塑料闪烁体β射线望远镜的能量刻度

建立了一台塑料闪烁体β射线望远镜并进行了能量刻度.利用一组端点能量从0.7MeV到6.1MeV的β~+发射体作为参考源,线性能量刻度的误差仅35keV.     

235Th β衰变端点能量的测定

用14MeV中子照射轴并借助于放化分离产生了²³⁵Th源,测得了β谱和γ谱,获得了²³⁵Th的β端点能量为1.44±0.04MeV,从而确定了其Q_B=1.47±0.07MeV.     

实验测定183Os的QEC值

用39MeV-α粒子轰击天然钨靶产生了¹⁸³Os测量了¹⁸³Os衰变的γ-β符合谱,确定了β⁺能谱的端点能量.最终提取出 衰变的QQ_EC值:Q_EC=2.24±0.10MeV,与系统学的估计值;2.30±0.10MeV在误差范围内相符.     

16O+28Si全熔合激发函数

在50—90MeV的能量范围内,以1.0MeV为能量步长,测量了¹⁶O+²⁸Si的全熔合激发函数.用熔合模型分析了激发涵灵敏,提取了模型参数在质心系能量小于46MeV时,激发函数存在粗结构,其峰位分别在34.5、38.5和43MeV.能量在46MeV以上时,结构逐渐消失.     

30MeV/u 40Ar+ 112,124Sn反应中态布居核温度的同位旋效应

用13单元望远镜探测器阵列测量了30MeV/u ⁴⁰Ar +^112,124Sn反应中小角关联粒子,由两体符合事件提取了αα关联函数.用三体弹道理论模型MENEKA计算本底关联函数,用Monte Carlo方法计算探测效率函数,在扣除本底产额并考虑探测效率的修正后,对不同同位旋反应系统⁴⁰Ar +¹¹²Sn和⁴⁰Ar+¹²⁴Sn提取的相对态布居核温度分别是4.18±0.25 0.21MeV和4.10±0.22 0.20MeV ;考察态布居核温度和粒子能量的关系时,观察到两个系统的发射温度均随着粒子能量的增加而降低,缺中子系统⁴⁰Ar +¹¹²Sn中由低能时的5.13±0.30 0.2 6MeV降低到高能时的3.87±0.37 0.29MeV ,丰中子系统⁴⁰Ar+¹²⁴Sn中由低能时的5.39±0.30 0.26MeV降低到高能时的3.32±0.28 0.23MeV .用激发热核衰变过程的同位旋选择性对这种同位旋相关性进行了解释.     

用单能γ射线源校刻β塑料闪烁体能谱仪

本文介绍了一种简单、方便而又能精确刻度β塑料闪烁体能谱仪的实用方法.实验使用了₂₂Na、₁₃₇Cs、₅₄Mn和₂₀₇Bi等4个γ标准源对β塑料闪烁体能谱仪进行了精确的能量刻度,选取了β能谱仪对单能γ射线响应的康普顿能谱后缘的半高点作为能量参照点.并根据此结果分析处理了₉₀Sr-₉₀Y源的β能谱,其端点能量为2.298±0.90MeV.     

核温度测量与粒子能量的关系

提取了30MeV/u ⁴⁰Ar+natAg反应中后角出射的同位素(^6,7Li,^3,4He)产额比温度为5MeV.观察到这一同位素产额比温度随阈值能量E_cut/A的增加而逐渐由5MeV上升到6MeV.为进一步研究这一变化关系,用Monte Carlo方法模拟了热核蒸发粒子的过程,表明随粒子能量的增加,发射该能量粒子的发射源平均温度也在增加.说明高温热核发射高能量粒子的几率大.     

20Na的β+延发α粒子测量

利用兰州放射性次级束流线提供的²⁰Na束流,通过²⁰Naβ^{+ 20}Ne→¹⁶O+α过程,测量了²⁰Na的衰变半衰期T_1/2及衰变α粒子能谱.结果表明,除了E_d≥2.688MeV的9条较高激发能级的衰变α粒子外,实验中还观察到衰变能量E_d为0.890和1.054MeV,1.991MeV,2.424和2.457MeV的²⁰Ne低激发能级的3条α谱线.     

对质子滴线核19Na的β延迟质子衰变的首次观察

由²⁰Ne(P,2n)¹⁹Na反应,对质子滴线核¹⁹Na进行了研究,实验在中国科学院高能物理研究所质子直线加速器上进行,首次观察到了¹⁹Na的β延迟质子衰变,测定其质子能量为1.10±0.08MeV,半衰期为47±20ms,它相应于¹⁹Na基态到¹⁹Ne的7.62MeV、T=3/2同位旋相似态的超允许β跃迁和由此态到¹⁸F基态的级联质子衰变.     

23Al的β+延发质子测量

利用TOF-ΔE和0°注入探测器的方法,鉴别并测量了²³Al β⁺延发质子衰变能谱,通过精密脉冲发生器和计数器测得²³Al的半衰期T_1/2=(476±45)ms.实验中重现了能量为0.216,0.278,0.438,0.479MeV的低能衰变质子.另外,还观察到了一个新的β⁺延发衰变能级E_x=8.916MeV,并给出了它们的相对强度.     

新核素65Se半衰期的首次实验测定

根据⁴⁰Ca(²⁸Si,3n)反应中观测到的⁶⁵Seβ延迟质子衰变实验数据,拟合计算粒子望远镜对运动放射源的绝对探测效率,精确测定了⁶⁵Se的半衰期为9.6ms,其β延迟质子能量为3.70±0.08MeV,由此修订了⁶⁵Se的部分衰变纲图.     

辐射俘获反应中门态过程的干涉现象

主要计算中子能量为5—25MeV ¹²C(n,γ)反应截面,计算结果表明,在Ex=13MeV处有矮共振存在,同时,也计算了质子能量为8—35MeV ¹²C(p,γ)反应截面.计算表明对应13N激发能量为11.74MeV和14.06MeV处反应截面有谷点存在.这是因为半直接俘获与门态过程中的共振俘获之间有相消干涉效应,计算结果与实验值符合较好.     

16O+24Mg反应全熔合激发函数测量

本工作采用在束γ谱学技术,入射能量步长为0.30MeV,测量了41.6—50.0MeV ¹⁶O+²⁴Mg反应的全熔合激发函数.实验结果表明,激发函数不是平滑的,似乎呈现较大的起伏,这些起伏的峰值对应于质心系能量为27.6和28.9MeV.     

新型MSM结构砷化镓半导体探测器的性能

研究一种新型双金属接触GaAs半导体探测器的性能,测量了²⁴¹Am 5.48MeVα粒子、⁵⁷Co 122keV的光子和⁹⁰Sr 2.27MeVβ粒子的最小电离粒子谱,比较了一个3×3mm²的GaAs芯片在经过¹³⁷Cs 662keV光子约1300rad辐照前后的电荷收集效率和能量分辨率.测量结果显示这种新型金属─半导体─金属(MSM)结构的半导体探测器不仅在室温下对各种粒子具有良好的探测能力,而且具有很好的抗辐照性能.     

用相对论Brueckner-Bethe-Goldstone方程研究相对论微观光学位

本文用相对论Brueckner-Bethe-Goldstone(RBBG)方程研究核子-核的相对论微观学学势.核子的复有效质量是通过入射能量为200MeV的质子-⁴⁰Ca散射数据来确定,由此进一步研究了质子对不同靶核:¹⁶O,⁴⁰Ca,⁹⁰Zr,²⁰⁸Pb能量范围从160—800MeV的相对论微观光学位.我们用这种微观光学位研究入射能量为200MeV质子与⁴⁰Ca的弹性散射,并与唯象相对论光学位计算得到的截面,自旋可观测量进行了比较.     

中能区反质子与原子核的弹性散射

运用实验的pN散射振幅和多次散射理论,在冲量近似下考虑反质子能量从180MeV至1800MeV的光学势,发现此能区反质子光学势的虚部强度在130—140MeV附近.用所获得的光学势,计算¹²C,²⁶O,⁴⁰Ca和²⁰⁸Pb等满壳层核在五个能量下的弹性散射微分截面.看到所用的光学势,在180MeV能很好地符合实验数值.本文还预示了此能区在各个核上的理论结果.     

相对论平均场理论对196Pb超形变态的研究

在形变约束的相对论平均场理论框架下, 用TMA, PK1, NL3和NL-SH相互作用对¹⁹⁶Pb的超形变态进行了系统研究. 给出了¹⁹⁶Pb的位能曲线、基态和超形变态的形变以及超形变态退激的激发能. ¹⁹⁶Pb的基态为β₂≈－0.15的扁椭球, 超形变激发态为β₂≈0.60的长椭球, 激发能在4－5MeV之间, 势阱深度在1－2.2MeV之间. 这些结果与最近观测的实验数据符合得非常好, 表明相对论平均场理论能够较好地描述¹⁹⁶Pb超形变转动带带首的能量.     

14.7MeV/u、19.2MeV/u 20Ne诱发反应中转移和碎裂反应过程的竞争

对于在14.7MeV/u、19.2MeV/u ²⁰Ne+⁵⁸Ni反应中出射的类弹碎片,比较其单举动量分布和与前方向20个塑料闪烁体中带电粒子符合的动量分布,区分来自于碎裂过程和转移反应过程的贡献,并研究随束流能量变化时这两种过程的竞争.     

入射质子的能量对质子与晕核弹性散射观测量的影响

用相对论脉冲近似(RIA)对不同的中能质子(200MeV, 400MeV和800MeV)与¹⁴Be, ¹⁶O和¹²C的弹性散射进行了研究, 讨论了不同的入射能量对3种观测量, 即微分散射截面、分析本领和自旋转动函数的影响. 研究发现在小散射角的区域晕中子对观察量的影响趋势保持一致, 不随入射质子能量的改变而改变.     

费米能区重离子碰撞动力学(I)动力学的能量关系

本文基于包括了平均场效应,两体碰撞和泡利阻塞效应的Boltzmann-Uehling-Uhlenbeck理论,系统研究了²⁰Ne+²⁰Ne碰撞系统在轰击能量为5—150MeV/u能区内中心碰撞时,反应机制从全融合、非全融合向碎裂变迁的过程,讨论了平均场、两体碰撞和泡利阻塞效应随轰击能量的变化及它们对反应机制的影响.