带保护环结构的条形X光阵列探测器

研究了带有保护环结构的条形X光阵列探测器,结果表明,保护环的存在不仅降低了表面漏电,而且抑制了耗尽区的侧向扩展.厚度为300μm的探测器样品,切割后的"死区"长度为150μm;环境温度为18℃时,70V偏压下加保护环测得的探测器完全耗尽时的漏电流为20nA.     

带保护环结构的条形X光阵列探测器

研究了带有保护环结构的条形X光阵列探测器,结果表明,保护环的存在不仅降低了表面漏电,而且抑制了耗尽区的侧向扩展.厚度为300μm的探测器样品,切割后的"死区"长度为150μm;环境温度为18℃时,70V偏压下加保护环测得的探测器完全耗尽时的漏电流为20nA.     

降低高阻寺探测器漏流的方法研究

系统地分析了高寺探测器漏电流产生的机理及其主要的影响因素,并采用工艺实验的手段具体研究了一种有效降低探测器漏电流的方法－－保护环结构。样品测试结果表明,保护环结构使探测器的漏电流降低了０．５￣１个量级。     

数字式X射线成像用的CdTe探测器的最新发展

二维像素探测器的最初发展,是利用凸缘连接技术,将探测器与读出器电路相连接,它是由高电阻率硅所制造的二极管阵列组成的,因此,该探测器对于低能量的同步辐射的探测,是非常有用的。对于应用在医学领域(20～140keV)中的较高的能量来说,在可接受的稠密度的情况下,硅的太低的隔离能力已不适应。有些生产者建议用其它的半导体,诸如,HgI_2和CdTe,来替代高电阻率的硅探测器。     

MSM结构硅光探测器

采用 MSM 双肖特基势垒结构制作的硅光电二极管,在0.2～1.10μm波长范围内具有高的响应度。这种结构还可以构成横向光晶体管,共发射极电流增益为2～4倍。实验表明,MSM 结构是改善硅光电探测器光谱响应的良好结构。     

硅PIN光电探测器阵列的串扰分析

在利用高密度线性阵列探测器成像时,探测阵列单元间的串扰将直接影响器件的成像质量.文章对厚度为100μm的背照式PIN光电探测器线性阵列的电串扰特性进行了分析,通过Silvaco TCAD器件仿真软件对阵列的暗电流和光电流进行了仿真,分析了像元间的电串扰特性,同时对比分析了保护环结构对器件的暗电流和电串扰特性的影响.仿真结果表明,保护环结构器件的暗电流和电串扰性能均优于无保护环的结构,在有保护环时PIN器件的串扰是无保护环结构的1/5.     

AFM/SCM及LBIC技术在平面型保护环结构InGaAs探测器设计中的应用

为研究保护环结构对平面型正照射式InP/InGaAs探测器光敏元扩大现象的抑制作用,设计并研制了带有不同保护环-光敏元间距的InGaAs探测器.通过原子力显微镜(AFM)及扫描电容显微镜(SCM)获得了保护环与光敏元之间的实际距离.利用激光束诱导电流(LBIC)技术研究了带有保护环结构的InGaAs探测器的光响应特性.研究表明,无保护环结构的探测器的LBIC信号可以用指数衰减函数描述,而带有保护环结构的探测器的LBIC信号则遵从高斯分布.引入保护环结构后,器件光敏元的扩大量会随着保护环-光敏元间距的减小而线性减小.在器件设计中,比较合适的保护环-光敏元间距应介于7~12μm之间.     

硒和薄膜晶体管阵列探测器的X射线成像特征

1.引言随着数字电子传感器的发展.投影X射线透视领域发生了剧烈的变化。已研究出以胶片/屏系统为特征的技术和方法.包括胶片速度、调制传递函数(MTF)和探测量子效率(DQE)。对于数字电子成像系统,这些数据量还需重新研究:对于离散像元装置.象自相关函数和     

光传送网(OTN)基于ODUk的共享保护环

本文介绍了光传送网的基于ODUk的环网保护特性、APS协议要求、结构及内容、OTN环网结构及其保护的实现方法,并与SDH环形保护机制进行对比分析.     

高速光探测器模块中的耦合理论和模拟

高速光器件的封装工艺中,光耦合占据重要的地位.文中针对一种高速光探测器中常用的光耦合方式——倾斜端面光纤到倒装芯片的耦合,提出了光纤耦合的柱透镜光学模型,并通过理论和光学软件模拟了各种封装工艺条件对耦合效率的影响.模拟结果显示,耦合效率的大小由光纤位置、芯片透镜尺寸和激光光源光斑形状共同决定.     

Si基PIN光电探测器电场隔离结构对暗电流的影响

对Si基PIN光电探测器的电场隔离结构进行了研究,讨论了电场隔离结构的作用以及其与暗电流的关系,并进行了仿真模拟与测试分析.电场隔离结构主要将有源区和边缘隔离从而降低暗电流,结合仿真模拟结果和实验测试结果,分析得到电场隔离结构主要降低与周长有关的暗电流,对于小尺寸器件作用更明显.     

保护环版图结构对ESD防护器件耐压能力的影响

基于华润上华0.5 μm双极-CMOS-DMOS (BCD)工艺设计制备了不同保护环分布情况下的叉指型内嵌可控硅整流器的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)结构器件,并利用传输线脉冲(TLP)测试比较静电放电(ESD)防护器件的耐压能力.以LDMOS-SCR结构为基础,按照16指、8指、4指和2指设置保护环,形成4种不同类型的版图结构.通过器件的直流仿真分析多指器件的开启情况,利用传输线脉冲测试对比不同保护环版图结构的耐压能力.仿真和测试结果表明,改进后的3类版图结构相对于普遍通用的第一类版图结构,二次击穿电流都有所提升,其中每8指设置一个保护环的版图结构二次击穿电流提升了76.36％,其单位面积的鲁棒性能也最好,为相应工艺设计最高耐压值的ESD防护器件提供了参考结构和方法.