使用栅极电阻控制GBT开关

IGBT开关特性的设定受IGBT栅极电阻的影响,因此选择和优化栅极电阻可调节的动态性能,控制其开关特性。     

Zetex推出新型高速栅极驱动器开关功率MOSFET及IGBT

Zetex日前推出用于开关电源和电机驱动的全新MOSFET及IGBT产品。这款型号为ZXGD3000的低成本双极栅极驱动器系列产品能灌人高达9A的电流,栅极电容的充、放电速度比栅极驱动器IC更快,有助于加快开关时间,提高电路效率。     

IGBT功率开关模块的发展及应用

文章首先概述了ＩＧＢＴ功率开关模块的发展动态，其次总结和比较了第二、第三以及第四代ＩＧＢＴ功率开关模块的各项技术性能参数，最后着重强调了ＩＧＢＴ的使用及使用中的几个关键性问题。     

栅极宽度对IGBT通态压降的影响

利用silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行了仿真,在同一电流密度下提取了不同栅极宽度IGBT的通态压降,得到了通态压降随栅极宽度变化的曲线,该仿真结果与理论分析一致。对于相同的元胞尺寸,栅极宽度存在最优值,只要合理地选取,可以有效地降低通态压降。     

MOSFET及IGBT栅极专用驱动电路（六）

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从去年4月份开始以“电力电子器件知识”为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。     

一种通道复用的高可靠性隔离IGBT栅极驱动器

采用SIMC 0.18 um BCD工艺,设计一种输出电流2 A,隔离电压5 kV,CMTI为100 kV/us的单通道隔离IGBT栅极驱动器,该IGBT栅极驱动器集成双侧欠压保护、退饱和保护,具有高可靠性.为节省芯片面积和成本,提出一种通道复用技术,将高压侧退饱和状态监测信号(FLTH)和欠压闭锁状态监测信号(RDH)编码后使用一个数字隔离通道同时传输至低压侧,简化电路结构,节省芯片面积约10%.当发生欠压闭锁时,隔离式IGBT栅极驱动器不工作;当未发生欠压闭锁时,可以通过编码信号的脉冲宽度来区分是否发生退饱和状态.仿真与测试结果表明：采用通道复用技术可以准确的将高压侧的退饱和状态监测信号和欠压闭锁状态监测信号传输至低压侧.     

推进IGBT的集成化

迄今，IGBT一直依靠缩小芯片上所集成单元尺寸的方法提高电流密度，并且一直依靠减薄芯片本身厚度的方法减小导通电阻。但是，一位功率半导体技术人员表示：“减小导通电阻的方法已经接近极限。”许多有关人士都认同这一看法。最近，主要采用减薄芯片以减少衬底电阻分量的方法减小导通电阻，但是，芯片的厚度已经减薄到170μm。据三菱电机公司（IGBT的主要生产厂家）功率器件制作所主管总工程师Gourab Majumdar说：“为了保持耐压达到1200V，芯片的减薄极限是120μm。”现在，可供削减的余量只剩下50μm。Majumdar认为，减薄IGBT芯片以减小导通电阻的方法，顶多可以再使用一代工艺。     

600V栅极驱动IC

新系列有五款高速功率MOSFET和IGBT驱动IC,它们的源电流输出最高达1．9A,最大吸电流能力为-2．3A,具有快速开启和关闭时间。同时,高电流能力能够让这些新器件有效地驱动更高功率应用中更大的开关。该系列产品包括两个半桥驱动器;     

可驱动大功率IGBT的高尖峰电流栅极驱动光电耦合器

对电机驱动、不间断系统、开关电源、高强度灯管镇流器和感应加热等电压转换应用,绝缘栅双极晶体管(IGBT)的栅极必须以稳定的开关驱动电压推动,并需要相对较高的电流水平,以便在导通和关断状态间快速切换,这个高电流主要用来进行栅源极以及栅漏极电容的快速充放电。     

IGBT的原理与应用（七）IGBT栅极的驱动电路

电力电子器件是构成电子电源设备的基础,是从事UPS供电系统的设计、研发、生产和应用的电源技术工作者应当熟悉的内容。尤其是绝缘栅双极型晶体管（IGBT）现已广泛应用于电源设备中。本刊从今年1月份起以“IGBT的原理与应用”为题开展技术讲座,以利广大读者选好用好这种器件。     

混合动力电动汽车逆变系统中驱动高达600A—IGBT用的一种600V高压半桥式栅极驱动器集成电路

本文研制了一种600V高压半桥式、用于驱动IGBT栅极的集成电路（IC）。本文将先介绍基于监测IGBT传感电流的短路保护功能，然后介绍电平下移功能。之后，还将讨论另一种我们研制的短路保护功能电路，它通过对集电极和栅极的监测实现对IGBT的短路保护。本文中的IC最多可以驱动带有几个外部部件的600A／600V等级IGBT。本电路不仅适用于工业逆变器，而且适用于混合动力电动汽车。     

电力电子器件知识讲座（十四） MOSFET及IGBT栅极专用驱动电路（三）

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从去年4月份开始以＂电力电子器件知识＂为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。     

电力电子器件知识讲座（十五）MOSFET及IGBT栅极专用驱动电路（四）

【编者按】电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从去年4月份开始以“电力电子器件知识”为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。     

IGBT芯片和IGBT模块封装技术全面蓬勃发展

正目前我国IGBT产业在国家政策及重大项目的推动及市场牵引下得到了迅速发展,呈现出大尺寸区溶(FZ)单晶材料、IGBT芯片工艺和IGBT模块封装技术全面蓬勃发展的大好局面。     

软特性650V IGBT：低电磁干扰和电压尖峰的优化器件

近年来,功率半导体厂商致力于提高器件的开关速度,这带来了开关损耗降低和系统能效提升的益处。这些功率器件需要优化的直流电路寄生电感（Ls）。为了满足具有大电流的高功率应用的需求,推出了一种全新的芯片650V IGBT4,旨在提供更大的设计自由度。这款全新的IGBT4器件具备更好的关断软度,并且由于关断电流变化率di／dr...     

IGBT的栅驱动设计

IGBT是一种新型的电压控制型电力半导体器件,伴随太阳能、风能、汽车电子等新能源时代的到来,IGBT在现代电力电子技术起着核心作用,而IGBT的栅驱动设计是IGBT的应用首要前提,本文研究IGBT栅驱动电压,驱动功率和驱动电阻的设计,以及通过试验证明不同驱动电阻的驱动条件下对IGBT应用的影响。     

IGBT的原理与应用（十一）IGBT栅极的驱动电路（续四）

电力电子器件是构成电子电源设备的基础，是从事UPS供电系统的设计、研发、生产和应用的电源技术工作者应当熟悉的内容。尤其是绝缘栅双极型晶体管（IGBT）现已广泛应用于电源设备中。本刊从今年1月份起以“IGBT的原理与应用”为题开展技术讲座，以利广大读者选好用好这种器件。