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采用正电子湮没技术研究了NiTi合金在降温和升温过程中缺陷和电子密度随温度的变化.在降温过程中,当温度从295K降至225K时,合金的电子密度nb随温度的降低而下降,在225K时降至最小;随后,nb随温度的降低而升高.当温度从295K降至221K时,合金缺陷的开空间随温度的下降而升高,在221K时达到最大值;随后,缺陷的开空间随温度的下降而下降.在升温过程中,当温度从25K升至253K时,合金的电子密度nb随温度的升高而降低,并在253K时达到最小;当温度从253K升至295K时,合金电子密度nb随温度的升高而升高.在相变临界温度点Ms=222K,Mf=197.2K,As=237.5K,Af=255.5K附近,合金的电子密度nb及合金缺陷的开空间均有异常的变化. 相似文献
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本文用正电子湮没技术对等离子体喷涂铜基合金压缩形变的微观缺陷进行了测量。对等离子体喷涂合金,随着压缩量的增加,正电子寿命变短,这一现象与常规合金中观察到的情况相反。 相似文献
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利用正电子湮没技术研究了10 at.% Co掺杂的Co3O4/ZnO纳米复合物中退火对缺陷的影响. 利用X射线衍射(XRD)测量了Co3O4/ZnO纳米复合物的结构和晶粒尺寸. 随着退火温度升高,Co3O4相逐步消失,ZnO晶粒尺寸也有显著增加. 经过1000 ℃以上退火后,Co3O4相完全消失,并出现了CoO的岩盐结构. 正电子湮没寿命测量显示出Co3O4 /ZnO纳米复合物中存在大量的Zn空位和空位团. 这些空位缺陷可能存在于纳米复合物的界面区域. 当退火温度达到700 ℃后Zn空位开始恢复,空位团也开始收缩. 900 ℃以上退火后,所有空位缺陷基本消失,正电子寿命接近ZnO完整晶格中的体态寿命值. 符合多普勒展宽谱测量也显示Co3O4 /ZnO纳米复合物经过900 ℃以上退火后电子动量分布与单晶ZnO基本一致,表明界面缺陷经过退火后得到消除.
关键词:
ZnO
界面缺陷
正电子湮没 相似文献
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Measurements were performed using the positron annihilation technique associated with physical metallurgical techniques for several engineering alloys containing fine precipitates. It is shown that positron annihilation is an effective method to detect fine precipitates, providing a sound basis for a further intense research of these. 相似文献
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正电子湮没技术在金属和合金研究中的应用进展 总被引:1,自引:0,他引:1
评述了正电子没技术(PAT)在金属和合金研究中如下几个领域的应用进展:(1)金属间化合物空位形成的焓的测定;(2)淬火、辐照、形变及充氢等引起的缺陷及回复过程;(3)金属和合金的相变;(4)非晶、准晶及纳米晶的研究;(5)PAT作为材料无损检测新技术的研究。 相似文献
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POSITRON ANNIHILATION STUDY ON SURFACE STRUCTURE OF BIOLOGICAL SAMPLES IMPLANTED BY IONS WITH LOW ENERGY 总被引:3,自引:0,他引:3 下载免费PDF全文
The organic materials of biological samples, such as lima bean and peanut, were implanted respectively by nitrogen ions with an energy of 100 keV and vanadium ions with an energy of 200 keV. The positron annihilation lifetime spectra of implanted and non-implanted samples were compared with each other especially in τ3 and I3. The experimental results showed that before implantation there were many small holes with diameters of 0.48 and 0.7 nm respectively in lima bean and peanut. After ion implantation, the size of holes would be changed because of organism cross linking and scission. The effective penetration range of implantation of ions with low energy into biological samples is about 200μm. 相似文献
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简要介绍了近年来正电子谱学在聚合物微结构研究中的主要应用及进展,大量实验事实表明,正电子谱学是表征高聚物微结构的极灵敏方法。 相似文献
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用固态反应法制备了YBa2Cu3-xFexOy(x=0—0.5)一系列样品,反应在空气中进行.运用正电子湮没技术、扫描电子显微镜和X射线衍射进行了研究,并测定了氧含量.正电子湮没结果发现,x=0.12时短寿命分量τ1和长寿命分量τ2都存在一异常变化.X射线衍射和扫描电子显微镜研究分别表明,材料在x=0.12—0.15区间内发生正交四方相变,晶粒尺寸突然由小变大.通过对上述实验结果的分析可以得到,在该类材料中,正电子对结构相变十分敏感;另外,当Fe掺杂量增大到一定程度时,Fe原子由随机分布变为成簇分布
关键词:
Fe掺杂YBCO
高温超导电性
正电子湮没
结构相变 相似文献
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用单能慢正电子束,测量了不同氧分压下生长的La0.7Sr0.3MnO3外延膜的S参数与入射正电子能量E的关系.结果发现La0.7Sr0.3MnO3外延膜中S参数与氧分压是非单调变化的;这与沉积氧分压的两种作用相关联的.在氧分压较高的LSMO薄膜中, 空位浓度的增加主要是由沉积原子(离子)与氧原子碰撞几率增大,使其缺乏足够的动能去填补空位引起的;在低氧分压的LSMO薄膜中, 空位浓度的增大则主要是提供成膜所需要的氧原子缺乏,从而导致氧空位及其相关缺陷增加. 相似文献