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本文研究中子辐射俘获截面中非统计与统计过程的质量效应、壳效应和奇偶效应.对23Na、208Pb等33个偶中子核素在中子能量为0.1至3MeV区间内,计算了它们的总辐射俘获截面、统计及非统计俘获截面和非统计俘获部分比.并将总俘获截面与实验值进行了比较.结果表明,非统计俘获截面本身并不随质量数改变有明显的变化,显示出弱的壳效应.统计俘获截面由于强烈地依赖于核能级密度而表现出明显的质量、壳层和奇偶效应.非统计部分比随着质量数的增加其总的趋势是减小的,并表现出显著的壳层效应. 相似文献
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本文研究27Al(n,γ)和28Si(n,γ)反应的非统计效应.考察的中子能量范围为热能至2MeV.所研究的非统计过程在低能区(热中子至第一共振前)包括位阱俘获、价俘获、以及两者的干涉;在高能区(共振区、研究对能量平均的截面)包括直接-半直接俘获,复弹性散射道及复非弹性散射道的俘获.计算结果表明,与中重质量核相比,这两个核的非统计效应在总的(n,γ)截面中所占的比例特别高:在热中子能量范围约为50%;在共振区区80%.本文指出,这一现象是与实验上观测到的关联系数相一致的. 相似文献
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对快中子引起的核反应作预平衡修正,即考虑直接–半直接俘获作为统计平衡前1激子态和3激子态的γ发射过程,5个及5个以上激子态的粒子(中子、质子及α粒子等)及γ发射过程用达到统计平衡的复合核过程描述,在中子入射能量3MeV至20MeV能区对40Ca和208Pb的辐射俘获截面进行了理论计算并与实验结果作了比较,得到了较好符合的结果.同时,对统计平衡前后γ发射对(n,γ)截面的贡献及直接俘获、半直接俘获和两者的相干项的特性进行了讨论 相似文献
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给出了计算共振区平均中子俘获r能谱的方案。主要考虑了三种反应机制:统计过程、位阱俘获与复弹性道中的俘获脚。具体计算了3s共振区几个核素51V,52Cr,55Mn的热中子俘获r能谱和r光子多重数。结果表明,包括了复弹性道中的俘获这一过程后,理论与实验的符合得到明显的改善,特别是对能谱的高能端。 相似文献
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计算了强激光场引起的低能中子的p波辐射俘获过程, 目的在于探测中子结合能附近的中子p波共振能级——它们在通常的低能中子核反应中无法被观察到. 用二阶微扰论计算这一截面, 结果表示为核矩阵元和激光电场强度的函数. 数量级估算表明, 为了观察到这一效应, 激光的电场强度需要大于105或108V/cm, 前者对应于在入射道中间时存在另一s波共振能级. 相似文献
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40Ca的热中子辐射俘获截面实验值远较统计理论及Lane-Lynn直接俘获理论预言的截面值大. 本文指出, 这是一个位阱俘获与价俘获的干涉增强效应的例子. 使用普适的光学模型位阱并考虑了这一干涉效应, 计算了40Ca的热中子辐射俘获截面、散射截面和41Ca的p3/2中子束缚能, 并与实验值进行了比较. 相似文献
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合理地给出了复合核反应光子穿透系数及同质异能态俘获截面的计算公式,其中包括统计和非统计过程.通过求解级联γ退激过程计算光子穿透系数,既合理地扣除(n,γn)过程,又包括首次γ跃迁至中子分离能Bn以上能级的贡献.以4MeV以下中子和59Co及103Rh的反应为例,比较用不同方法计算的光子穿透系数,计算同质异能态俘获截面并和实验数据进行比较,最后对结果进行了分析和讨论. 相似文献
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在自旋-轨道劈裂阵模型下,通过类铜的内壳层激发组态计算了类镍氙的双电子复合速率系数,其中考虑了共振和非共振辐射平衡跃迁对自电离能级的影响,而忽略了因碰撞跃迁引起的电子俘获,非共振辐射平衡跃迁在低电子温度条件下主要影响双电子复合过程;本文讨论了双电子复合系数及双电子伴线强度比随电子温度的变化. 相似文献
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在自旋-轨道劈裂阵模型下,通过类铜的内壳层激发组态计算了类镍Gd的双电子复合速率系数,其中考虑了共振和非共振辐射平衡跃迁对自电离能级的影响,而忽略了因碰撞跃迁引起的电子俘获,非共振辐射平衡跃迁在低电子温度条件下主要影响双电子复合过程;本文讨论了双电子复合系数及双电子伴线强度比随电子温度的变化. 相似文献
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恒星能量下俘获截面非常难于直接测量.因此,通常借助于非直接方法或从最低能量下的实验数据外推到天体物理感兴趣能区.首先证明了用渐近归一化常数方法得到的结果近似与模型无关.因此,转移反应的渐近归一化常数方法处理提供了一可靠的途径用以确定恒星能量下的俘获截面. 鉴于此优点, 用渐近归一化常数方法计算了10Be(n,γ)11Be反应的俘获截面. 11Be是一个众所周知的具有两弱束缚态的晕核.作为一个典型的例子,演示了俘获到晕态的辐射俘获截面明显增大, 证明了入射中子波函数与晕的伸展尾部有较大重叠是俘获截面异常增大的原因. 相似文献