全息闪耀光栅

本文扼要地介绍了目前在制造全息闪耀光栅中普遍使用的三种方法——付里叶合成法,驻波珐、离子刻蚀法,并介绍了测定光栅衍射效率的方法。     

无掩模全息衍射光栅的形成

本文主要讨论利用激光的光化学反应,在Ag金属膜表面、GaAs半导体表面无掩模全息衍射光栅的形成。     

感应耦合等离子休技术用于熔融石英表面凹凸光栅的刻蚀

感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是一种新的干法刻蚀技术，具有刻蚀速率高和各向异性刻蚀等优点，并且能够独立控制等离子体密度和自偏置电压。然而，在利用这种技术进行刻蚀的过程中，经常会发生聚合物的沉积，从而阻碍了刻蚀过程的继续。我们报道了在熔融石英表面刻蚀光栅时不产生聚合物沉积的技术，给出了优化参数。所制作的熔融石英普通光栅和600线／mm的高密度光栅的表面很干净，没有聚合物沉积。光栅衍射效率的实际测量值和预期的理论值吻合得很好。最后还研究了ICP技术的刻蚀速度．刻蚀均匀性和过程可重复性等参数。     

光刻胶灰化技术用于同步辐射闪耀光栅制作

在分析光刻胶光栅浮雕图形缺陷成因的基础上,首次将光刻胶灰化工艺引入到全息－离子束刻蚀制作闪耀光栅工艺中,并成功地为国家同步辐射实验室光化学站制作了１２００１／ｍｍ,闪耀波长为１３０ｎｍ的锯齿槽形光栅。测试结果表明光刻胶灰化处理对制作大面积优质的光刻胶光栅非常有效和实用。     

钛的反应离子刻蚀

本文介绍在扩钛条波导器件的研制中,对难熔金属钛的微细图形用CCl_4及辅助气体进行反应离子刻蚀的研究,并对如何提高刻蚀质量进行了分析讨论。     

金刚石薄膜的反应离子刻蚀

反应离子刻蚀是金刚石薄膜图形化的一种有效方法。研究了用Ｏ２及与Ａｒ的混合气体进行金刚石薄膜图形化刻蚀的主要工艺参数（射频功能、工作气压、气体流量、反应气体成分与比例等）对刻蚀速率和刻蚀界面形貌的影响，兼顾刻蚀速率和刻蚀平滑程度等关键因素，建立了金刚石薄膜刻蚀的优化工艺参数，达到了较满意的图形效果。     

一种用于VLSI工艺模拟的反应离子刻蚀速率模型

本文提出了一种适用于VLSI工艺模拟的反应离子刻蚀(RIE)速率模型。模型的建立采用统计数学方法,结合较少次数的实验。该模型精度高,实用性强。对CF_4/O_2刻蚀二氧化硅和SF_6/O_2刻蚀掺磷多晶硅的实验表明,模型精度达到5％。该模型植入刻蚀模拟器后能使亚微米刻蚀模拟的精度,提高到一个新的水平。     

离子束刻蚀双频光栅的实验研究

本文利用离子束在玻璃上刻蚀出双频光栅,研究了光栅掩模制作中曝光量和显影条件,离子束刻蚀工艺等因素对光栅衍射效率的影响,并给出一些实验结果。     

HBr反应离子刻蚀硅深槽

对ＨＢｒ反应离子刻蚀硅和ＳｉＯ２进行了实验研究。介绍了ＨＢｒ等离子体的刻蚀特性，讨论了ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的刻蚀机理，研究了ＨＢｒ中微量氧、碳对ＨＢｒＲＩＥ刻蚀过程的影响。实验表明，ＨＢｒ是一种刻蚀硅深槽理想的含原子溴反应气体。采用ＨＢｒＲＩＥ，可获得高选择比（对Ｓｉ／ＳｉＯ２）和良好的各向异性。     

低串扰平顶型刻蚀衍射光栅解复用器的设计

介绍了一种低串扰、频谱响应平坦化的刻蚀衍射光栅(EDG)解复用器的机理与设计方法,设计带有预整形输入的优化的多模干涉(MMI)结构.该设计采用了广角束传播方法(BPM)、基耳霍夫衍射理论以及模式传输理论等方法.给出一个优化的预整形渐变波导结构,以获得更陡的输出场边缘,使用MMI结构,获得了平坦的频谱响应,设计结构还获得了相对较低的色散值.     

镀铬基片全息光栅光刻胶掩模槽形参量光谱检测方法

为了检测全息光栅掩模槽形,运用严格耦合波理论(RCWT)分析镀铬基片光栅光刻胶掩模反射0级衍射效率光谱曲线与槽形参量的关系。测量了400~700 nm波长范围内60°入射角条件下的镀铬基片全息光栅光刻胶掩模反射0级衍射效率光谱曲线。将实验曲线与不同槽形参数对应理论曲线相减、求标准差进行匹配,标准差最小者为匹配结果,从而找到被测掩模的槽深和占宽比(光栅齿宽占光栅周期的百分比)。结果表明,该方法图形匹配速度快,误差容限大,匹配结果与电镜结果相符。对于要求同时检测矩形或接近矩形槽形的全息光刻胶光栅掩模的槽深和占宽比,该方法完全适用。     

低串扰平顶型刻蚀衍射光栅解复用器的设计

介绍了一种低串扰、频谱响应平坦化的刻蚀衍射光栅(EDG)解复用器的机理与设计方法,设计带有预整形输入的优化的多模干涉(MMI)结构.该设计采用了广角束传播方法(BPM)、基耳霍夫衍射理论以及模式传输理论等方法.给出一个优化的预整形渐变波导结构,以获得更陡的输出场边缘,使用MMI结构,获得了平坦的频谱响应,设计结构还获得了相对较低的色散值.     

反应离子刻蚀PMMA的各向异性刻蚀研究

研究目的是优化Ni掩膜PMMA RIE的刻蚀参数，在氧刻蚀气体中加入表面钝化性气体CHF3，以较快的刻蚀速率获得垂直的侧壁和最小的掩模钻蚀。采用平行板结构的反应离子刻蚀机刻蚀，研究了刻蚀气压，CHF3/O2比率和刻蚀温度对垂直、侧向刻蚀速率和PMMA微结构形貌的影响。试验表明：当CHF3含量大于50%或O2工作气压较低时，会显著影响RV/RL比，当RV/RL比大于8时，试样呈现出完全各向异性刻蚀。     

AlSiCu反应离子刻蚀技术

在Ｔｅｇａｌ１５１２ｅ反应离子刻蚀（ＲＩＥ）设备上，利用Ｃｌ＿２和ＳｉＣｌ＿４为主要刻蚀气体，进行了ＡｌＳｉ０．８％－Ｃｕ２％的ＲＩＥ工艺研究，详细讨论了影响工艺的诸多因素，涉及ＡｌＳｉＣｕ材料本身结构的差异，ＲＩＥ工艺各参数，后处理等许多方面；给出实用化的工艺程序；最小加工线宽达到２μｍ，体刻蚀速率达８７０ｎｍ／ｍｉｎ，均匀性±５％，线宽损失小于１０％，对热氧化ＳｉＯ＿２的刻蚀选择比为４∶１，对ＡＺ１４５０Ｊ正性抗蚀剂的刻蚀选择比大于１．８∶１；该工艺使用效果良好，达到实用化水平。     

紫外激光刻蚀位相光栅实验初步研究

描述308nm和193nm波长准分子激光对PI、PC和PMMA三种聚合物的微刻蚀实验,并从刻蚀表面光洁度、边缘锐利和垂直度、刻蚀阈值等方面对刻蚀特性进行了讨论和比较.其中308nm激光对PC和PMMA刻蚀性能很差,而193nm激光刻蚀PI和PC,以及308nm激光刻蚀PI都能达到微米级横向分辨率和亚微米级深度精度,通过这种方法成功地刻蚀出了二阶位相光栅.