辐射与发光 发光与发光器件

TN312.820060100071W级大功率白光LED发光效率研究=Lumen efficiencyof1W-level high power white LED[刊,中]/李炳乾(佛山科技学院物理系.广东,佛山(528000))∥半导体光电.—2005,26(4).—314-316,361研究了1W级大功率白光发光二极管(LED)发光效率随功率变化的关系。实验结果表明,功率在0~0.11W的范围里,发光效率随功率迅速增加;功率达到0.11W时,发光效率为15.6l m/W;当功率大于0.11W时,发光效率随功率增加开始减小;功率继续增加时,发光效率降低的速度越来越快。在器件额定功率1W附近,发光效率为13l m/W。发光效率随功率增加而下…     

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TN312.8 2006031822白光LED的加速老化特性=Characteristics of the acceler-ated aging white LEDs[刊,中]/林亮(北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室.北京(100871)) ,陈志忠…∥发光学报.—2005 ,26(5) .—617-621对两组GaN基白光发光二极管(LED)进行了对比温度加速老化实验,环境温度分别是80 ,100 ℃。随着老化温度的升高,电流-电压(I-V)曲线的隧道电流段、扩散电流以及反向漏电电流段均增加,而串联电阻段则变化较小,这是位错密度升高和金属杂质沿着螺旋位错聚集及移动的结果;电容-电压(C-V)曲线中反向偏压下电…     

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TN312．8 2005020847 无源OLEDs器件的设计和制作=Design and fabrication of passive matrix organic light-emitting diodes[刊,中]／成建 波(电子科技大学光电信息学院．四川,成都(610054))。蒋 泉…//光电子·激光．-2004,15(11)．-1315-1319 对无源有机发光二极管器件(OLEDs)的众多问题,诸 如交叉串扰、等效电路和电压降进行了定量分析,建立了 计算无源OLEDs功耗的数学模型。与单屏驱动的 OLEDs比较,采用双屏驱动可显著减小器件的功耗,主要     

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TN312．8 2005010011 基于蒙特卡罗模拟方法的光源用LED封装光学结构设计 =LED’s optical encapsulation structure design based on Monte Carlo simulation method[刊,中]／颜峻(福州大学电子科学与应用物理系．福建,福州(350002)),于映∥发光学报．-2004,25(1)．-90-94 引进蒙特卡罗(Monte Carlo)随机模拟方法对常规形式发光二极管(LED)的光学封装结构进行模拟,得出了     

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O482.312006053829驱动电压频率对固态阴极射线发光影响的研究=Influenceof frequency on solid state cathodoluminescence[刊,中]/刘德昂(北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室.北京(100044)),徐征…//光谱学与光谱分析.—2006,26(6).—987-990用Si O2作为电子加速层,有机材料MEH-PPV为发光层,在正弦交流电压驱动下实现了固态阴极射线发光,得到410和580nm两个发光峰。通过研究这两个发光峰的性质,证实它们分别符合能带理论和分子理论。改变驱动电压的频率时,长波峰的发光强度随频率的增加而增加,而短波峰的…     

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TN312．8 2005053215 GaN基发光二极管芯片提取效率的研究=Study on light extraction efficiency of GaN-based light-emitting diode chips[刊,中]／申屠伟进(清华大学电子工程系,集成光电 子学国家重点联合实验室．北京(100084)),胡飞…∥光电 子·激光．-2005,16(4)．-384-389 基于蒙特卡罗方法模拟分析了限制GaN基发光二极 管(LEDs)芯片光提取效率的主要因素。结果表明,GaN 与蓝宝石之间的较大折射率差别严重限制了芯片光提取 效率的提高,通过蓝宝石背面出光比通过p型GaN层的 正面出光的芯片光提取效率至少高20％;同时,低GaN光 吸收系数、高电极反射率以及环氧树脂封装可以有效地增 加芯片光提取效率,并且LEDs芯片尺寸在400μm以下 时光提取效率较高。图6表3参13(严寒)     

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IN312．8 2005031617 850 nm超辐射发光二极管=Superluminescent diodes at 850 nm[刊,中]／廖柯(重庆光电所．重庆(400060)),刘刚 明…∥半导体光电．-2004,25(4)．-257-261 设计并制作了一种用于中低精度光纤陀螺系统的850 nm超辐射发光二极管,对器件的波导模式进行了分析,给 出了主要技术参数的设计和测试结果。实验结果表明,器     

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TN312.8 2006042820GaN基发光二极管的可靠性研究进展=Research and pro-gress in reliability of GaN-based LED[刊,中]/艾伟伟(北京工业大学光电子技术实验室.北京(100022)) ,郭霞…∥半导体技术.—2006 ,31(3) .—161-165从封装材料退化、金属的电迁移、p型欧姆接触退化、深能级与非辐射复合中心增加等方面介绍了GaN基LED的退化机理以及提高器件可靠性的措施,并对GaN基LED的应用前景进行了展望。图5参23(于晓光)TN312.8 2006042821空间交会对接标志灯发光器件的选择与分析=Selectionand analyses for the luminous devices of …     

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TN312．8 2006064817 GaN基功率型LED芯片散热性能测试与分析=Thermal dispersion of GaN-based power LEDs[刊,中]/钱可元(清华大学深圳研究生院半导体照明实验室。广东,深圳(518055)),郑代顺…//半导体光电．—2006,27(3)．—236—239与正装LED相比,倒装焊芯片技术在功率型LED的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型     

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O482．31 2005042441 有机场致发光中能带模型与分子理论的讨论=Dispute between molecular and band theory in organic electrolumi- nescence[刊,英]／徐叙瑢(北京交通大学光电子技术研究所．北京(100044)),徐征…／／发光学报．-2005,26 (1)．-1-7 在有机场致发光中,能带模型及分子理论从20世纪就存在尖锐的矛盾。在分层优化方案中,经SiO2加速后的电子能量可以达到10eV,这足以激发发光材料发光。将分层优化方案应用到有机场致发光材料中,发现了固态     

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N312.8 2004053218 照明用LED光学系统的计算机辅助设计=Computer aid design on optical system of LED for illumination[刊,中]/严萍(浙江工业大学信息工程学院。浙江,杭州(310032)),李剑清∥半导体光电。—2004,25(3)。—181-     

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TN312．8 2005064014 绿色光源-LED=Green light sources-LED[刊,中]/武 毅(清华大学建筑设计研究院．北京(100084))∥灯与照 明．-2005,30(2)．-45-48,53 介绍了发光二极管(LED)的结构、发光原理,阐述了 作为绿色照明光源的发光二极管的特点及应用前最。图2 表3参2(杨妹清)