一些UN G同位标量因子的解析表达式

本文导出了部分U₆ SU₃,U_N (U₁)^N SO₇ (SU₂)³同位标量因子的解析表达式.     

SO5 SU2 SU2 U1 U1及SO5 U1 U1的矢量相干态表示

本文讨论了SO₅ SU₂ SU₂ U₁ U₁及SO₅ U₁ U₁的VCS表示.计算了SO₅ U₂ U₂的约化矩阵元,并利用K矩阵技术确定了SO₅权的多重度.     

群表示论的物理方法(Ⅳ)——SUmn?SUm×SUn和SUm+n?SUm?SUn分类基

本文证明了置换群CG系数和外积约化系数分别就是将任一SU_m和SU_n不可约基耦合成SU_mn?SU_m×SU_n和SU_m+n?SU_m?SU_n分类基的耦合系数,并给出了将SU_mn?SU_m×SU_n和SU_m+n?SU_m?SU_n分类基用Celfand基展开时计算展开系数的几种方法。给出了基本粒子中常用的SU₆?SU₃×SU₂和SU₈?SU₄×SU₂重子波函数。     

部分U(6) SU(3)的约化标量因子的代数表达式

利用不可约张量基方法和相互作用玻色子模型的解析波函数,计算得到了U(6) SU(3)简单的约化标量因子.通过应用递推关系,得到了U(6) SU(3)的[N_π×[N_p][N₁N₂]的部分约化标量因子的代数表达式.     

双强子系统L·S表象与jj表象的物理基和对称基及其变换系数

本文给出了两种常用表象（作者称之为L·S表象与jj表象）下双强子系统物理基与对称基之间变换系数的一般表达式.对前者是两个SU_mn（?）SU_m×SU_n同位标因子乘积,后者简单就是SU_mn（?）SU_n×SU_m同位标因子.我们给出了L·S表象下的0s态六夸克系统且自旋同位旋仅取SU₂×SU₂全部变换系数.     

SU3羣不可约表示直乘的分解

本文利用SU₃羣无穷小算子的对易关系,求出了SU₃羣的所有不可约U表示,并导出了SU₃羣的约化系数满足的方程。作为例子,我们计算了SU₃羣的(01)×(10),(11)×(10),(11)×(11),(30)×(11)的约化系数。     

量子代数SLq(3)的不可约表示和Wigner系数

本文给出了确定量子代数SL_q(3)的不可约表示和Wigner系数的方法.文中引入满足Serre类关系的两辅助元素,指出它们以及另两个元素是SL_q(2)的1/2阶张量算符,它们的约化矩阵元可由一组"递推公式"算出.从这些公式也可导出SL_q(3)的同位旋标量因子的递推公式.这也意味着对于SL_q(3),Racah因子分解定理也适用.     

SU3 U1 U1的矢量相干态表示

本文讨论了U₃的矢量相干态表示.利用K矩阵技术得到了SU₃ U₁ U₁的正交基矢,从而确定了权的多重度.     

对SU3波函数的讨论

本文详细地讨论了Elliott引入的SU₃波函数Ψ(α(λμ)KLM)=(2L+1)/(C(λμKL))∫x_Ω(a(λμ)K)×D_MK^L(Ω)dΩ的若干性质。利用SU₃群的无穷小算子的对易关系,可以较容易地求出“内部态”波函数x(α(λμ)K)的表达式,并由此求出了波函数Ψ(α(λμ)KLM)的母分数系数(f·p·c.)。作为例子,本文还计算出了sd壳中有两或三个核子的SU₃波函数Ψ(α(λμ)KLM)。     

弹核碎裂反应中同位旋效应的系统研究

用统计擦碎模型对中能区不同弹靶体系在弹核碎裂反应中的同位旋效应和同位旋标度率现象进行了系统研究. 发现归一的同位素分布峰位差和约化的同位旋标度率参数随(Z_proj－Z)/Z_proj or (N_proj－N)/N_proj呈指数下降, 与反应系统大小无关. 指出约化的同位旋标度率参数可以用来研究中能重离子碰撞中反应系统的激发程度和非对称核物质的状态方程.     

带栅极纳米线冷阴极的场增强因子研究

场增强因子是体现场发射冷阴极器件性能优劣的重要参数.利用静电场理论给出了一种带栅极(normal-gated)纳米线冷阴极的场增强因子表示式β=k₁{N²·(L-d₁)²+［1/k₁+(L-d₁)］²}^1/2，且进一步分析了几何参数对场增强因子的影响.结果表明，纳米线突出栅孔的部分(L-d₁)与栅孔半径越大，则场增强因子越大；而纳米线半径越小，则场增强因子越大；当L远大于d₁时满足β∝L/r₀.其中N=N₁(k₁r₀)/N₀(k₁r₀)，N₀(k₁r₀)和N₁(k₁r₀)分别代表零阶和一阶Neumann函数，k₁=0.8936/R，R为栅孔半径，L为纳米线长度，r₀为纳米线半径，d₁表示阴极与栅极间距.     

核转动谱的量子群SUq(2)理论分析

本文系统地分析了量子群SU_q(2)理论对原子核转动谱的适用性.通过对Mallmann图、I(I+1)展开系数的关系、以及能谱的计算表明:SU_q(2)的转动谱表示式与锕系和稀土偶偶变形核的观测到的转动谱规律有明显的偏离.SU_q(2)转动谱表示式只在一定角动量范围中适用.形变参量q与核软度直接相关,明显依赖于角动量.     

光腔衰荡光谱法测量大气中的NO3和N2O5

本文应用基于二极管激光器的双路光腔衰荡光谱技术,分别对大气中NO₃和N₂O₅浓度进行监测. 通过使用实验室标准样校正有效吸收腔长比R_L和系统的总损耗系数?,并获得了NO₃有效吸收截面. 该装置在时间分辨率为1 s时,对NO₃的测量灵敏度达到1.1 pptv,N₂O₅被在线转换成NO₃,从而被另一路光腔衰荡光谱装置探测. 利用该装置,对合肥市区冬季夜间大气中的NO₃,N₂O₅浓度进行了实时监测. 通过对比一次大气快速清洁过程中氮氧化物、臭氧、PM_2.5等组分的浓度变化,讨论了大气环境下可能影响NO₃及N₂O₅浓度的因素.     

氮化钽团簇阴离子Ta3N3-解离吸附N2中的15N/14N同位素交换研究

氮气分子的吸附和活化是固氮研究中的重要过程. 近年来过渡金属氮化物由于在合成氨催化研究中的优异表现而受到广泛关注. 但是,氮化物物种与氮气分子在高温下反应的微观机制仍然不清楚,而该过程对于认识反应中的温度效应以及缩小气相团簇体系和凝聚相体系间的差距具有重要意义. 本文使用质谱观测到氮化钽团簇阴离子Ta₃¹⁴N₃^-和¹⁵N₂在高温下(393∽593 K)发生¹⁵N/¹⁴N同位素交换而产生¹⁴N₂/¹⁵N¹⁴N. 结合理论计算,阐述了同位素交换反应的微观机理以及升高温度对于N₂在Ta₃N₃^-上解离吸附的促进作用. 而在对比实验体系Ta₃¹⁴N₄^-/¹⁵N₂中,观察到升高温度只能加速¹⁵N₂在吸附产物Ta₃¹⁴N₄¹⁵N₂^-上的脱附. 这是由于氮空位是氮化物物种活化氮气的必要条件,而Ta₃N₄^-中由于不存在氮空位因此不能活化和解离氮气. 该研究为合成氨中氮化物物种中氮空位的作用提供了重要信息并且为固氮研究中高效催化剂的设计提供了线索.     

量子代数SUq(4)的不可约表示

本文利用类张量的方法计算了量子代数SU_q(4)在SU_q(4)>SU_q(2)+SU_q(2)基上的不可约表示,得到了求矩阵元的递推公式.     

TiO2表面氧空位对NO分子吸附的作用

采用程序升温热脱附(TPD)实验方法测定了NO在TiO₂表面吸附后的脱附谱，利用 分子轨道 理论研究了TiO₂吸附NO的原子簇模型及吸附前后的原子簇能级变化.结果表明， NO在TiO₂表面吸附后可在两个峰值温度450 和980 K脱附出N₂.TiO ₂表面经预覆氧处理后，N₂ 的脱附量降低.吸附时NO中的O能够占据TiO₂表面氧空位并与N脱离，而N原子则 相互结合成 为N₂脱附.分子轨道理论计算证明在TiO₂(110)表面能够存在氧空位 并具备吸附NO的结构条件.     

高比表面积TiO2与g-C3N4复合材料的光催化性能及机理研究

本文通过简单的溶剂热法制备了g-C₃N₄与高比表面积的TiO₂复合材料,该方法操作简单且能耗低. 甲基橙降解实验结果表明,高比表面积的TiO₂有效提高了光催化活性. 光电化学测试结果表明,与g-C₃N₄复合后,TiO₂的电荷载流子迁移速率得到明显改善. g-C₃N₄/高比表面积-TiO₂的光催化活性很强,在100分钟内,6%-g-C₃N₄/高比表面积-TiO₂对甲基橙的降解程度可达92.44%. 6%-g-C₃N₄/高比表面积-TiO₂不仅具有良好的光催化降解性能,还具有较高的稳定性. 本文对6%-g-C₃N₄/高比表面积-TiO₂的光催化机理也进行了系统的研究.     

高压下BeP2N4结构相变和电子结构的第一性原理计算

 基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了硅铍石型和尖晶石型结构BeP₂N₄的总能量随体积的变化关系。利用Brich-Murnaghan状态方程,通过能量和体积拟合,得到了2种结构的体变模量及其对压强的一阶导数。在压力作用下,BeP₂N₄的相变是从硅铍石型结构（空间群R-3,No.148）转变到尖晶石型结构（空间群Fd-3m,No.227）,计算出的相变点与其它理论值符合得非常好。同时计算了BeP₂N₄的相对晶格常数a/a₀和相对体积V/V₀的压缩率,在低压下发现,尖晶石结构BeP₂N₄的压缩率接近金刚石,进一步计算了不同压力下的体弹模量B_H、剪切模量G_H、B_H/G_H和杨氏模量E。此外,对两种结构的BeP₂N₄的电子态密度和带隙随压强的变化关系进行了计算和分析。结果表明：在压力作用下,上价带顶向费米能级移动,并有一定的展宽。Be—N、P—N键缩短,电子转移增加,导致电荷发生重新分布。     

正交基下的一些无多重性SU_NSO_N同位标量因子的解析表达式

本文导出了一些SU_NSO_NSO_(N-1)按SUSU(N-1)SO(N-1)态展开系数.利用该系数及已知的SO_NSO(N-1)同位标量因子,我们求得了SU_NSO_N关于耦合[w_1w_20…0]×[w_30…0]→[w′_1w′_20…0]的无多重性同位标量因子的解析表达式.     

g-C3N4/SnS2异质结构:一类有潜力的光解水催化剂

采用第一性原理方法研究了层间耦合作用对g-C₃N₄/SnS₂异质结构的电子结构和吸光性质的影响.发现g-C₃N₄/SnS₂是一类典型的范德瓦异质结构,能有效吸收可见光,其价带顶和导带底与水的氧化还原势匹配,且由于电荷转移而导致的界面处极化场有利于光生载流子的分离.这些理论研究结果表明g-C₃N₄/SnS₂异质结构是一类非常有潜力的光解水催化材料.