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量子线,量子点和它们的激光器 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了半导体量子线、量子点的自组织生长法和掩膜表面选择局部生长法,讨论了量子线、量子点激光器的优点以及遇到的问题,指出了大小均匀性是实现量子线、量子点激光器的主要障碍. 相似文献
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对量子点超晶格材料中量子点纵向周期和同层量子点的横向周期间距对量子点及其周围应变场分布的影响进行了系统的研究.结果表明,横向和纵向周期通过衬底材料之间的长程相互作用对量子点沿中心轴路径应变分布的影响效果正好相反,在适当条件下,两者对量子点应变场分布的影响可以部分抵消.同时也论证了在单层量子点和超晶格量子点材料中,计算量子点的电子结构时,应综合考虑量子点空间周期分布对载流子限制势的影响,不能简单的利用孤立量子点模型来代替.
关键词:
应变
半导体量子点
自组织 相似文献
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半导体量子点激光器研究进展 总被引:11,自引:0,他引:11
首先简要地回顾了半导体激光器发展的历史和量子点激光器所特有的优异性能,进而介绍半导体量子点及其三维量子点阵列的制备技术,然后分别讨论了量子点激光器(能带)结构设计思想,实现基态激射时所必须具备的条件和近年来国内外半导体量子点器的研究进展。最后分析讨论了量子点激光器研制中存在的问题和发展趋势。 相似文献
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半导体量子点电子结构理论研究的进展 总被引:4,自引:1,他引:3
半导体量子点材料由其具有重要的理论研究意义和潜在的巨大应用前景而成为当今理论和材料研究的热点,本文综述了半导体量子点材料电子结构的理论研究发展进程。 相似文献
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单光子源是实现量子密匙分配、线性光学量子计算的基本单元。作者回顾了单光子源在量子信息科学发展中的作用,讨论了光子的统计特性,分析了具有类似原子二能级结构的半导体量子点作为单光子发射源的特点,介绍了微腔与二能级系统的耦合以及微腔量子电动力学基本原理。在弱耦合区,Purcell效应导致微腔中量子点激子复合寿命降低,因此可用微腔来改善量子点单光子发射效率。文章总结了近年来在半导体微腔增强量子点单光子发射领域的进展,探讨了分布式布拉格反射微腔、柱状微腔和光子晶体微腔等结构对改善半导体量子点单光子发射和收集效率、光子极化以及光子全同性等方面的作用,并对未来半导体量子点单光子源的发展进行了展望。 相似文献
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铁电体-半导体量子点复合材料 总被引:2,自引:0,他引:2
文章介绍了这一领域的最新研究进展,并重点报道了一类新型铁电体基纳米复合材料-铁电体半 量子点复合材料的制备与光学性质,该材料在新型电致光元件及量子点激器中有着很好的应用前景。 相似文献
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ZnS/CdS/ZnS量子点量子阱的荧光衰减 总被引:1,自引:1,他引:0
采用反胶束方法制备了ZnS/CdS/ZnS量子点量子阱,并对其光谱性质进行了研究。结果表明所制得的量子点量子阱尺寸分布均匀,平均粒径为4.5nm,发光峰位于515nm左右,归属于CdS体内的施主-受主对复合。ZnS/CdS/ZnS量子点量子阱中CdS的发光比核-壳结构的ZnS/CdS量子点增强了近四倍,荧光寿命也有所增长。 相似文献
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《发光学报》2021,42(8)
半导体量子点因其具有精准的尺寸调控、独特的光电特性、丰富的表面活性位点等优势,在光催化剂设计和机理研究中获得了广泛关注。与传统半导体量子点主要作为光吸收单元不同,新兴的碳点更是在增加光吸收、促进电荷分离和增加表面反应位点等光催化不同环节均展现出优异的应用潜力。然而,量子点光催化剂由于小尺寸带来电荷复合严重、易团聚、稳定性差等问题而限制了其光催化性能。解决这些问题的主要途径之一是将零维(0D)量子点负载到超薄的二维(2D)纳米片上,形成0D/2D纳米复合材料,使量子点更加分散和稳定,且2D纳米材料促进的加速电荷转移能够抑制光生电荷的复合,从而可以有效地改善量子点基光催化剂的催化活性和稳定性。本文系统阐述了半导体量子点和碳点基0D/2D异质结光催化剂的构筑及应用,着重讨论了不同类型0D/2D异质结的光催化作用机理及面临的挑战,最后对其未来发展进行了分析和展望。 相似文献
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半导体微结构物理效应及其应用讲座 第2讲 量子阱、超晶格物理及其在光电子领域中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
文章介绍了半导体量子阱、超晶格的基本物理,以及它在光电子领域中的应用,包括量子阱、量子线、量子点、激光器、光调制器、自电光效应器件、量子点器件等. 相似文献
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杨静航晏长岭刘云李奕霏冯源郝永芹李辉逄超 《发光学报》2023,(9):1621-1635
超辐射发光二极管(SLD)具有高功率、宽光谱和低相干性等光学特性,在光纤通信、工业国防、生物影像和痕量气体检测等领域具有极高的应用价值。本文聚焦于SLD的输出功率与光谱宽度特性,综合评述了量子阱、量子点近红外SLD与量子级联中红外SLD的研究进展。详细介绍了InP基量子短线、混合量子点量子阱与异维量子点量子阱等新型有源结构,以及量子点掺杂与区域混杂等相关工艺技术。最后,概述了SLD的应用前景,并对SLD的潜在研究方向和技术发展应用趋势进行了展望。 相似文献
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Osamu Wada 《光学与光电技术》2015,13(1):5-8
首先对未来系统光子器件的关键问题进行了综述。并且对半导体纳米结构,特别是基于量子点材料的超快开关器件取得的最新进展进行了讨论。其中包括基于量子点的半导体光放大器,其在超过40Gb/s的速率下展现出偏振不敏感特性;新型基于量子点的垂直腔结构的光开关,其展现出超快、节能、全光开关的特性。概括和讨论了未来基于纳米结构的光子器件的应用。 相似文献
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用非本征吸收区的透射系数研究CdSeS量子点玻璃的非线性系数 总被引:5,自引:0,他引:5
通过CdSeS量子点玻璃在非本征吸收区的透射系数,研究CdSeS量子点玻璃的非线性光学系数与量子点半径的关系。实验测量了嵌有不同尺寸CdSeS量子点玻璃的吸收光谱,在非本征吸收区量子点玻璃的透射系数随量子点半径的增大,先增大后减小;理论分析了半导体量子点玻璃非本征吸收区透射系数与非线性光学系数之间的关系;实验与理论相结合,建立了非本征吸收区透射系数与非线性光学系数之间的联系。研究分析了CdSeS量子点玻璃的非线性光学系数随量子点半径的变化,得到CdSeS量子点玻璃在非本征吸收区的非线性光学系数随量子点半径的增大,先减小后增大的结果。 相似文献
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半导体纳米材料和物理 总被引:5,自引:0,他引:5
半导体纳米材料是纳米材料的一个重要组成部分,纳米结构的电子和光子器件将成为下一代微电子和光电子器件的核心。文章介绍了半导体纳米材料研究的新进展,包括四个方面:半导体自组织生长量子点,纳米晶体,微腔光子晶体和纳米结构中的自旋电子学。本世纪开始的半导体纳米材料的研究是上世纪半导体超晶格量子阱研究的延续,同时又开辟了一些新的领域,如:单电子的电子学、单光子的光子学,微腔和光子晶体,稀磁半导体和自旋电子的相干输运等,这些研究将为研制在新原理基础上的新器件和实现量子计算、量子通信打下基础。 相似文献
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利用金属有机化合物气相沉积设备生长了不同盖层结构的InAs/GaAs量子点,采用原子力显微镜和光致发光光谱仪对量子点的结构和光学性质进行了研究.量子点层之间的盖层由一个低温层和一个高温层组成.对不同材料结构的低温盖层的对比研究表明,In组分渐变的InGaAs低温盖层有利于改善量子点均匀性、减少结合岛数目、提高光致发光强度;当组分渐变InGaAs低温盖层厚度由6.8 nm增加到12 nm,发光波长从1256.0 nm红移到1314.4 nm.另外,还对不同材料结构的高温盖层进行了对比分析,发现高温盖层采用In组分渐变的InGaAs材料有利于光致发光谱强度的提高.
关键词:
半导体量子点
盖层
组分渐变 相似文献
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