紫外半导体发光器件及其制造方法

紫外半导体发光器件的出现,在各个行业得到广泛的使用,为行业内的制造和管理提供较大的便利。随着技术的进步,紫外线半导体发光器件在制造方法上得到全面的创新,新型的技术不断的出现,制造方法方面也得到不断的发展,为技术的进步提供条件,因此应该更加科学的对紫外半导体发光器件及其制造费方法进行分析,掌握更加全面的制造方法,从而促进技术的进步,对技术的发展提供更多可能。本文主要针对紫外半导体发光器件以及制造方法进行分析。     

中国半导体制造设备市场明起反弹

据SEMI报道，今年世界半导体设备市场326亿美元．比上年下降12％。其中中国大陆市场在2004年大规模投资27．2亿美元之后，预计今年将大幅下降40％，仅及16．3亿美元。     

意法半导体创下硅发光的世界记录

意法半导体（ST）在意大利西西里岛卡塔尼亚（Catania）的技术研发中心日前宣布一项突破性的硅片发光器技术，该技术可与砷化镓(GaAs)等传统的发光半导体复合材料的发光效率相媲美。这种技术为单片上集成光电功能开创了多种潜在应用，过去这是根本不可能的。因为，虽然硅片是制作存储器、微处理器和其他复杂电路的理想选择，但是，它无法用作高效的发光器。这项光发射新技术创下了发光效率的世界记录，该技术基于一种创新的结构，在一层富含硅的氧化物(SRO)内，如富含1～2nm直径的纳米晶硅的二氧化硅，注入稀土金属铒、铈等的离子。该技…     

我国首次实现室温连续发光的氮化镓半导体蓝光激光器

2007年4月30日，由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器。这是继2004年11月16日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破，标志着我国氮化镓（GaS）基蓝光半导体激光器研究向产品化、产业化迈出了极为关键和坚实的一步。     

中国集成电路制造：8-12英寸晶圆生产线在中国（大陆）的发展高层对话会

中国集成电路制造8—12英寸晶圆生产线在中国（大陆）的发展高峰对话会，是中国集成电路产业发展研讨会暨第九届中半IC分会年会的亮点之一。出席对话会的有：台积电（上海）有限公司副总经理王元禹先生，新加坡特许半导体制造有限公司上海代表处首席代表韩志勇先生。Gartener咨询公司上海分公司首席分析师徐永先生。     

我国半导体产业链现状及发展新浪潮

2003年是我国IC产业蓬勃发展、持续攀升走高的1年,形势喜人,成绩斐然。2003年我国集成电路总产量首次突破100亿大关,达到134．1亿块,同比增长39．3％,全行业实现销售收入351．4亿元,同比增长30．9％     

II-VI族半导体量子点的发光特性及其应用研究进展

半导体量子点由于具有独特的发光特性而具有极高的应用价值。结合本实验室的工作介绍了半导体量子点的发光原理和发光特性，在实验中发现核壳结构的CdSe／CdS半导体量子点比没有包覆的CdSe半导体量子点的发光稳定性提高．吸收光谱和发射光谱均发生红移，而且粒径不同．半导体量子点所呈现的颜色也不同，随着粒径的增加吸收光谱和发射光谱向长波方向红移。介绍了半导体量子点在光电子器件和生物医学方面的应用．并对其发展前景进行了展望。     

长三角成为全国最重要的半导体制造基地

长江三角洲地区以拥有国内55％的IC制造企业、80％的封装测试企业和近50％的IC设计企业，已成为全国最重要的半导体集成电路制造基地。目前，长三角地区已形成IC设计、制造、封     

新春对话——中国半导体产业同日本半导体制造装置业间的合作

2001年以来的世界半导体产业大规模萧条状况已经持续到2002年,所以2003年成为倍受期待的的一年。在萧条的国际形势下,中国半导体市场却成为投资市场焦点,异常火爆。在日本半导体业界如何同中国半导体产业共存共荣,成为一项大课题,被认为有望打破现状的趋势。这个在访日期间进行的谈话就中国半导体协会的情况、欣欣向荣的中国半导体产业、面向今后不断扩大的市场同日本半导体制造装置业界的合作体制等问题进行了对话。本刊与日本半导体制造装置协会会刊,同时在两国以“新春对话”的形式发表此次对话。     

半导体量子点的发光性质研究

用PL谱测试研究了半导体量子点的光致发光性能,分析了不同In组分覆盖层对分子束外延生长的量子点发光特性的影响,及导致发光峰红移的原因.结果显示,In元素有效抑制界面组分的混杂,使得量子点的均匀性得到改善,PL谱半高宽变窄.用InAs覆盖的In0.5Ga0.5As/GaAs自组织量子点实现了1.3um发光.     

硅基量子点的制备及其发光特性

硅基光电子学无疑是今后光电子学发展的方向，这就要求硅基材料能够满足发光器件的要求，从而达到光电集成的目的。因为硅体具有非直接带隙的特点，共发光效率低，所以利用硅基低维量子结构，尤其是量子点结构提高硅基材料的发光性能一直是国内外本领域的一个研究特点。本文对近年来硅基量子点的制备及发光特性研究所取得的进展和结果进行了总结和评述，并对今后的发展提出了看法。     

完善产业链 开发中国芯 促进半导体产业快速成长

2003年我国电子信息产品制造业实现销售收入18800亿元，比2002年增长34％，已成为我国工业第一大产业，产业规模位居世界第三。微机、彩电、程控交换机等生产增长加快，去年产量分别达到了3084万台、6000万台、7379万线，同比分别增长83．2％、15％、25．5％。目前，我国程控交换机、     

完善半导体产业链政策 推进中国半导体产业持续稳定发展

半导体技术是当今世界最有活力的技术领域。通常认为集成电路是半导体技术的核心，它的发展及其在各个领域的广泛应用。极大地推动了科学技术的进步和经济增长，各国都把集成电路产业作为战略性产业来对待，其技术水平的高低和产业规模的大小已成为衡量一个国家技术、经济发展和国防实力的重要标志。为此各国竞相投入大量的人力、物力和资金，促进其发展。我国亦不例外，出台各种优惠政策，集中有限资金，倾力发展集成电路产业。并依靠应用半导体技术为基础的电子信息技术改造现有的传统产业，促使国民经济跨越式发展。     

安捷伦杯半导体制造技术论文大赛助力中国半导体人才培养

全球领先的跨国高科技公司安捷伦科技在上海隆重举办了2006安捷伦杯半导体制造技术论文大赛的颁奖典礼，来自国内11所一流大学的学校代表、获奖学生，以及半导体产业界代表与安捷伦科技全球公共事务部、市场部和电子测量部的领导齐济一堂，为荣获一二三等奖的论文颁奖，并感谢各界对此次论文大赛的支持与协助，共同庆祝此次大赛的圆满成功。     

中国半导体从“制造”走向“创造”

中国已成为全球最重要的半导体产品消费国和生产国之一，中国半导体产业的能级和自主研发水准迅速提升，已从“制造”走向“创造”。     

氧化锌半导体薄膜的发光光谱特性

用直流反应溅射方法在Ｓｉ（１００）基片上生长出具有六角晶型的ＺｎＯ薄膜．测量了样品的阴极射线发光特性及其与薄膜晶体结构的关系．在所有测量样品中均观察到较强的绿带（５２０ｎｍ）发射,随着薄膜单晶程度的提高,光谱中开始出现蓝带（～４５０ｎｍ）,并在类单晶薄膜中看到了强度大于绿带的近紫外谱带（３９０ｎｍ）;它的强度随着阴极射线电子束流密度增加而迅速增加．根据ＺｎＯ中激子的结合能数据,推测紫带发射来源于ＺｎＯ的激子跃迁．实验结果说明,通过改进薄膜的结晶状况可进一步增强ＺｎＯ薄膜的短波长发光     

半导体量子点的自组织生长及其应用

所谓半导体量子点的自组织生长,是指具有较大晶格失配度的两种材料,依靠自身的应变能量,并以Ｓｔｒａｎｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖ（Ｓ－Ｋ）生长模式,在衬底表面上形成的一定形状、尺寸和密度分布的自然量子点结构。本文主要介绍了纳米量子点的自组织生长,自组织生长最子点的发光特性及其在光电器件中的应用。     

加速发展我国半导体设备是形成中国IC产业链的当务之急

国务院18号文件颁布以后，我国IC产业呈现出大需求、大发展和大投资的局面，这无疑给发展缓慢我国半导体设备业带来了良机。本文分析了半导体设备业的现状，与国外的差距，并提出了缩短与国外差距的对策、办法及措施。