流动注射-示差脉冲阳极溶出伏安法中壁喷玻碳汞膜电极表面状态研究

通过显微观察,研究了在流动注射一示差脉冲阳极溶出伏安法中,使用壁喷玻碳电极时,在不同的预镀汞膜条件下,在电极表面上形成的汞膜的状态。并获得了适宜的预镀汞膜条件。适宜的预镀汞膜条件为:。     

溶出伏安法中玻碳镀汞电极表面的汞膜状态

本文对不同条件下形成的汞D$的形成过程丶汞膜形态与其形成条件的关系以及对溶出峰的影响.结果表明: 玻碳表面的汞膜是由视直径小于10μm, 的微汞滴构成, 其分布密度随镀汞电位的负值增加而增加;微汞滴在电析过程中不断长大并相聚成更大一些的微汞滴, 在旋转玻碳电极上, 汞膜的最大平均厚度大会超过5μm, 而适用于溶溶出分析的范围为0.05~1μm, 比文献记载的范围(0.001~10-5M时虽经长时间镀汞用的Hg2+ 浓度的适用范围为1X10-5 ~2x10-4 m; Hg 2+浓度为2X10-ⅴM 时虽经长时间镀汞亦不易产生较大的微汞滴. 实验还表明峰高的重现性与电极表面载汞量有关. 还观察到较大的微汞滴在电极表面滑动以致被甩离电极表面的现象, 严重时会引起峰的下降.     

双硫腙修饰玻碳电极阳极溶出伏安法测定痕量镉和铅

报道了双硫腙修饰玻碳电极同时测定痕量镉和铅的电分析方法。镉和铅离子通过与电极表面的双硫腙发生螯合作用而富集在电极表面 ,同时在 -1 .2 0V(vs.SCE)还原成零价镉和铅 ,当电极电势从 -1 .2 0V向 -0 .3 0V扫描时 ,被还原的镉和铅从电极表面溶出 ,分别于 -0 .78V和 -0 .4 8V左右形成灵敏的阳极溶出峰。优化了支持电解质及pH值、双硫腙用量、富集电位及时间等实验参数。利用该修饰电极测定镉、铅的线性范围分别为 1 .0×1 0 - 8～ 2 .5× 1 0 - 6 mol L和 5 .0× 1 0 - 9～ 2 .5× 1 0 - 6 mol L。检测限分别为 5 .0× 1 0 - 9mol L和7.0× 1 0 - 1 0 mol L。该法用于实际水样中镉和铅的测定 ,平均回收率分别为 99.3 0 %和 99.5 4 %。     

玻碳电极线扫溶出伏安法测定鸟嘌呤的研究（Ⅰ）

用线扫溶出伏安法和循环伏安法研究了鸟嘌呤在玻碳电极上的电化学行为，鸟嘌呤的阳极锋电流与其浓度在１×１０－７－５×１０－４ｍｏｌ／Ｌ范围内有良好线性关系。讨论了实验条件，建立了测定鸟嘌呤的新分析方法，应用于生物样品中鸟嘌呤的测定，结果满意．     

Nafion修饰金膜玻碳电极溶出伏安法测定痕量Se（Ⅳ）的研究

提出了Ｎａｆｉｏｎ修饰膜玻碳电极测定痕量硒的新方法。在０．１ｍｏｌ．Ｌ＾－１硫酸和０．０１．Ｌ＾－１硝酸钠的介质中，Ｓｅ（Ⅳ）浓度在５．０＊１０＾－１０－２．５＊１０＾－８ｍｏｌ．Ｌ＾－１范围与二次导数峰电流呈良好线性关系，测定下限为５．０＊１０＾－１０ｍｏｌ．Ｌ＾－１。     

银微盘电极上碘离子的示差脉冲溶出伏安法

基于Ｉ能与Ａｇ生成难溶出化合物特性，在银微盘电极上研究了Ｉ的示差脉冲溶出伏安法（ＤＰＳＶ）。该法不需镀汞，不要搅拌，可在较稀稀的支持电解质溶液中实施。于０．０８ｍｏｌ／ＬＨＡｃ－ＮａＣ及０．０１ｍｏｌ／ＬＥＤＴＡ介质中，能检出１．００×１０＾－８ｍｏｌ／Ｌ的Ｉ，Ｉ的浓度为５．００×１０＾－６－－１．２０×１０＾－８ｍｏｌ／Ｌ范围与峰电流有良好的线性关系。该法用于自来水中Ｉ的测定，相对偏差为４．３％     

杯芳烃修饰玻碳电极吸附溶出伏安法测定微量铅

研究了以杯芳烃衍生物修饰玻碳电极,以其吸附溶出伏安法测定微量铅。对富集时间、铅的浓度、支持电解质、样品溶液pH值及部分离子干扰等进行了实验。实验发现以氢氧化钠溶液处理修饰电极可提高测定灵敏度,经过优化处理后,线性范围和检出限分别为5.0×10-7～1.0×10-5mol/L和1.0×10-8mol/L。应用本法对合成水样进行了测定,结果满意。本文还对吸附溶出机理进行了讨论。     

三聚氰胺修饰玻碳电极用于溶出伏安法测定水样中痕量银

用电化学沉积法将三聚氰胺修饰在玻碳电极上,应用此三聚氰胺修饰玻碳电极测定银时,试液在pH 4.6的乙酸-乙酸钠缓冲溶液中,在—0.45V处还原60 s,然后在0～+0.6V范围内扫描,使银离子从修饰电极上溶出,实现了水样中银离子的溶出伏安法测定,在+0.27V处可得银离子的氧化峰电位,银的浓度在6.0×10~(-9)～5.0×10~(-7)mol·L~(-1)范围内与其峰电流呈线性关系,检出限(3S/N)为1.0×10~(-9)mol·L~(-1)。方法用于实际水样中痕量银的测定,加标回收率在90.0%～96.0%之间。     

壁喷电池在流动注射阳极溶出伏安法中的应用

在流动注射阳极溶出伏安法中应用壁喷电池,探讨了非稳定态电积过程的溶出峰电流理论方程,预言了峰电流正比于R~(3/4)(R为工作电极半径),并对有关参数进行了实验验证。对5×10~(-7)mol/L Cd(Ⅱ)连续测定40次,表明相对标准偏差为0.94％。     

微分脉冲阳极溶出伏安法对吡虫啉的测定研究

应用循环伏安法和微分脉冲阳极溶出伏安法在玻碳电极上(GCE)对吡虫啉进行了研究,发现吡虫啉(C=5.0×10-4mol/L)在pH 2.0的B-R(Britton-Robinson)缓冲底液中于 0.986 V(vs.SCE)左右产生一个尖锐的阳极氧化峰。本文讨论了pH、富集时间、扫速、静止时间的影响。吡虫啉在2.0×10-5~4.0×10-4mol/L范围内与峰电流呈线性关系(r=0.9986),检出限为1.0×10-6mol/L。用该方法对吡虫啉进行了实际测定,还对吡虫啉的电极反应机理进行了初步探讨。     

流动注射阳极溶出伏安法的中内插标准加入法

探讨在流动注射阳极溶出伏安法中应用内插标准加入法,推导这一非稳定态电积过程的溶出峰电流方程,从而论证了这一方法的定量依据。提出一个快速简易的定量方法,只需在试样载流中分别注入一个空白和标准溶液,就能由导出的一个简单方程得出待测样品浓度。测定一系列水样中ppb级铅,相对标准偏差为3.4％(n=10),回收率为90％～108％。与经典ASV方法对照,结果一致。     

羟乙芦丁在玻碳电极上的阳极微分脉冲伏安法测定

本文对羟乙芦丁在玻碳电极上的阳极微分脉冲安行为进行了研究，发现在Ｎａ２ＨＰＯ４溶液中（ｐＨ＝８．９５）于＋０．６４Ｖ（ｖｓ．Ａｇ／ＡｇＣｌ）左右产生一个良好的阳极氧化伏安峰，浓度在５～６０ｍｇ／Ｌ之间与峰电流呈线性关系，不需分离直接测定了片剂中的羟乙芦丁含量。电极反应为扩散速率控制的不可逆可程。     

电活化玻碳电极差分脉冲溶出伏安法测定磺胺嘧啶

采用线性循环溶出伏安法和差分脉冲溶出伏安法对磺胺嘧啶在电活化玻碳电极上的电化学行为进行了研究。玻碳电极在PBS溶液中(pH 7.0),用恒电位法在1.7 V阳极氧化400 s,在B-R缓冲溶液中,磺胺嘧啶在1.02V(vs.Ag/AgCl)处有一良好的氧化峰,在0.02～0.25 V/s范围内,其氧化峰电流与扫描速率呈良好线性关系,表明电极过程为受吸附控制的不可逆过程。差分脉冲溶出伏安法的氧化峰电流(Ipa)与磺胺嘧啶浓度1×10-6～1×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系(r=0.9977),检出限为8.7×10-7mol/L(S/N=3)。方法已用于分析磺胺嘧啶片剂的分析。     

铋膜修饰玻碳电极用于线性扫描溶出伏安法测定铝箔中痕量镓

用电化学沉积法将铋离子修饰在玻碳电极上,应用此铋膜修饰玻碳电极测定镓时,将试液在pH 5.4的六次甲基四胺-盐酸缓冲溶液中在-1.30 V处预还原40 s,然后在-1.30~-0.50 V范围内扫描,使镓离子从修饰电极上溶出,实现了镓离子的溶出伏安法测定,在-1.01 V处可得镓离子的氧化峰电位,镓的质量浓度在0.002 8~0.21μg.L-1范围内与其峰电流值呈线性关系,方法的检出限(3S/N)为0.7 ng.L-1。方法用于测定铝箔中镓的含量,加标回收率在98.2%~103.8%之间。