba3Si6O9N4∶Eu2+荧光粉样品具有更好的热稳定性,更利于白光LED的应用。     

Eu3+摩尔浓度对Y2O2S:Eu3+,Mg2+,Ti4+红色长余辉材料光谱的影响

用高温固相法制备了Y2O2S：Eu^3 ,Mg^2 ,Ti^4 红色长余辉材料。测量了该材料的余辉曲线,余辉时间为1h以上;由X射线衍射得到晶体结构为Y2O2S.测量了不同Eu^3 摩尔浓度下的激发光谱和发射光谱,得到从^5DJ(J=0,1,2,3)^-7FJ(J=0,1,2,3,4,5)的发射谱线,并得到位于260,345,468和540nm激发峰。由于激活剂饱和效应,Y2O2S：Eu^3 ,Mg^2 ,Ti^4 发射光谱中513．6,540．1,556．4,587．3和589．3nm属于从^5D2,^5D1到^7FJ(J=0,1,2,3,4)跃迁的发射峰随Eu^3 摩尔浓度的增加相对削弱;激发谱包括位于350nm左右属于电荷转移态吸收(Eu^3 -O^2-,Eu^3 -S^2 )的激发主峰和在可见光区位于468,520和540nm属于Eu^3 离子4f-4厂吸收的激发峰。随着Eu^3 摩尔浓度的增加,位于468,520和540nm的激发峰相对增强。     

基于 Eu~(3 +)还原制备 Eu~(3 +)-Eu~(2 +)共存发光材料的研究进展

稀土Eu元素因其优良的光学特性常被作为激活离子广泛应用于无机发光材料中。激活离子的发光性质由自身的价态决定,同时受基质晶体结构影响。不同价态的Eu离子呈现不同的光学特性,当二者共存时有可能得到单一基质的白光。本文主要综述近几年Eu~(3+)-Eu~(2+)共存于铝酸盐、磷酸盐、硅酸盐及硼酸盐基质中的荧光性能、Eu~(3+)的还原条件及还原机理。     

Eu2+激活的硅酸锶材料的发光特性

采用高温固相法制备了Sr₃SiO₅ : Eu²⁺黄色发光材料,研究了Eu²⁺浓度及共激活剂等对材料发光性能的影响。结果显示,随Eu²⁺浓度的增大,Sr₃SiO₅ : Eu²⁺材料发射强度先增强后减弱,即存在浓度猝灭效应,根据Dexter理论,其浓度猝灭机理为电偶极-偶极相互作用。掺入共激活剂Yb、Tm均能提高材料的发射强度。利用InGaN管芯分别激发Sr_2.98Eu_0.01Tm_0.01SiO₅和Sr_2.98Eu_0.01Yb_0.01SiO₅材料,获得了很好的白光发射。     

Mechanism of long-lasting phosphorescence of Eu 2+ in melilite

UV excitation for several Eu 2+ -doped melilite crystals, Eu 2+ :Ca 2 Al 2 SiO 7 (CASM), Eu 2+ :CaSrAl 2 SiO 7 (CSASM), and Eu 2+ :Sr 2 Al 2 SiO 7 (SASM) produces long-lasting phosphorescence (1-10 2 v s) from Eu 2+ ions besides the intrinsic Eu 2+ luminescence. The distribution of the radiative decay rates is due to the recombination of distant pairs of trapped electrons and holes in the crystals. The intensities of the phosphorescence for these crystals were measured as functions of temperature and time. The most intense phosphorescence was obtained from the Eu 2+ : SASM crystal. The decay curves measured for Eu 2+ :SASM below 400 v K fit t m n ( n h 1). This fact shows that the recombination of the distant pairs occurs through tunneling below 400 v K. The temperature dependence of the intensities integrated in a time domain obeys the Arrhenius's equation with two thermal activation energies including radiative and non-radiative processes. These results suggest that holes and electrons recombine radiatively at Eu 2+ sites in the SASM crystal through thermal hopping and tunneling. On the other hand, Eu 2+ :CASM and Eu 2+ :CSASM show different behavior on the decay curves at low temperatures, satisfying t m n ( n >1). This discrepancy may be removed by several electron and/or hole centers with different trapping energy levels.     

Eu~(2+)浓度对Sr_2Si_5N_8∶Eu~(2+)红粉热猝灭机制的影响

采用高温固相法制备了不同Eu2+浓度掺杂的Sr2Si5N8红色荧光粉,并对其晶体结构、形貌、发光和热猝灭性能进行了详细的研究。XRD和SEM测试表明,所合成的样品为纯相Sr2Si5N8结构,具有较高的结晶度。PL光谱数据表明,Eu2+替代Sr2+格位形成两种不同的发光中心。温度特性测试发现,样品的热猝灭性能很大程度上取决于Eu2+浓度。随着Eu2+浓度的增加,样品的热猝灭性能先增强后降低。不同发光中心的荧光强度比和荧光寿命测试结果表明:在较低Eu2+掺杂条件下,Eu2+浓度引起热猝灭性能改变的机制主要归因于Eu2+占据不同Sr2+格位的几率的改变。     

Ba_2B_2P_2O_(10):Eu~(3+)材料的光谱特性

采用高温固相法合成了Ba2B2P2O10:Eu3+材料,并研究了材料的光谱特性。在400nm近紫外光激发下,材料的发射光谱由4组线状峰组成,峰值分别为600,618,627和660nm,分别对应Eu3+的5D0→7F1,7F2,7F3和7F4跃迁。研究了Eu3+掺杂浓度及电荷补偿剂对材料发射强度的影响,结果显示,随Eu3+掺杂浓度的增大,材料的发射强度增大,并未出现浓度猝灭效应,同时,添加电荷补偿剂可增强材料的发射强度。     

CaAl2O4:Eu2+,Nd3+纳米粉体的合成与发光性质

采用溶胶-凝胶法制备了CaAlO4：Eu^2＋,Nd^3＋纳米粉体发光材料。利用DTA,TG,XRD,SEM,光谱分析等手段对样品进行了结构和性能分析。实验结果表明,800℃烧结的样品形成已CaAl2O4晶相,样品平均晶粒尺寸为20～40nm,与CaAlO4：Eu^2＋,Nd^3＋粗晶材料相比,样品的发光光谱发生了“蓝移”,热释光峰值向高温移动了96℃,且曲线形状变宽,发光衰减是由初始的快衰减和随后的慢衰减构成,发光余辉时间5h。     

Photophysics of RbCl co-doped with Eu2+ and Eu3+

Excitation and luminescence spectra of RbCl co-doped with divalent and trivalent europium ions are reported. Spectral dips appearing in the blue emission from Eu²⁺ are resulted from the radiative energy transfer from Eu²⁺ to Eu³⁺ and consequently induces the luminescence from Eu³⁺ that is responsible for the ⁵D₀→⁷F_J (J=0, 1, 2, 3, 4) transitions. The induced luminescence has been characterized as a function of temperature and a decay time. In addition, the polarized emission from RbCl doped with only Eu²⁺ is also reported.     

Ca~(2+)掺杂对BaMgSiO_4:Eu~(2+)发光材料发光性能的影响

采用高温固相法于弱还原气氛中制备了Ba1-xCaxMgSiO4:Eu2+(x≤0.15)发光材料,测量其光谱特性,分析Ca2+掺杂对该发光材料光谱的影响。XRD图谱研究表明:Ca2+在BaMgSiO4基质中极限溶解度x=0.075。发光性能研究表明,当Ca2+掺入量从0增加至0.05时,最强发射峰从498nm蓝移至450nm,在掺入量为0.075时,激发和发射强度达到最强,而随着Ca2+掺入量的增加激发光谱的形状也发生变化。从Ca2+取代不同点阵位的Ba2+,并结合晶体场强度的变化讨论了光谱变化的原因。