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从Rahmfeld和Rajaraman构造的在AdS3×S3背景中具有κ对称的GS弦的作用量出发, 推导出AdS3×S3弦的运动方程, 然后利用连续的扭曲对偶变换构造了带有自由参数λ的平联络, 利用这些平联络可进一步得到无穷多守恒量, 说明此系统是可积的. 相似文献
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采用高温固相法在1300℃的温度获得了一种新型电子俘获型光存储材料 Sr2SnO4:Sb3+. 结果表明: 208 nm (Sb3+ 的1S0→1P1)和265 nm (1S0→3P1)的紫外光是Sr2SnO4:Sb3+ 的最有效信息写入光源; 其发射是覆盖400---700 nm的宽带(3P0,1→XXS0), 肉眼可看到淡黄色白光, 色坐标为(0.341, 0.395). 热释光谱研究结果表明: Sr2SnO4:Sb3+ 有分别位于39℃, 124℃, 193℃和310℃的四个热释峰. 其中, 39~℃的热释峰强度很低, 因而Sr2SnO4:Sb3+ 只具有不到140 s的微弱余辉. 而310℃的高温热释峰在空置1天后, 仍能保持约45.6%的初始强度, 并对980 nm的红外光有很好的红外上转换光激励响应. 因此, Sr2SnO4:Sb3+ 是一种具有一定的信息存储应用潜力的新型光存储发光材料. 相似文献
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用高温固相法合成了Eu2+,Mn2+共激活的Ca2SiO3Cl2高亮度白色发光材料,并对其发光性质进行了研究. 该荧光粉在近紫外光激发下发出强的白色荧光,Eu2+中心形成峰值为419 nm和498 nm的特征宽带,通过Eu2+中心向Mn2+中心的能量传递导致了峰值为578 nm的发射,三个谱带叠加从而在单一基质中得到了白光. 激发光谱均分布在250—415 nm的波长范围,红绿蓝三个发射带的激发谱峰值分别位于385 nm,412 nm,370 nm和396 nm处,可以被InGaN管芯产生的紫外辐射有效激发. Ca2SiO3Cl2:Eu2+,Mn2+是一种很有前途的单一基质白光LED荧光粉. 相似文献
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三基色荧光粉中, 红色荧光粉性能较差, 为获得性能优良的红色荧光粉, 本文采用高温固相法合成了Eu2+, Cr3+单掺杂及共掺杂的碱土金属多铝酸盐MAl12O19 (M =Ca, Sr, Ba) 发光体. 实验表明, 在以上三种基质中均存在Eu2+→Cr3+的能量传递, 利用能量传递可以有效将Eu2+的蓝光或绿光转换为红光. 三种碱土金属多铝酸盐基质的晶体结构相似,但Eu2+, Cr3+发光受晶体场影响,导致在不同的基质中Eu2+, Cr3+间能量传递效率不同.通过光谱分析及能量传递效率计算发现, 相同掺杂浓度下,CaAl12O19中Eu2+→Cr3+的能量传递效率最高,SrAl12O19次之, BaAl12O19最低.红光转换率在CaAl12O19中最高. 相似文献
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根据最新的Cs2分子中间态A1∑+u -b3Πu全局解微扰获得的能级数据, 归属了通过微扰增强红外-红外光学双共振中间态A1∑+u 到上态23△1g的140条碰撞线, 包含之前实验观测到的221条23△1g←A1∑+u← X1∑+g 双共振跃迁[J. Chem. Phys. 128, 204313 (2008)], 重新计算了23△1g态的分子常数和势能曲线(排除54个微扰能级). 本次拟合得到的离心畸变常数和从经验公式计算得到的值相符合. 在亚多普勒激发光谱中,没有分辨出23△1g态的超精细结构. 对23△1g态的超精细结构进行初步计算,比较实验结果给出解释和说明. 相似文献
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采用提拉法成功生长尺寸为φ30 mm× 75 mm的15at.%Yb3+:Gd2SiO5单晶, 并用Reitveld全谱拟合方法确定了其晶格常数、原子坐标和温度因子等参数. 用吸收光谱计算了Yb3+离子2F7/2↔ 2F5/2能级跃迁的振子强度、谱线强度、跃迁概率、 能级寿命和积分发射截面等光谱参数, 并根据激光性能评估得出结论: 表明该晶体具有较大的阈值特性, 有望采用大功率激光二极管泵浦实现可调谐或超快激光输出. 相似文献
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采用高温固相法获得了一种只具有 微弱余辉的新型电子俘获型光存储材料Sr2SnO4:Tb3 +, Li +. 发光性能研究结果表明: 该材料对980 nm的红外激光具有很好的上转换光激励信息读出响应, 同时292 nm紫外光为其最佳信息写入光源. 光存储性能研究结果表明: 该材料的浅陷阱较少, 因此其余辉发光很弱, 不到500 s; 另一方面, 该材料中存在大量的深蓄能陷阱. 因此, Sr2SnO4: Tb3 +, Li+是一种具有较好实际应用价值的新型电子俘获型光存储材料. 此外, 还讨论了Sr2SnO4: Tb3 +, Li+的光存储发光机理. 相似文献
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用密度泛函理论和非谐振子模型计算了晶体HgGa2S4和Hg0.5Cd0.5Ga2S4的能带结构、态密度、化学成键及线性、非线性光学性质。结果表明:HgGa2S4的价带顶部主要是Ga-S成键态的贡献,导带底部主要是Ga-S反键态的贡献; Hg0.5Cd0.5Ga2S4的价带顶部主要由S-3p轨道组成,导带底部主要是Ga-S反键态的贡献。布居分析表明Ga-S键主要是共价成分,而Hg-S和Cd-S键主要是离子成分。HgGa2S4的折射率计算值与实验值在低能量区很好吻合。另外,HgGa2S4的能隙计算值比Hg0.5Cd0.5Ga2S4小,而二阶非线性极化率比Hg0.5Cd0.5Ga2S4大。 相似文献
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采用传统固相法和水热法成功地制备出棒状La2Zr2O7:Eu3+荧光粉. 利用X射线粉末衍射仪、透射电镜和荧光光谱仪等分析了产物的结构、形貌和发光特性. 结果表明红色荧光粉La2Zr2O7:Eu3+有良好的晶相,属于立方结构,空间点群为Fd3m; 其形貌主要为纳米棒, 平均直径约47 nm, 长度为50~700 nm. 并对纳米棒的生长机理进行了探讨. 在466 nm蓝光激发下,La2Zr2O7:Eu3+荧光粉能发射出Eu3+的特征红色荧光,发射主峰位于616 nm处,归属于Eu3+的5DO→7F2超灵敏电偶极跃迁.此外,在产物的发射光谱中能够观察到5D1→7FJ (J=0, 1, 2)跃迁和5D1→7FJ (J=1, 2, 4)跃迁的劈裂峰,这说明Eu3+处在低对称性的晶体场格位中. 相似文献
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对利用微波放电直接解离Cl2生成Cl, Cl与HN3反应生成NCl(a1Δ )和NCl(b1∑)的过程进行了实验研究。得到了较强的NCl(a1Δ 和NCl(b1∑)自发辐射光谱,考察了Cl2流量和He/Cl2配比对NCl(a1Δ 和NCl(b1∑)生成的影响。发现对于一定的He流量,Cl2流量对NCl(a1Δ 和NCl(b1∑)生成的影响存在一最佳范围,而最佳He/Cl2配比不是一定值,而是随He流量升高而变大,在实验所考察的He流量范围(5~40 L/min)内,最佳He/Cl
2配比在30∶1~100∶1之间。 相似文献
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采用共沉淀法制备了纳米晶ZrO2-Al2O3∶Er3+发光粉体.所制备的粉体室温下具有Er3+离子特征荧光发射,主发射在绿光,其中位于547 nm、560 nm的绿光最强,并得出稀土离子与基质之间有能量传递.对不同煅烧温度下的样品研究表明:因不同温度下所制得的样品晶相不同.研究了纳米晶ZrO2-Al2O3∶Er3+及ZrO2-Al2O3∶Er3+/Yb3+的上转换发光,并分析了上转换的跃迁机制.发现ZrO2-Al2O3∶Er3+的绿光为双光子过程,而ZrO2-Al2O3∶Er3+、Yb3+的上转换光谱中,红光和绿光也为双光子过程,而极弱的蓝光为三光子过程.讨论了Er3+的浓度猝灭现象.最适宜掺杂浓度的原子分数为2%(Er3+/Zr4+). 相似文献
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采用柠檬酸作燃烧剂用燃烧合成法制备了Gd2O3:Eu3+纳米晶.用X射线衍射仪(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和荧光分光光度计等对Gd2O3:Eu3+纳米晶的结构、形貌和发光性能进行了分析.结果表明:不同柠檬酸与稀土离子配比(C/M)制备的样品经800℃ 退火1 h后,均得到了纯立方相的Gd2O3:Eu3+纳米晶,晶粒尺寸约为30 nm,尺寸分布较窄,其中以C/M=1.0时制备的纳米晶结晶性最好,发光强度最大.Gd2O3:Eu3+纳米晶主发射峰位置均在612 nm处 (5D0→7F2跃迁),激发光谱中电荷迁移态发生红移,观察到Gd3+向Eu3+的有效能量传递.对柠檬酸与稀土离子配比(C/M)对结晶度、发光性质等的影响也进行了分析和讨论. 相似文献
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对Er3+:GdVO4样品的光谱参数以及Er3+在晶场中能级的分裂情况进行了研究. 首先对样品进行了吸收光谱的测量,接着用Judd-Ofelt理论拟合出了Er3+在GdVO4晶体中的强度参量Ωt,并由此计算了跃迁的振子强度、自发辐射跃迁速率、荧光分支比和积分发射截面. 通过计算结果可以发现有较多能级之间的跃迁都有大于10-6的振子强度和大于10-18cm的积分发射截面,并且具有较高的荧光分支比,特别是2H11/2→4I15/2,4S3/2→4I15/2,4F9/2→4I15/2和4I13/2→4I15/2等几个强发光能级除了具有较大的振子强度和积分发射截面外还有很好的应用前景,因此也更加值得关注. 最后还利用群论讨论了Er3+离子在GdVO4晶场中各能级的分裂情况并对各Stark子能级的Jz混杂情况进行了分析. 相似文献