复相X射线定量分析中一种改进的外标法

在Ｘ射线定量相分析的外标法中有Ｌｅｒｏｕｘ等人［１］解决二元物相系的方法,它需用实验来作校正曲线,且难以推广到复相系．１９６６年,Ｋａｒｌａｒｋ和Ｂｕｒｎｅｔｔ［２］提出能解决多相系且衍射线重叠的外标法,当无重叠线时,由于实验和计算比较繁杂,因而很不方便．此短文提出一种简化的外标法．一、原理在一个有ｎ种物相的试样中,由Ａｌｅｘａｎｄｅｒ方程［３］有其中Ｋｉ是与ｉ相的性质和仪器的几何学有关的常?...     

复相X射线定量分析中的一种内标法

近年来,复相的Ｘ射线定量分析有很大发展．总结现有的各种方法可知,Ｘ射线定量相分析出于两种考虑,一种在计算式中消除吸收系数■,常数Ｋ由实验求得或由理论计算得;另一种是在计算式中消去Ｋ,而■由实验求得或由理论计算得．凡由理论计算Ｋ或■的方法统称无标样法,凡由实验求Ｋ或■的方法统称为标样法．现有的内标法［１］、增量法［２］和Ｘ值法［３］都是由实验求Ｋ的方法．我们探索了实验求Ｋ的简化外标法“和以增量?...     

扩展的联立方程K值法──一种无标样X射线定量相分析方法

Ｘ射线定量相分析方法一般分为标样法和无标样法．刘沃垣［１］和Ｚｅｖｉｎ［２］分别提出的无标样法和分属标样法都要求有几个样品,每个样品都包含几个物相．姚公达和郭常霖［３］针对这个问题对Ｚｅｖｉｎ法作了改进,解决了缺相问题．本文也针对上述问题提出一种扩展的联立方程Ｋ值法．该法所用的参考样品的相数可以和待测样品不同,既可以缺少某些相,又可以多出其它相,且无论是缺相还是多相,只要待测样品中的（ｎ０－?...     

不用纯试样X射线多相定量分析新方法

引言物质中各种类型的相的形态、晶体结构及分布,对物质的物理化学性能有决定性的影响。研究这些相的分析方法称为相分析法．根据这些相的Ｘ射线衍射花样及衍射强度,可以定出各相在物质中的重量分数,称为Ｘ射线定量相分析法,它在科研和生产中有重要的应用．但是过去由于此法分析程序复杂、纯试样制备困难以及有的相衍射花样重叠等原因,限制了它的广泛应用．近几年Ｆ．Ｈ．Ｃｈｕｎｇ提出了基本抵消法［１］和非内标法［２?...     

新实验技术在材料研究中的应用讲座 第十一讲 Auger谱仪和扫描Auger谱仪在材料研究中的应用

七十年代初发展起来的微区分析新技术──Ａｕｇｅｒ谱仪（ＡＥＳ）及扫描Ａｕｇｅｒ谱仪（ＳＡＭ）在材料研究中的应用愈来愈受到人们的重视．长期以来,Ａｕｇｅｒ效应［１］未能找到实际应用．直至１９５３年才由Ｌａｎｄｅｒ［２］提出了可在超高真空中测量Ａｕｇｅｒ电子,这种电子由于能保持来自表面层的特征能量信息而可用作表面分析．１９６８年,Ｈａｒｒｉｓ［３］用电子能量微分法提高了灵敏度;１９６９年Ｐａｌｍ?...     

杠杆式金刚石对顶砧高压装置的压力校正

一、前言早在三十年代,已经有人开始进行高压下Ｘ射线衍射技术的研究［１］．随着高压技术的不断发展,实验方法也不断更新,压力范围不断扩大．六十年代初,人们开始应用金刚石对顶砧进行Ｘ射线衍射实验［２,３］．到了七十年代,这方面的技术有很大的发展,压力可达几十万大气压［４,５］。对金刚石对顶砧超高压装置进行压力标定,是个普遍关心的问题．在这方面,国际上已进行了许多工作．Ｄｅｃｋｅｒ［６］研究的ＮａＣ?...     

新实验技术在材料研究中的应用讲座 第十六讲 半导体晶体缺陷显微镜研究中的若干方法

一、引言用显微镜研究晶体缺陷的发展可分为两个方面：其一是采用各种专用显微镜［１］,例如,根据泽尼克（Ｚｅｒｎｉｋｅ）原理［２］制造的位相衬度显微镜（它能把物体产生的位相衬度转换成可见的强度衬度）,和根据诺玛斯基（Ｎｏｍａｒｓｋｉ）原理制造的微分干涉衬度显微镜［３］等．其二是在样品的制备和处理方面主要是寻找优秀的腐蚀剂．每种晶体都有一系列的腐蚀剂［４］,而且还在不断出现新型的腐蚀剂．用于半导体?...     

液晶自由能的简单推导

描述液晶向列相和胆甾相弹性性质的自由能密度,其形式为其中ｎ（ｒ）为空间ｒ处之指向（ｄｉｒｅｃｔｏｒ）,代表分子的平均取向,｜ｎ｜＝１．２π／ｑ０为胆甾相的螺距．在向列相中,ｑ０＝０．Ｋ１—Ｋ３为弹性常数．有关这些物理量的进一步讨论,参看文献［１－４］．这个简单的自由能的具体形式（从１９３３年起Ｏｓｅｅｎ［１］和Ｚｏｃｈｅｒ［２］初步考虑,其后１９５８年Ｆｒａｎｋ［３］比较完备的处理,以至后人?...     

多组分固体表面的择优溅射

近十多年来,由于表面分析技术发展的需要,对许多固体材料开展了离子溅射研究［１］．从合金和化合物的溅射研究发现,离子轰击能改变材料的表面成分［２］．研究多组分固体的表面成分在离子束作用下的变化,对阐明入射离子与靶原子间的作用,了解各成分原子在表面上的结合特性以及进行表面成分分析,都是十分必要的［３］．本文将简要说明目前对多组分固体表面离子溅射的了解,并讨论择优溅射对表面分析结果的影响．一、溅射?...     

氟化锂晶体色心的光谱与激光研究

离子晶体中的色心,已经成为近红外区最重要的调频激光材料［１］．单是氟化锂一种材料,就有三种色心实现了激光,即Ｆ２－心［２］,Ｆ２＋心［３］和Ｆ２心［４］．前两种都已制成室温工作的调频激光器件．液氮温度连续工作的Ｆ２＋色心激光,输出超过２瓦［５］,室温连续工作也达到２８０毫瓦［６］．用氟化锂中的Ｆ２＋心,还得到了微微秒锁模激光［５,７］．然而,Ｆ２＋色心在室温下是不稳定的,会逐渐演变成稳定的Ｆ?...     

高稳定性的红色有机薄膜电致发光器件

有机薄膜电致发光作为新型的平板显示器件受到人们广泛的关注。有机发光器件研究的一个目标是发展全色显示。目前绿色和蓝色器件都实现了高亮度和长寿命。有关红色有机发光器件也有一些报道。如 Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ等报道的 ＤＣＭ红光器件［１］,Ｊ．Ｋｉｄｏ［２］利用稀土有机物作为红色发射体,Ｐ．Ｅ．Ｂｕｒｒｏｕｓ报道的ＴＰＰ掺杂［３］Ｙ．Ｈａｍａｄａ报道的ＺｎＴＰＰ掺杂［４］, Ｍ． Ａ． Ｂａｌｄｏ利用ＰｔＯＥｐ［５］都得到红光。最近 Ｙ． Ｈａｍａｄａ报道利用ｒｕｂｒｅｎｅ作为辅助掺杂得到的红光器件色度不随电压的…     

区熔[115]硅单晶的外形特征

在半导体硅材料的研究和应用中,广泛地使用沿［１１１］和［１００］晶向生长的硅单晶,而对其他晶向生长的硅单晶,则研究和应用较少．对沿［１１５］生长的硅单晶国外虽有报道［１,２］,但应用还不普遍,国内还未研究报告．本文总结了我们多年来对区熔［１１５］硅单晶的研究工作．在文献［１］中仅就［１１５］硅单晶的生长机理同［１１１］硅单晶进行了比较,同时研究了固－液界面的不同特点,指出［１１５］硅单晶生长?...     

七十年代初切伦科夫技术的发展

１９３４年发现切伦科夫辐射［１］以来,人们对它的性质从理论和实验上作了详尽研究［２,３］．切伦科夫探测器成为高能物理实验中鉴别粒子最常用的工具．文献［４］综述了１９７３年前这类探测器在高能物理中的应用,本文介绍这一技术在七十年代的发展概貌．切伦科夫辐射的基本关系是ｃｏｓθ（λ）＝１［βｎ（λ）］．（１）粒子运动的方向和速度β＝Ｖ／ｃ可由介质折射率ｎ（λ）和辐射角θ（λ）唯一地确定．在?...     

热透镜光谱技术及其应用

热透镜光谱技术是七十年代出现并发展起来的一种新的激光光谱技术．主要用于气体、液体的微弱吸收的测量和分子弛豫过程的研究［１］．它与激光光声光谱技术［２］一样也是一种高灵敏度的热－光光谱方法．这种方法的依据是热透镜效应．热透镜效应首先为Ｊ．Ｒ．Ｗｈｉｎｎｅｒｙ等人干１９６４年观察到［３］．他们把有机液体放在氦氖激光器的谐振腔中,研究它们的喇曼光谱时发现,由于样品的加入,激光束发生散焦或浮散现象;?...     

XeF,KrF准分子激光泵浦染料激光器

在各种波长的可调谐激光器中,染料激光器具有设备简单、制作方便、价格低廉、调谐范围宽等一系列优点,受到研究和应用方面的普遍重视．激光泵浦是获得染料激射作用的重要而有效途径．迄今为止,用来泵浦染料的激光器主要有以下几种：ＹＡＧ的高次谐波［１］,红宝石激光器及其二次谐波［２］,Ａｒ离子激光器［３］,Ｎ２分子激光器［４］及准分子激光器［５,６］等．Ｎ２分子激光器因其结构简单．已成为许多染料的泵浦源,?...     

量子力学中的引力和惯性——介绍COW实验

大家知道量子力学是研究微观世界物理现象的最基本的理论,而爱因斯坦的广义相对论实质上就是相对性的万有引力理论,它是一个很完美而且内在逻辑性很强的理论,这两个理论是完全独立发展起来的．尽管爱因斯坦等人做了很多努力,但迄至最近以前,万有引力现象与微观世界的物理现象从未发生过任何实验联系．对于一个物理体系,如果具有作用量纲的“自然”动力学变量如［时间］×［能量＝［长度］×［动量］＝［角动量］?...     

绝缘体表面静电火花放电能量的研究

许多年来国外对静电火花引爆易燃气体问题进行了广泛的研究．１９５１年Ｂ．Ｌｅｗｉｓ和Ｇ、ＶｏｎＥｌｂｅ［１］测定了各种易燃气体的最小点燃能量,方法是将电容器充电后进行火花放电（以后简称电容火花）来点燃气体．但电容火花与绝缘体的静电放电火花（以后简称绝缘体火花）的性质不同,因此两种火花对同一气体的最小点燃能量也会不同．１９６５年Ｎ．Ｇｉｂｓｏｎ和Ｆ．Ｃ．Ｌｌｏｙｄ［２］标定了煤气、甲烷、?...     

用椭圆偏振光谱法研究溅射无定形硅的光学性质

近年来,由于太阳能利用等方面的需要,无定形硅的研究在国际上得到重视和发展．无定形硅的光学性质是基本研究的重要内容之一,与它的电子结构有密切关系．其中,吸收系数和吸收边的研究工作较多,折射率的研究也有一些．Ｐｉｅｒｃｅ和Ｓｐｉｃｅｒ［１］测量了无定形硅的复数折射率,求出介电常数的虚部ε２（Ｅ）,并与Ｐｈｉｌｉｐｐ和Ｅｈｒｅｎｒｅｉｃｈ［２］对单晶硅的测量结果作比较,得到图１的结果．由图?...     

离子溅射在物质微观组织结构研究中的应用

离子溅射自１８５２年被Ｃｒｏｖｅ［１］研究以来,至今已发展成为一种用途颇广的技术．如清洁固体表面、溅射淀积薄膜、制作微电子线路、加工光学器件、侵蚀金相样品及制作透射电子显微镜薄箔样品等．后两者现已成为研究物质微观组织结构的手段之一．四十年代末,有人用溅射法侵蚀锻件的“流线”,五十年代初,溅射法已被用来制备透射电镜样品．１９６０年Ｐａｕｌｕｓ和Ｒｅｖｅｒｃｈｏｎ［２］用装有离子枪的装置,制备锰?...     

用低频C-V法测量a-Si:H的隙态密度

非晶态半导体一个重要参数是它的迁移率禁带中的局域态密度．已经发展了多种隙态密度的测量方法,如场效应方法（ＦＥ）［１］、低频Ｃ－Ｖ法［２,３］、ＭＯＳ隧道测量［４,５］以及深能级瞬态谱法（ＤＬＴＳ）等．Ｃ－Ｖ法本是测量单晶半导体材料的有力工具．在非晶态半导体的肖特基势垒二极管的空间电荷区中,电势分布、空间电荷分布等要比单晶半导体复杂得多．已有一些文章作了研究井推导了由Ｃ－Ｖ曲线求态密度的公式［?...